臺(tái)灣聯(lián)華電子(United Microelectronics,UMC)采用high-k柵極絕緣膜和金屬柵極技術(shù),試制出45nm工藝的SRAM英文發(fā)布資料。至此,實(shí)現(xiàn)32/28nm工藝用high-k/金屬柵極技術(shù)的第一階段已完成。該公司2008年10月試制出了28nm工藝的SRAM,加上此次的成果,預(yù)計(jì)2010年能夠開發(fā)32/28nm工藝技術(shù)。
該公司試制的28nm工藝SRAM利用了低泄漏工藝技術(shù)。該技術(shù)采用了基于液浸光刻(Lithography)的兩次圖形曝光技術(shù)和應(yīng)變硅技術(shù)。UMC的32/28nm工藝按不同用途有兩種生產(chǎn)技術(shù)。一種是面向便攜設(shè)備等使用的IC,利用了原Si柵極/SiON柵極絕緣膜的低泄漏工藝;另一種是面向圖形處理器和應(yīng)用處理器等高性能元件的high-k/金屬柵極導(dǎo)入工藝。
為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用選擇電子元件的兩個(gè)關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)是功率預(yù)算和性能。自從電子產(chǎn)品問世以來,就一直在這兩者之間進(jìn)行權(quán)衡——要么獲得最佳功耗,要么獲得最高性能。根據(jù)應(yīng)用程序,系統(tǒng)架構(gòu)師對(duì)系統(tǒng)中的不同組件有不同的要求。例如,系統(tǒng)可能需要高...
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