據國外媒體報道，IBM及其合作伙伴周一宣布，它們已經研發(fā)出一項關鍵材料，可以削減下一代32納米處理器的制造成本。IBM的合作伙伴包括AMD、索尼、東芝和三星等公司。

　　IBM主管芯片研發(fā)中心的副總裁加里·帕頓(Gary Patton)表示，應用這一基于鉿元素的專利材料之后，芯片廠商將可以采用與打造常規(guī)芯片同樣的生產流程來設計32納米產品。保持生產流程不變，意味著無需對工廠進行大規(guī)模調整，從而可以大幅削減成本。

　　英特爾不久前推出了45納米芯片，該公司目前正在開發(fā)32納米芯片，預計將于2009年推出，與IBM及其合作伙伴的時間表相同。不過，根據自己的需求，英特爾和IBM聯盟采用了不同的方法。Envisioneering集團研究總監(jiān)理查德·達赫迪(Richard Doherty)表示，英特爾自己設計和生產x86處理器，因此該公司采用的方法適合自己的系統。

　　與之相比，IBM聯盟需要一種可以跨越不同生產系統的方法。達赫迪說：“英特爾無需過多地改變自己的設計，或者進行定制設計。而對于IBM所采用的方法而言，可定制是一個最大的特點?！眱纱箨嚑I開發(fā)的芯片都將用于消費電子產品和PC，而IBM還有可能將其新技術應用于下一代Power芯片，主要面向高端服務器。IBM開發(fā)的新技術還適用于更多特殊用途，例如高速數據交換和數據中心互連等等。

　　IBM開發(fā)的新技術可以有效地解決圍繞晶體管的一個難題。為了打造更高性能的芯片，芯片廠商一直在努力縮小晶體管的體積，以在單一硅片上安放更多晶體管。例如，一個英特爾32納米芯片上將包含20億個晶體管，而一個英特爾45納米芯片也包括2億個晶體管。但是，隨著晶體管的體積不斷縮小，電泄漏也更加嚴重，導致處理器發(fā)熱和功耗過大的問題日益突出。從某種程度上講，電泄漏已經成為阻礙處理器性能進一步提升的瓶頸。

　　為了解決這一問題，芯片廠商開始在晶體管中采用高電介質金屬柵極技術來代替多晶硅。IBM及其合作伙伴此次開發(fā)的新材料可以經受生產過程中的高溫，這在芯片生產流程中非常重要。在此之前，為了避免基于鉿元素的材料過熱，芯片廠商只能將其最后加入，而傳統的多晶硅材料通常最先加入。這一生產流程的變化增加了芯片廠商的生產成本。

　　盡管開發(fā)出了新材料，IBM及其合作伙伴仍然預計首款32納米芯片要到2009年下半年才能面世。帕頓表示：“盡管還有一些問題沒有解決，但主體工作已經完成。我們的合作伙伴有信心按期完成自己的工作?！?