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[導(dǎo)讀]本文介紹的電路僅僅是個(gè)LED驅(qū)動(dòng)電路,完善的電路應(yīng)有EMI濾波電路及功率因數(shù)校正電路。220V市電的應(yīng)用電路是個(gè)非隔離型LED驅(qū)動(dòng)電路,在試驗(yàn)、調(diào)試、測(cè)量時(shí)要注意安全,必須關(guān)斷電源(220VAC)后才能更換元器件,以防止觸電!

近年來(lái),LED的品種不斷增加,性能逐年提高,應(yīng)用領(lǐng)域更為廣泛。在大屏幕LCD的背光照明、汽車(chē)內(nèi)外照明、公共場(chǎng)所照明、建筑的內(nèi)外裝飾燈照明、城市景點(diǎn)的亮麗工程等方面獲得了很大的發(fā)展。為了達(dá)到更大的亮度及更好的可靠性,1~3W大功率LED逐步被采用。


LED的推廣應(yīng)用促使LED驅(qū)動(dòng)器相應(yīng)地發(fā)展。在城市中采用市電(220V交流電)來(lái)驅(qū)動(dòng)大功率LED是最方便的。Supertex公司在2005年首先推出HV9921/22/23系列,可用市電來(lái)驅(qū)動(dòng)小功率LED(驅(qū)動(dòng)電流為20~50mA)。隨著LED的功率增加,Supertex公司又開(kāi)發(fā)出用市電供電,能輸出1A恒流驅(qū)動(dòng)電流的LED驅(qū)動(dòng)控制器HV9910,并在2007年推出了HV9910的改進(jìn)型,型號(hào)為HV9910B(HV9910已停產(chǎn))。它增加了功能及提高了性能,這對(duì)大功率LED的推廣應(yīng)用起了良好作用。本文將介紹HV9910B及其應(yīng)用。

特點(diǎn)及應(yīng)用領(lǐng)域
HV9910B是一種通用LED驅(qū)動(dòng)控制器。它的“通用性”是最大的特點(diǎn),體現(xiàn)如下。
● 它可以用國(guó)際通用的市電(85~265VAC)供電,也可以用12~24VDC(或48VDC)蓄電池或太陽(yáng)能電池供電;
● 輸入的直流電壓范圍極寬,為8~450V;
● 輸出的恒流驅(qū)動(dòng)電流范圍極寬,從幾十mA到1A以上,既能驅(qū)動(dòng)小功率LED,也能驅(qū)動(dòng)大功率LED;
● 它可以方便地組成降壓式、升/降壓式架構(gòu),以滿足不同供電電壓的需求;
● 它可以驅(qū)動(dòng)1個(gè)LED到上百個(gè)LED;
● 輸出功率從幾W到幾十W。


除了上述通用性特點(diǎn)外,該驅(qū)動(dòng)控制器還有如下特點(diǎn)。


● 轉(zhuǎn)換效率高,可達(dá)85%~90%;
● 組成的驅(qū)動(dòng)器電路簡(jiǎn)單,外圍元器件少,不僅占PCB面積小,并且生產(chǎn)成本低;
● 內(nèi)部有能輸入450VDC高壓、輸出7.5V的線性穩(wěn)壓器。無(wú)須外接降壓電阻,使電路更簡(jiǎn)單,并可輸出作模擬調(diào)光電路的電流;
● 有兩種工作模式:恒定頻率模式及恒定關(guān)斷時(shí)間(off-time)模式;
● 開(kāi)關(guān)頻率由用戶設(shè)定(外接一個(gè)設(shè)定頻率的電阻RT);
● 有兩種調(diào)光方式:模擬調(diào)光方式和PWM調(diào)光方式;
● 輸出驅(qū)動(dòng)電流大小用一個(gè)外設(shè)電阻RCS設(shè)定。
該LED驅(qū)動(dòng)控制器組成的驅(qū)動(dòng)電路除主要應(yīng)用于市電供電驅(qū)動(dòng)多個(gè)串聯(lián)的大功率LED燈外,同樣也適用于用蓄電池供電的汽車(chē)內(nèi)外照明及標(biāo)志燈(轉(zhuǎn)彎、叉車(chē)、倒車(chē))或太陽(yáng)能電池供電的場(chǎng)合(航標(biāo)燈、路燈等)。


