（全球TMT2022年10月18日訊）10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過(guò)驗(yàn)證，可在驍龍（Snapdragon?）移動(dòng)平臺(tái)上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過(guò)...

據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，在高通脹影響下，消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟，旺季不旺，第三季存儲(chǔ)器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買(mǎi)方因存儲(chǔ)器需求明顯下滑而延緩采購(gòu)，導(dǎo)致供應(yīng)商庫(kù)存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí)，各DRAM供應(yīng)...

三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過(guò)驗(yàn)證，可在驍龍（Snapdragon）移動(dòng)平臺(tái)上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過(guò)優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲(chǔ)器之間的高速信號(hào)環(huán)境，三星超過(guò)了自身...

- 在驍龍（Snapdragon）移動(dòng)平臺(tái)上，三星以8.5Gbps的運(yùn)行速度完成了LPDDR5X DRAM的驗(yàn)證，為L(zhǎng)PDDR（移動(dòng)端）內(nèi)存打開(kāi)了新市場(chǎng)。 深圳2022年10月18日 /美通社/ -- 10月18日，三...

（全球TMT2022年10月18日訊）三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過(guò)驗(yàn)證，可在驍龍（Snapdragon）移動(dòng)平臺(tái)上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過(guò)優(yōu)化應(yīng)用處理器和...

在三星 Tech Day 2022 活動(dòng)上，三星電子總裁兼內(nèi)存業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人 Jung-bae Lee 表示，三星 40 多年來(lái)共生產(chǎn)了 1 萬(wàn)億 GB 內(nèi)存，僅在過(guò)去三年中就產(chǎn)生了大約一半。

近日，里昂證券（CLSA）的論壇上一位分析師對(duì)CNBC表示，即使美國(guó)和中國(guó)沒(méi)有發(fā)生貿(mào)易戰(zhàn)，半導(dǎo)體行業(yè)也將很快大幅下滑。他表示，內(nèi)存芯片需求放緩，庫(kù)存水平上升以及價(jià)格下跌等因素可能導(dǎo)致該行業(yè)出現(xiàn)周期性下滑。

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近日三星在一年一度的技術(shù)日研討會(huì)上公布了未來(lái)的3大規(guī)劃方向，其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內(nèi)的各類(lèi)內(nèi)存和無(wú)晶圓廠的整體解決方案。

據(jù)韓媒報(bào)道，在日前舉辦的行業(yè)活動(dòng)上，IDC韓國(guó)副總裁Kim Su-gyeom預(yù)計(jì)，存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的下行周期將持續(xù)到2025年。Kim Su-gyeom表示，今年的市場(chǎng)需求較最初預(yù)期更為糟糕，預(yù)計(jì)來(lái)年三季度DRAM和NAN...

與其他類(lèi)型的半導(dǎo)體相比，存儲(chǔ)芯片的競(jìng)爭(zhēng)廠商數(shù)量更多，而且芯片本身的差異化程度較低，這使得存儲(chǔ)芯片更加商品化，對(duì)需求變化也就更加敏感。存儲(chǔ)芯片通常是第一個(gè)感受到需求變化并出現(xiàn)價(jià)格下跌的組件。