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[導(dǎo)讀]集成運(yùn)放電路簡介如前所述,集成運(yùn)放電路是一種高放大倍數(shù),高輸入電阻,低輸出電阻的直接耦合放大電路.由于直接耦合式電路存在的溫漂問題,所以對溫漂影響最大的第一級電路幾乎毫無例外地采用了差動放大形式.為了得到高

集成運(yùn)放電路簡介

如前所述,集成運(yùn)放電路是一種高放大倍數(shù),高輸入電阻,低輸出電阻的直接耦合放大電路.由于

直接耦合式電路存在的溫漂問題,所以對溫漂影響最大的第一級電路幾乎毫無例外地采用了差動放

大形式.為了得到高放大倍數(shù),中間級大多采用了共射(共源)放大電路,并常常設(shè)計(jì)成有源負(fù)載以獲得

更高的放大倍數(shù).同時(shí)為了提高帶負(fù)載能力,多采用互補(bǔ)型跟隨式輸出級電路.運(yùn)放電路一般多由二至

三級放大環(huán)節(jié)組成,這是因?yàn)榧墧?shù)越多,輸出與輸入信號之間相移越大,引入負(fù)反饋以后,越容易產(chǎn)生

自激振蕩,使得電路無法正常工作.級數(shù)少一級,則比較容易采取簡單的方法消除可能產(chǎn)生的自激振蕩.

(有關(guān)自激振蕩見本書4.6節(jié).)

下面我們介紹兩種型號的集成運(yùn)放電路.一種是由雙極型晶體管組成的集成運(yùn)放--F007;另一種是

由場效應(yīng)管組成的集成運(yùn)放--C14573.

3.3.1 F007雙極型集成運(yùn)放

F007是目前國內(nèi)比較通用的集成運(yùn)放.我們準(zhǔn)備簡單介紹它的原理電路圖,工作原理,分析計(jì)算它的

電壓放大倍數(shù),輸入輸出電阻等項(xiàng)性能.它的原理圖如圖所示.圖中各引出端所標(biāo)數(shù)字為組件的管腳編號.

一.電路組成

F007的組成框圖如圖所示,由三級放大環(huán)節(jié)和偏置電路等組成.下面分別進(jìn)行介紹.

輸入級已在圖中示出.T1~T4組成共集-共基組態(tài)的差動放大電路,T5~T7組成有源負(fù)載.T8,T9電流源

提供T1,T2的偏置電流IC8,另一路IC9與T10,T11組成的微電流源IC10配合為T3,T4提供偏置電流I34.這樣

做的目的是為了抑制溫度漂移.其過程是:當(dāng)溫度升高使IC1,IC2增加從而使IC8,IC9增加時(shí),由于IC10基

本恒定,則I34減少,使IB3,IB4減少,將IE1,IE2,及IC1,IC2的增加降下來,使他們基本穩(wěn)定.輸入級是雙端

輸入(b1,b2)單端輸出(c4)形式.

中間級由T16,T17復(fù)合管組成的帶有源負(fù)載(T13)的共射電壓放大電路.

輸出級是由T14和T18,T19復(fù)合管組成的準(zhǔn)互補(bǔ)電路.T15和R7,R8構(gòu)成UBE倍增電路,設(shè)置靜態(tài)偏置,以

克服交越失真.D1和D2起過流保護(hù)作用,其原理如下:當(dāng)輸出信號為正且輸出電流在額定值以內(nèi)時(shí),D1管不

導(dǎo)通;若輸出電流過大,則R9上壓降變大,使D1管兩端電壓上升而導(dǎo)通,造成對iB14的分流,則限制了iE14的

增大.D2的作用與D1一樣,它是在信號為負(fù)值時(shí)起保護(hù)作用.由于T14和T18的特性不同,所以R9和R10也不相

等.

基準(zhǔn)電流IR由T11,T12和R5確定,然后通過鏡像電流等關(guān)系確定其他支路的偏置電流.外接電位器Rw起

調(diào)零作用,如前圖中的Rw.

二.工作原理

1.靜態(tài)分析

靜態(tài)分析時(shí)先抓住基準(zhǔn)電流IR,然后再求其他支路的電流.

我們在前例中已計(jì)算出IR=0.73mA,IC10=28uA,IC12=IC13=0.365mA.

由IC10可求出IC8,IE1等電流.這個關(guān)系比較復(fù)雜,因?yàn)樗鼈兓ハ嘤绊?我們可以聯(lián)立方程求解.根據(jù)廠

家提供的硅PNP管的貝塔值貝塔P=4,可求出IC8=21.6uA.則IE1=0.5*(IC8+2*IC8/貝塔P)=16.2uA.設(shè)貝塔1=

150,則IB1=100nA.

其他支路的電流就不再列出數(shù)值了.

2.交流性能分析

輸入級的計(jì)算如前例,得Aiu=-2.46*10的-4次方S,Ri=975k.

