來自英國Glasgow大學的研究人員宣布研發(fā)出有史以來最小的鉆石晶體管(diamondtransistor)，其閘長度(gatelengths)只有50奈米(nm)。領導研究團隊的該校電子電機系DavidMoran博士表示，這種晶體管僅有日本電信集團NTT所發(fā)明的、上一代號稱最小鉆石晶體管的一半。

    研究人員表示，由于鉆石擁有許多特性，包括大能隙(bandgap)、高內(nèi)部遷移性、以及高溫傳導性等，很適合做為未來奈米級電子組件的材料，也能有助于諸如兆赫(terahertz)成像與汽車碰撞偵測等等新興技術的開發(fā)。

    Moran表示，上述應用需要速度非常快且理想的高功率晶體管技術，且能在惡劣的天候/氣溫狀態(tài)下運作，而鉆石晶體管在這些應用中表現(xiàn)優(yōu)異。鉆石材料是透過英國供貨商ElementSix旗下子公司DiamondMicrowaveDevices的化學氣相沉積技術，以合成方式應用在該種組件中。

    此外Moran也表示，該研究團隊的目標是制造出具備比砷化鎵晶體管頻率更高、功率更高的穩(wěn)定組件，并將該種小型晶體管的運作頻率拉升到100GHz左右；接下來則是透過增加該組件的總閘長度來強化電源管理能力。