關(guān)于晶體部份：

1、晶體到MCU的兩條線不要太細(xì)，盡量短直，且這兩條線與兩個(gè)負(fù)載電容所包圍的面積要越小越好，電容地端，最好單獨(dú)用較寬的走線單獨(dú)引至MCU振蕩地，不要與大面積地銅箔相連;

2、晶體背面最好是整片的地銅箔，不要走其它線，也不要在晶體正面上方走別的線;

3、有的MCU與不適合的晶體配合，振幅過(guò)高，產(chǎn)生截頂失真，便會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的基波及強(qiáng)烈的諧波輻射，這種情況需在Xout上造近MCU一端串幾十至幾百歐電阻，讓振幅峰峰值降至VCC的1/2~2/3為宜;

高速線，一般是SDRAM、及數(shù)字視頻信號(hào)的VCLK了，最好在其走線背面有地銅層，沒(méi)有條件的，至少要有一條較寬的地線“護(hù)送”，能包地就更理想了，有的時(shí)候需要在靠MCU一端串電阻，消除過(guò)沖(過(guò)沖對(duì)輻射影響很大)，不要串得太大，以免引起延遲;還有就是背面不要有平行的線，正面也是;另外就是USB，要走差分線;

低速較長(zhǎng)的線，也不容忽視，盡可能用RC抑制高頻分量，靠近對(duì)外的接口處，要串磁豬, 電源進(jìn)線處，串小的共模電感

總而言之，輻射過(guò)強(qiáng)是較大的dv/dt，及較大的環(huán)路面積引起，想辦法抑制電壓瞬變，降低信號(hào)過(guò)沖，縮小信號(hào)與電流回流的環(huán)路面積。還有就是小天線效應(yīng)

最后的沒(méi)有辦法的辦法，才是屏蔽，成本十分昂貴