除了用于照明外,該LED驅(qū)動(dòng)器還可用作通用恒流漂及電池充電器方面的應(yīng)用。

封裝與引腳功能

圖1 HV9910B引腳排列


HV9910B有8引腳及16引腳兩種,8引腳的有DIP及SOIC封裝,16引腳的只有SOIC封裝,其引腳排列如圖1所示,各引腳功能如表1所示。16引腳中注NC的引腳為空腳。


表1  HV9910B各引腳功能

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SOIC-8DIP SOIC-16 符號(hào) 功能
1 1 VIN 工作電壓輸入端8~450VDC
2 4 CS ILED檢測(cè)端,外接電流采樣電阻RCS到GND
3 5 GND 電源地,也是內(nèi)部電路的地
4 8 GATE 外接MOSFET開(kāi)關(guān)的柵極
5 9 PWMD PWM調(diào)光輸入端,也是使能端。此端加高電平時(shí),GATE端輸出高電平,MOSFET導(dǎo)通;此端加低電平時(shí),MOSFET關(guān)斷,無(wú)輸出


6 12 VDD 內(nèi)部7.5V穩(wěn)壓電源輸出端,此端接一個(gè)低ESR的電容到地(電容量2.2~4.7μF),采用多層陶瓷電容(MLCC)


7 13 LD 模擬調(diào)光輸入端,輸入0~250mV調(diào)光電壓,調(diào)節(jié)LED亮度
8 14 RT 外接開(kāi)關(guān)管工作頻率設(shè)定電阻RT。恒定頻率模式時(shí),另一端接地;恒定關(guān)斷時(shí)間模式時(shí),RT另一端接GATE


主要參數(shù)
HV9910B的主要參數(shù):輸入直流電壓VIN=8~450V;關(guān)閉模式時(shí)(PWMD端加低電平)耗電0.5~1mA;內(nèi)部穩(wěn)壓電源輸出電壓VDD=7.5V±0.25V;欠壓鎖存閾值電壓VUVLO=6.7V(典型值);PWMD的高電平電壓VEN(H)>2V、PWMD端的低電平電壓VEN(L)<0.8V;輸入低頻PWM信號(hào),改變占空比可調(diào)光;電流檢測(cè)端(CS)的閾值電壓VCS(TS)=250mV;內(nèi)部消隱電路延遲時(shí)間TBLANK=215ns(典型值);振蕩器頻率fosc?。?5~150)kHz;內(nèi)部MOSFET驅(qū)動(dòng)電流為±165mA;柵級(jí)輸出的上升、下降時(shí)間典型值為30ns。

兩種工作模式的選擇
HV9910B有恒定頻率模式及恒定關(guān)斷時(shí)間兩種模式,選擇何種模式取決于驅(qū)動(dòng)器的輸出電壓VOUT(VLED)與輸入電壓VIN的比值。在降壓式架構(gòu)中,VIN總是大于VOUT,其比值即占空比D=VOUT/VIN。若D<0.5時(shí),采用恒定頻率模式;若D>0.5時(shí),則采用恒定關(guān)斷時(shí)間模式。如果在D>0.5時(shí)仍采用恒定頻率模式工作,驅(qū)動(dòng)器將進(jìn)入次諧波振蕩狀態(tài),將會(huì)引起輸出電流下降及紋波電流增加的不穩(wěn)定狀態(tài)。
采用恒定頻率模式如圖2所示,RT接在RT與GND之間;采用恒定關(guān)斷時(shí)間模式時(shí),RT接在RT與GATE之間,如圖3所示。