第二,三級的等效電路如圖所示.我們設(shè)外接負(fù)載電阻包括R9(或R10)在內(nèi)為2k.廠家提供貝塔16=100,貝塔

17=貝塔14=150.

則R13=(1+貝塔14)*(RL+R9)=300k

根據(jù)計(jì)算,rce17=rce13=274k

^UO2=-^IO1*貝塔16*貝塔17*(rce17||rce13||R13)

=-1.41*10的9次方*^IO1

Aui=-1.41*10的9次方

設(shè)輸出級電壓放大倍數(shù)接近1,則總的電壓放大倍數(shù)Au為

Au=^UO/^UI=(^IO1/^UI)*(^UO2/^IO1)*(^UO/^UO2)

=Aiu*Aui*1

=3.5*10的5次方=110dB

按照如圖所標(biāo)的電壓極性,Au為正值,則"+"端為同相輸入端,表示它的極性與輸出端極性相同;"-"端

為反相輸入端,表示與輸出端極性相反.

電路的輸入電阻即第一級的輸入電阻,Ri=975k約=1M.

電路的輸出電阻Ro=R9+(rbe14+(rce13||rce17))/(1+貝塔14)約=(rce13||rce17)/貝塔14=1k.

電容C是相位補(bǔ)償電容,約30pF.它的作用是消除自激振蕩,其工作原理將在后面介紹.

F007的各項(xiàng)性能指標(biāo)見附錄3D.

3.3.2 C14573 CMOS型集成運(yùn)放

C14573是由場效應(yīng)管組成的集成運(yùn)放電路.由于采用N溝道與P溝道互補(bǔ)的場效應(yīng)管,故稱為CMOS(即

互補(bǔ)MOS)型.與雙極型晶體管組成的集成運(yùn)放相比,CMOS集成運(yùn)放具有輸入電阻高,集成度高,電源適用范

圍寬等特點(diǎn).C14573是四個運(yùn)放制作在同一塊基片上并封裝成一個器件的,他們具有相同的溫度系數(shù),可

以很方便地進(jìn)行補(bǔ)償而組成性能較好的電路.

如圖所示是C14573中一個運(yùn)放的原理電路.下面結(jié)合此電路進(jìn)行分析.

一.電路組成

根據(jù)與晶體管的對應(yīng)關(guān)系可看出,這是兩級放大電路,全部都是增強(qiáng)型MOS管.

第一級是由T3,T4(P溝道管)組成的共源差動放大電路.T5和T6(N溝道管)構(gòu)成的鏡像電流源作為有源

負(fù)載.T2作為電流源提供偏置電流.

第二級是由T8組成的帶有源負(fù)載(T7)的共源放大電路.

T2和T7的電流由T1確定,這是一個多路電流源電路,T1的電流大小是通過外接電阻R確定的.

電容C與F007中的C作用一樣,也是起相位補(bǔ)償作用的.

VDD與VSS為直流電源,他們的差值要求不大于15v,不小于5v,可以是單電源供電(正或負(fù)),也

可以正負(fù)電源不對稱.但要注意,輸出電壓的范圍將隨電源的選擇而改變.

二.工作原理

確定電路的靜態(tài)電流只須先確定流過T1的電流IR,其他的電流則可隨之而定了.設(shè)T1的開啟電

壓為UGS(th),則IR=(VDD+VSS-UGS(th))/R.IR一般多選為20~200uA.

下面分析交流性能.

第一級的電路與前圖所示電路原理是一樣的.我們可以直接求出Aiu.設(shè)T3,T4參數(shù)相同,T5,T6

參數(shù)相同,則

Aiu=^IO1/^UI=-2*^ID4/^UI=-gm4

由于第二級是接在T8管的柵源之間,Ri2很大,而第一級的輸出電阻是rDS4||rDS6,所以第一級

的電壓放大倍數(shù)

Au1=-gm4*(rDS4||rDS6)

第二級為有源負(fù)載共源放大電路,很容易求出在負(fù)載開路時(shí)的電壓放大倍數(shù)為

Au2=-gm8*(rDS7||rDS8)

Au=Au1*Au2=gm4*gm8*(rDS4||rDS6)*(rDS7||rDS8)

此電路輸出開路時(shí)的電壓放大倍數(shù)可達(dá)10的4次方(即80dB)以上.由于它的輸出電阻比較大,故

帶負(fù)載能力較差.但它多用于場效應(yīng)管為負(fù)載的電路或負(fù)載電阻較高的場合,故作為電壓放大電路還

是很好的.

以圖中所示的電壓極性,得到Au為正值,則標(biāo)"+"為同相輸入端,標(biāo)"-"為反相輸入端.

C14573輸入電阻很高,輸入的靜態(tài)電流約為1nA.

由于VDD和VSS可在一定范圍內(nèi)選擇數(shù)值,所以輸出電壓范圍可變,一般為:下陷值=-VSS+1.05V,上

限值=VDD-2V.

擴(kuò)展閱讀:集成運(yùn)放使用常識與應(yīng)用實(shí)例常用的集成運(yùn)放整理

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