在電子電路中,電容器作為一種重要的被動(dòng)元件,廣泛應(yīng)用于各種場(chǎng)合。其中,去耦電容和濾波電容是兩種常見的應(yīng)用類型。盡管它們?cè)谀承┓矫婀δ芟嗨?,但在具體應(yīng)用場(chǎng)景、作用原理和電路設(shè)計(jì)中的位置等方面存在顯著差異。
Sept. 22, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究,未來(lái)兩年AI基礎(chǔ)設(shè)施的建置重心將更偏向支持高效能的推理(Inference)服務(wù),在傳統(tǒng)大容量HDD嚴(yán)重供不應(yīng)求的情況下,CSP業(yè)者紛紛轉(zhuǎn)向NAND Flash供應(yīng)商尋求解方,催生專為Inference AI(AI推理)設(shè)計(jì)的Nearline SSD(近線固態(tài)硬盤),以滿足市場(chǎng)的迫切需求。
電感是指導(dǎo)線或線圈中,存在電磁感應(yīng)現(xiàn)象所產(chǎn)生的電勢(shì)差和電流之比。在電路中,由于電感的存在,會(huì)產(chǎn)生阻抗,使得電路流過(guò)的電流呈現(xiàn)頻率特性。
?組態(tài)屏與串口屏的核心區(qū)別在于功能定位與通信協(xié)議?:組態(tài)屏內(nèi)置組態(tài)軟件,可作為獨(dú)立主機(jī)運(yùn)行并支持多協(xié)議交互;串口屏則主要作為顯示終端,遵循特定通信協(xié)議從外部設(shè)備獲取數(shù)據(jù)。
在電子元件的測(cè)量中,電阻測(cè)量是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。它涉及到對(duì)電子元件內(nèi)部電阻的準(zhǔn)確測(cè)量,以確保元件的性能和質(zhì)量。而低阻測(cè)量,則是針對(duì)低阻值電子元件的特殊測(cè)量方法,其重要性不言而喻。
DC-DC轉(zhuǎn)換器,也被稱為穩(wěn)壓器,其工作原理是通過(guò)控制電路對(duì)開關(guān)管(二極管或三極管)進(jìn)行控制,利用電感線圈和電容等元器件的協(xié)同作用,將輸出電壓穩(wěn)定在設(shè)定值上。這種通過(guò)開關(guān)動(dòng)作進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換的特性,使得DC-DC轉(zhuǎn)換器在降壓、升壓和升降壓等多種操作中都能發(fā)揮出色。特別是在降壓方面,DC-DC轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用場(chǎng)景極為廣泛,任何需要將系統(tǒng)電壓降低至可用水平的場(chǎng)合,都需要它的參與。此外,在復(fù)雜的配電系統(tǒng)中,通過(guò)多次DC-DC降壓轉(zhuǎn)換操作,不僅可以提高系統(tǒng)效率,還能簡(jiǎn)化整體架構(gòu)。
電感量與電流之間的關(guān)系受到多種因素的影響。首先,電感器的結(jié)構(gòu)、材料、尺寸等參數(shù)會(huì)影響電感量的大小。其次,環(huán)境溫度、磁場(chǎng)強(qiáng)度等外部條件也會(huì)對(duì)電感量產(chǎn)生影響。此外,電路中的其他元件,如電阻、電容等,也會(huì)與電感器產(chǎn)生相互作用,從而影響電感量與電流之間的關(guān)系。
在鋁基板中,絕緣層最為關(guān)鍵,是鋁基板最核心的技術(shù),既要粘合銅箔,又要具有良好的導(dǎo)熱性,因?yàn)殇X基板絕緣層是熱傳導(dǎo)的最大障礙,如果銅箔的熱傳導(dǎo)得不快,鋁基板就會(huì)失去意義。
在進(jìn)行集成塊直流電壓或直流電阻測(cè)試時(shí)要規(guī)定一個(gè)測(cè)試條件,尤其是要作為實(shí)測(cè)經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄時(shí)更要注意這一點(diǎn)。通常把各電位器旋到機(jī)械中間位置,信號(hào)源采用一定場(chǎng)強(qiáng)下的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)。當(dāng)然,如能再記錄各功能開關(guān)位置,那就更有代表性。
鋰電池過(guò)放是指電池在放電過(guò)程中,電壓降至過(guò)低的狀態(tài)。過(guò)放會(huì)導(dǎo)致電池內(nèi)部的正負(fù)極材料發(fā)生不可逆的變化,從而影響電池的容量和性能。同時(shí),過(guò)放還可能引發(fā)電池內(nèi)部短路或熱失控等安全問(wèn)題。雖然過(guò)放狀態(tài)下電池也有可能發(fā)生析鋰現(xiàn)象,但相較于過(guò)充,其風(fēng)險(xiǎn)相對(duì)較低。
MOS 管在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生一定的熱量,尤其是在大功率應(yīng)用場(chǎng)景中,熱量的積累如果不能及時(shí)散發(fā)出去,會(huì)使 MOS 管的結(jié)溫不斷升高。當(dāng)結(jié)溫超過(guò)其額定結(jié)溫時(shí),MOS 管的性能會(huì)受到嚴(yán)重影響,甚至?xí)?dǎo)致器件損壞。散熱不良可能是由于散熱片選型不當(dāng)、散熱片與 MOS 管之間的導(dǎo)熱硅脂涂抹不均勻、電路板的散熱設(shè)計(jì)不合理等原因造成的。
電磁干擾,這一電子器件中的常見問(wèn)題,究竟是如何產(chǎn)生的呢?干擾的形成機(jī)制相當(dāng)復(fù)雜,主要分為共模和差模兩種方式。共模干擾,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),就是由場(chǎng)磁感應(yīng)等傳輸實(shí)驗(yàn)所引發(fā),對(duì)受試設(shè)備和線路都會(huì)產(chǎn)生影響。
PCB蝕刻技術(shù)概述PCB蝕刻技術(shù)是指在印制電路板制造過(guò)程中,通過(guò)腐蝕性化學(xué)藥液對(duì)面板上的銅箔進(jìn)行刻蝕,從而實(shí)現(xiàn)線路和圖形的制作。該技術(shù)涉及水平式噴淋蝕刻、水平式真空蝕刻、垂直蝕刻以及浸潤(rùn)蝕刻等技術(shù)類型。
單片機(jī)的存儲(chǔ)空間與嵌入式處理器相比,確實(shí)不在一個(gè)量級(jí)。單片機(jī)通常僅配備幾KB的片內(nèi)存儲(chǔ),且由于外設(shè)限制,難以大幅增加如eMMC等外設(shè)。而嵌入式處理器則通常擁有幾百兆的RAM,這種嵌入式處理器具備更大存儲(chǔ)能力,支持更多應(yīng)用程序,特別是在網(wǎng)絡(luò)和圖形處理方面。
對(duì)程序進(jìn)行優(yōu)化,通常是指優(yōu)化程序代碼或程序執(zhí)行速度。優(yōu)化代碼和優(yōu)化速度實(shí)際上是一個(gè)予盾的統(tǒng)一。一般是優(yōu)化了代碼的尺寸,就會(huì)帶來(lái)執(zhí)行時(shí)間的增加;如果優(yōu)化了程序的執(zhí)行速度,通常會(huì)帶來(lái)代碼增加的副作用。很難魚與熊掌兼得,只能在設(shè)計(jì)時(shí)掌握一個(gè)平衡點(diǎn)。