EDA
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AI 服務(wù)器對(duì)電感器的需求分析及選型建議
在人工智能技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下，AI 服務(wù)器作為承載核心運(yùn)算的關(guān)鍵設(shè)備，其性能表現(xiàn)至關(guān)重要。而電感器，作為 AI 服務(wù)器電源管理和信號(hào)處理的重要元件之一，對(duì)服務(wù)器的高效穩(wěn)定運(yùn)行起著不可忽視的作用。深入剖析 AI 服務(wù)器對(duì)電感器的需求，并合理選型，成為提升 AI 服務(wù)器性能與可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
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DDR2/DDR3 設(shè)計(jì)中阻抗控制的必要性
在當(dāng)今高速發(fā)展的電子信息時(shí)代，DDR2 和 DDR3 作為廣泛應(yīng)用的內(nèi)存技術(shù)，其性能優(yōu)劣直接影響著電子設(shè)備的整體表現(xiàn)。而在 DDR2/DDR3 的設(shè)計(jì)過(guò)程中，阻抗控制已成為一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和高速數(shù)據(jù)傳輸能力起著決定性作用。
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過(guò)孔尺寸：小并非總是美，工藝極限需兼顧
過(guò)孔由鉆孔(drill hole)以及外圍焊盤(pán)共同構(gòu)成，其尺寸的選擇需嚴(yán)格遵循以下原則：內(nèi)徑與外徑規(guī)范：全通過(guò)孔的內(nèi)徑應(yīng)大于等于 0.2mm(8mil)，外徑則應(yīng)大于等于 0.4mm(16mil);在極限情況下，外徑可縮小至 0.35mm(14mil)。
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如何做I/O Pin的靜電放電測(cè)試
靜電放電即ESD(Electro-Staticdischarge)，是指具有不同靜電電位的物體互相靠近或直接接觸引起的電荷轉(zhuǎn)移。
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低功耗靜態(tài)驗(yàn)證工具EnFortius?凝鋒?：支持UPF3.1的超大規(guī)模設(shè)計(jì)漏洞定位
在當(dāng)今集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，低功耗設(shè)計(jì)已成為關(guān)鍵需求，特別是在移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等對(duì)功耗敏感的應(yīng)用中。然而，隨著芯片設(shè)計(jì)規(guī)模的不斷擴(kuò)大和復(fù)雜度的增加，低功耗設(shè)計(jì)中的漏洞定位變得愈發(fā)困難。EnFortius?凝鋒?低功耗靜態(tài)驗(yàn)證工具應(yīng)運(yùn)而生，其支持UPF3.1標(biāo)準(zhǔn)，為超大規(guī)模設(shè)計(jì)中的低功耗漏洞定位提供了強(qiáng)大的解決方案。
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常用的采樣示波器測(cè)量?主要包括哪些
示波器的存儲(chǔ)深度是指示波器單次觸發(fā)所能采集和存儲(chǔ)的采樣點(diǎn)數(shù)量，決定了儀器能夠捕獲和分析信號(hào)的時(shí)間長(zhǎng)度和細(xì)節(jié)。
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EDA上云實(shí)踐：分布式驗(yàn)證與彈性算力調(diào)度技術(shù)解析
在集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具是不可或缺的。隨著芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜度的不斷提高，對(duì)計(jì)算資源的需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。傳統(tǒng)的本地計(jì)算模式面臨著算力瓶頸、成本高昂以及資源利用率低等問(wèn)題。將EDA上云，利用云計(jì)算的分布式驗(yàn)證與彈性算力調(diào)度技術(shù)，成為解決這些問(wèn)題的有效途徑。
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自動(dòng)駕駛芯片的可靠性驗(yàn)證：多傳感器數(shù)據(jù)融合與功能安全協(xié)同設(shè)計(jì)
在自動(dòng)駕駛技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下，自動(dòng)駕駛芯片作為核心部件，其可靠性驗(yàn)證至關(guān)重要。多傳感器數(shù)據(jù)融合為自動(dòng)駕駛提供了全面的環(huán)境感知，而功能安全則保障了車(chē)輛在各種情況下的安全運(yùn)行。將多傳感器數(shù)據(jù)融合與功能安全進(jìn)行協(xié)同設(shè)計(jì)，并開(kāi)展可靠性驗(yàn)證，是確保自動(dòng)駕駛芯片穩(wěn)定、安全工作的關(guān)鍵。
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RISC-V生態(tài)下的EDA工具適配：從開(kāi)源協(xié)議棧移植到高性能驗(yàn)證
在RISC-V生態(tài)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具的適配成為推動(dòng)其廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵。RISC-V的開(kāi)源特性為EDA工具帶來(lái)了新的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，從開(kāi)源協(xié)議棧移植到實(shí)現(xiàn)高性能驗(yàn)證，是構(gòu)建完整RISC-V設(shè)計(jì)流程的重要環(huán)節(jié)。