圖2 恒定頻率工作模式

圖3 恒定關(guān)斷時(shí)間工作模式

恒定頻率模式的參數(shù)選擇及計(jì)算
一種市電220VAC供電按、恒定頻率模式工作的LED驅(qū)動(dòng)電路如圖4所示,該電路不調(diào)光,LD端及PWMD端必須接VDD。有關(guān)參數(shù)及選擇及計(jì)算如下。


1全波整流橋(或整流二極管)的選擇
全波整流橋的耐壓VBRI及正向電流IBRI的計(jì)算公式為
VBRI=1.5(√2 VLINEmax)      (1)
IBRI=VOmax×IOmax/VINmin×η (2)
式中,VLINEmax為最大市電電壓、VOmax為輸出最大電壓、IOmax為輸出最大電流、VINmin是輸入最小直流電壓、η為驅(qū)動(dòng)器的轉(zhuǎn)換效率(η一般在0.85~0.9之間)。公式(1)中的1.5是安全系數(shù)。


例如,采用220V市電,有±10%的允差,即VLINEmax= 242VAC,VLINEmix=198VAC,則VBRI=1.5×(√2×242)=513.2V。若VOmax=40V,IOmax=350mA,VINmin=√2 198V,η=0.85,則IBRI=40V×0.35A/√2 ×198×0.85=0.06A。因此可選600V/0.5A的全橋,或選4×4007二極管組成全波整流電路。


2 濾波電容C1的計(jì)算
全波整流后的電壓波形是“饅頭波”,需濾波電容C1作平滑濾波,C1的計(jì)算公式為
  (3)
式中,freq是市電的頻率(freq=50Hz)。
若VOmax=40V,IOmax=0.35A,VLINEmix=198VAC,VINmin=×198V,η=0.85,則帶入式(3)得,C1≥13.9μF。則可取10μF/400V的鋁電解電容器和4.7μF/400V的鋁電解電解并聯(lián)。如果要求驅(qū)動(dòng)器體積小,則可用1個(gè)10μF/400V,其輸出紋波稍大些。

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3 開(kāi)關(guān)管頻率的選擇
開(kāi)關(guān)管頻率fosc與電感器的大小有關(guān),在220V市電供電時(shí),fosc一般取25~150kHz。確定額定頻率的外接電阻RT與fosc關(guān)系為


fosc=25000/[RTkΩ+22](kHz)   (4)


若fosc選100kHz,代入式(4),RT=228kΩ。


4 檢測(cè)電流(IOmax)電阻RCS的計(jì)算


RCS與流過(guò)LED的電流IOmax(ILEDmax)的關(guān)系式為
RSC=0.25/(1.15×IOmax)(Ω)    (5)


例如,IOmax=0.35A,則代入式(5),得RSC為0.62Ω。


5 電感器L1的計(jì)算
電感器的電感量取決于流過(guò)LED的紋波電流。若紋波電流占ILED的30%(±15%),L1的計(jì)算式為
(6)
式中,VLINEnom為輸入交流市電的額定值,即VLINEnom=220VAC。
若VOmax=40V、VLINEnom= 220VAC、IOmax=0.35A、fosc= 100kHz,則L1=3.31mH,可取3.3mH。
電感的峰值電流IP為
IP=IOmax×1.15(A)          (7)
則在IOmax=0.35A時(shí),IP=0.35 ×1.15=0.4A。
在選擇3.3mH電感量時(shí),其飽和電流應(yīng)大于IP×1.3。即飽和電流應(yīng)大于0.4A×1.3>1.52A。


6 選擇開(kāi)關(guān)管Q1及續(xù)流二極管D1
開(kāi)關(guān)管為N溝通功率MOSFET,其最大的耐壓VFET(VDSS)為


VFET=1.5(VLINEmax)(V)      (8)
若VLINEmax=242V,則VFET為513V。


MOSFET最大的漏極電流IFET(ID)=IOmax×(A)                (9)
若IOmax=0.35A,則IFET為0.247A。但在選擇Q1時(shí),其ID要選約為3倍的IFET,即選ID=1A的MOSFET。
為減小開(kāi)關(guān)管Q1的損耗,應(yīng)選擇導(dǎo)通電阻RDS(ON)?。ㄒ话闳DS(ON)<1Ω)、柵極電容Qg小的MOSFET,可提高轉(zhuǎn)換效率并可減小散熱片的尺寸。

