[導讀]德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款針對寄存式雙列直插式存儲器模塊 (RDIMM)的鎖相環(huán) (PLL) 集成式 DDR3 寄存器的量產(chǎn)版本。
德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款針對寄存式雙列直插式存儲器模塊 (RDIMM)的鎖相環(huán) (PLL) 集成式 DDR3 寄存器的量產(chǎn)版本。該器件在廣泛的電壓與溫度范圍內(nèi)實現(xiàn)了恒定的時鐘與輸出延遲，從而實現(xiàn)了較高的系統(tǒng)穩(wěn)定性。單芯片四排模塊支持不僅能夠節(jié)省總體板級空間，而且還降低了功耗，從而能夠滿足服務器、工作站與存儲設備的要求。
SN74SSQE32882 28 位至 56 位寄存緩沖器可在 1.5 V VDD 下工作，并支持奇偶校驗功能，以確?？煽啃?。該器件支持 800 Mbps 至 1,333 Mbps 的高數(shù)據(jù)速率，從而實現(xiàn)了更高的靈活性，并可在一個模塊上支持多達 72 個 DRAM。
其他關鍵特性包括：
• CKE 關斷模式；
• 控制模式寄存器；
• 輸出驅(qū)動器強度控制；
• 工作頻率：300 至 670 MHz。
SN74SSQE32882 超出了美國電子工程設計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會 (Joint Electron Device Engineering Council) 就整個溫度與電壓范圍內(nèi)的穩(wěn)定性定義的規(guī)范要求，這就保證了高性能服務器系統(tǒng)的可靠性。
TI 的 DDR3 寄存器壯大了主要 DDR2 寄存器與 PLL 器件（如 CDCUA877 與 SN74SSTUB32866）的產(chǎn)品陣容。此外，TPS51116 與 TPS51100 DC/DC 控制器還顯著減少了支持 DDR 系統(tǒng)所有電源管理要求所需的外部組件數(shù)。
采用 176 焊球 MicroStar™ BGA 封裝的 SN74SSQE32882 現(xiàn)已開始供貨。
SN74SSQE32882 28 位至 56 位寄存緩沖器可在 1.5 V VDD 下工作，并支持奇偶校驗功能，以確?？煽啃?。該器件支持 800 Mbps 至 1,333 Mbps 的高數(shù)據(jù)速率，從而實現(xiàn)了更高的靈活性，并可在一個模塊上支持多達 72 個 DRAM。
其他關鍵特性包括：
• CKE 關斷模式；
• 控制模式寄存器；
• 輸出驅(qū)動器強度控制；
• 工作頻率：300 至 670 MHz。
SN74SSQE32882 超出了美國電子工程設計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會 (Joint Electron Device Engineering Council) 就整個溫度與電壓范圍內(nèi)的穩(wěn)定性定義的規(guī)范要求，這就保證了高性能服務器系統(tǒng)的可靠性。
TI 的 DDR3 寄存器壯大了主要 DDR2 寄存器與 PLL 器件（如 CDCUA877 與 SN74SSTUB32866）的產(chǎn)品陣容。此外，TPS51116 與 TPS51100 DC/DC 控制器還顯著減少了支持 DDR 系統(tǒng)所有電源管理要求所需的外部組件數(shù)。
采用 176 焊球 MicroStar™ BGA 封裝的 SN74SSQE32882 現(xiàn)已開始供貨。
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關鍵字： IDC BSP 數(shù)字化 數(shù)據(jù)中心
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