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量子EDA工具鏈初探：糾錯(cuò)電路綜合與量子門(mén)映射算法設(shè)計(jì)
隨著量子計(jì)算技術(shù)的飛速發(fā)展，量子電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具鏈的重要性日益凸顯。量子糾錯(cuò)電路綜合與量子門(mén)映射算法作為量子EDA工具鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)于實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定、高效的量子計(jì)算至關(guān)重要。本文將深入探討這兩個(gè)方面的內(nèi)容，并給出相關(guān)代碼示例。
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AI賦能的DRC違規(guī)分類(lèi)：機(jī)器學(xué)習(xí)自動(dòng)定位百萬(wàn)級(jí)設(shè)計(jì)問(wèn)題
在電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）領(lǐng)域，設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（DRC）是確保芯片設(shè)計(jì)符合制造工藝要求的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。隨著芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜度的不斷提高，DRC違規(guī)數(shù)量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，傳統(tǒng)的人工檢查方法已難以滿(mǎn)足高效、準(zhǔn)確的需求。機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）技術(shù)的興起為DRC違規(guī)分類(lèi)和定位帶來(lái)了新的機(jī)遇，通過(guò)訓(xùn)練模型自動(dòng)識(shí)別和分類(lèi)違規(guī)問(wèn)題，能夠顯著提高檢查效率和準(zhǔn)確性。
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左移（Shift Left）策略實(shí)踐：Calibre DesignEnhancer的早期EMIR簽核驗(yàn)證
在集成電路（IC）設(shè)計(jì)領(lǐng)域，隨著工藝節(jié)點(diǎn)的不斷縮小和設(shè)計(jì)復(fù)雜度的急劇增加，傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)驗(yàn)證流程面臨著巨大的挑戰(zhàn)。左移（Shift Left）策略作為一種新興的設(shè)計(jì)方法，旨在將驗(yàn)證活動(dòng)提前到設(shè)計(jì)流程的早期階段，以便盡早發(fā)現(xiàn)和解決問(wèn)題，從而降低后期修復(fù)成本，提高設(shè)計(jì)質(zhì)量和效率。Calibre DesignEnhancer作為一款先進(jìn)的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具，提供了強(qiáng)大的早期EMIR（電遷移/電壓降/可靠性）簽核驗(yàn)證功能，為左移策略的實(shí)施提供了有力支持。
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硅生命周期管理（SLM）在3D IC中的應(yīng)用：從流片到部署的數(shù)據(jù)閉環(huán)策略
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，3D集成電路（3D IC）憑借其高集成度、低功耗和卓越性能等優(yōu)勢(shì)，成為推動(dòng)電子系統(tǒng)持續(xù)進(jìn)步的關(guān)鍵力量。然而，3D IC的復(fù)雜結(jié)構(gòu)以及日益嚴(yán)苛的性能和可靠性要求，使得在其整個(gè)生命周期內(nèi)進(jìn)行持續(xù)維護(hù)和優(yōu)化變得至關(guān)重要。硅生命周期管理（SLM）作為一種新興范式，通過(guò)監(jiān)控、分析和優(yōu)化半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試和部署過(guò)程，為3D IC的發(fā)展提供了有力支持。
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Chiplet間高速鏈路信號(hào)完整性仿真：光電混合建模與S參數(shù)提取技術(shù)
隨著芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜度的提升，Chiplet（芯粒）技術(shù)憑借其高良率、低成本和異構(gòu)集成優(yōu)勢(shì)成為行業(yè)焦點(diǎn)。然而，Chiplet間通過(guò)高密度互連（如硅中介層或再分布層RDL）實(shí)現(xiàn)的高速鏈路，面臨信號(hào)完整性的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。特別是在數(shù)據(jù)速率達(dá)到56Gbps甚至更高的場(chǎng)景下，串?dāng)_、反射和損耗等問(wèn)題尤為突出。本文將探討光電混合建模與S參數(shù)提取技術(shù)在Chiplet間高速鏈路信號(hào)完整性仿真中的應(yīng)用。
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2.5D/3D IC電源完整性挑戰(zhàn)：mPower工具的多物理場(chǎng)協(xié)同分析方案
隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)入7nm/5nm之后，2.5D/3D IC憑借先進(jìn)封裝（Interposer、TSV）實(shí)現(xiàn)Die - to - Die互連，成為后摩爾時(shí)代提升系統(tǒng)效能、縮小芯片面積并整合不同功能的核心驅(qū)動(dòng)力。然而，2.5D/3D IC的電源完整性面臨諸多挑戰(zhàn)，如高功耗、散熱問(wèn)題以及熱應(yīng)力形變等。在此背景下，mPower工具憑借其多物理場(chǎng)協(xié)同分析能力，為解決這些問(wèn)題提供了有效方案。
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