圖4 外部器件的選取


根據(jù)上述計(jì)算可選擇STD5NM50,其主要參數(shù)為:VDSS=500V、RDS(ON)<0.8Ω、ID=7.5A,Qg=13nC。
續(xù)流二極管D1的耐壓與VFET相同,其電流IDIODE為
IDIODE=0.5×IOmax(A)       (10)
可選擇600V/1A的快速恢復(fù)二極管,如STTH2R06。其主要參數(shù):VRRM=600V、IR(AV)=2A、VF=1V、trr=35ns(典型值)。

恒定關(guān)斷時(shí)間模式的參數(shù)選擇
這里舉例說(shuō)明恒定關(guān)斷時(shí)間模式的參數(shù)選擇及計(jì)算。輸入時(shí)直流電壓,其額定值是12V,允差為+4V、-3V,即VINnom=12V,VINmin=9V,VINmax=16V。負(fù)載為兩個(gè)串聯(lián)的1W白光LED,其VF=3.4,即VINmin=4.6V、Vonom=6.8V,Vomax=8V;Iomax= 350mA。期望的效率η=0.85。其電路如圖5所示。

圖5 HV9910B應(yīng)用電路


1關(guān)斷時(shí)間tOFF的計(jì)算
關(guān)斷時(shí)間tOFF為
tOFF=(1-VOnom/VINnom)×1000/foscnom(μs)                     (11)
式中,foscnom為開(kāi)關(guān)管頻率的額定值。若foscnom設(shè)為100kHz,則tOFF=4.33μs。


2 RT的計(jì)算
RT的計(jì)算公式為
RT=(tOFF×25)-22(kΩ)       (12)
將tOFF代入式(12)得
RT=(4.33×25)-22=86.25kΩ


3 電感L1的計(jì)算
設(shè)輸出電流中紋波的峰值為30% IOmax,則L1可按下式計(jì)算。
L1=(6.8×4.33)/(0.3×0.35) =280.4μH
可取標(biāo)準(zhǔn)值330μH的電感,其飽和電流取1.3倍IOmax以上,可取330μH/0.6A的電感。


4 電阻RCS的計(jì)算
RCS=0.25/(IOmax+Vonom×tOFF/2L1)(Ω)                           (14)
在本例中,代入已知數(shù)得RCS=0.63Ω。
5 開(kāi)關(guān)管Q1及續(xù)流二極管D1的選擇
開(kāi)關(guān)管Q1的耐壓VFET=1.5VINmax,其IFET=IOMAX×。按已知條件代入得VFET=24V、IFET=0.33A。一般選MOSFET的ID>3IFET,VDSS取大于VFET的N-MOSFET,如FDS8447或FDCS5612。
續(xù)流二極管的耐壓與MOSFET相同,電流可取1A的肖特基二極管1N5819(40V/1A)。
在恒定管段時(shí)間工作模式中,開(kāi)關(guān)管的工作頻率不是恒定的,隨VI、VO的變動(dòng)而變動(dòng),所以設(shè)定的開(kāi)關(guān)頻率foscnom是個(gè)恒定值。

結(jié)語(yǔ)
本文介紹的電路僅僅是個(gè)LED驅(qū)動(dòng)電路,完善的電路應(yīng)有EMI濾波電路及功率因數(shù)校正電路。220V市電的應(yīng)用電路是個(gè)非隔離型LED驅(qū)動(dòng)電路,在試驗(yàn)、調(diào)試、測(cè)量時(shí)要注意安全,必須關(guān)斷電源(220VAC)后才能更換元器件,以防止觸電!

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