Vishay推出三款雙單刀雙擲 (SPDT) 單片 CMOS 模擬開(kāi)關(guān)，這些器件在尺寸較小的封裝中結(jié)合了低工作電壓范圍及低導(dǎo)通電阻額定值，它們主要面向便攜式及電池供電終端產(chǎn)品中的信號(hào)路由應(yīng)用。 

這些新型 DG2731、DG2732 及 DG2733 模擬開(kāi)關(guān)可用于手機(jī)、PDA、便攜式媒體播放器、揚(yáng)聲器耳機(jī)、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器及調(diào)制解調(diào)器。 

這三款新型模擬開(kāi)關(guān)在 1.6V～4.3V 的單電源工作電壓范圍內(nèi)工作，在最大功率時(shí)它們的導(dǎo)通電阻值僅為 0.4 歐姆，而 delta rON 僅為 0.03 歐姆，因此可降低失真以及提高信號(hào)保真度。這些器件可與 1.6V 的邏輯器件兼容，并可與低壓 DSP 或 MCU 控制邏輯器件輕松連接，從而使其非常適用于從單芯鋰離子電池直接供電的應(yīng)用。 

如按照 JESD78 標(biāo)準(zhǔn)所測(cè)試的，憑借Vishay 的亞微米 CMOS 低壓工藝技術(shù)，這些器件的鎖定保護(hù)高于 300mA。當(dāng)打開(kāi)時(shí)，它們可在兩個(gè)電源軌內(nèi)以等同的良好效果雙向傳導(dǎo)信號(hào)，當(dāng)關(guān)閉時(shí)，它們會(huì)阻塞信號(hào)，并達(dá)到電源電平，并且具有先斷后接保護(hù)。這些器件的開(kāi)關(guān)速度非常快，在 4.3V 時(shí)打開(kāi)時(shí)間為 50ns，關(guān)閉時(shí)間為 14ns。 

這些器件的其中兩個(gè)開(kāi)關(guān) — DG2731 與 DG2732 — 具有帶反向控制邏輯的單獨(dú)控制引腳。DG2731 具有兩個(gè)在正常情況下為斷開(kāi)狀態(tài)的開(kāi)關(guān)以及兩個(gè)為閉合狀態(tài)的開(kāi)關(guān)，而 DG2732 具有三個(gè)在正常情況下為斷開(kāi)狀態(tài)的開(kāi)關(guān)以及一個(gè)為閉合狀態(tài)的開(kāi)關(guān)。如同 DG2731，DG2733 也有兩個(gè)在正常情況下為斷開(kāi)狀態(tài)的開(kāi)關(guān)以及兩個(gè)為閉合狀態(tài)的開(kāi)關(guān)，該器件還帶有在邏輯電壓較高時(shí)可啟用它的 EN 引腳。  

所有這三款器件均具有可縮小終端產(chǎn)品尺寸的兩種小型封裝選擇：帶有無(wú)鉛 (Pb) 鎳鈀金合金器件端子（以“-E4”后綴表示）的 DFN-10 封裝，以及帶有同樣無(wú)鉛的 100% 霧錫端子（后綴為“-E3”）的 MSOP-10 封裝。這兩種類型的端子均符合有關(guān)回流焊及 MSL 額定值的所有 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。這些器件的工作溫度范圍均為 -40°C～+85°C。