由于全球金融危機和半導體行業(yè)的周期性波動，全球半導體產品出貨量從 08年4季度到09年1季度經歷了大幅下滑，主要經濟體的半導體產品出貨量都降到5年以來的最低水平。隨著經濟復蘇，半導體行業(yè)實現(xiàn)了強勁復蘇并步入景氣上升階段，到09年4季度半導體產品的出貨量基本恢復到08年的最高水平。

在2010年，整個半導體產業(yè)經歷了非常高的景氣階段，全球各主要經濟體的半導體產品出貨量都屢創(chuàng)新高，進入3季度以后，需求依然非常強勁，出貨量仍在高點。

過去幾年，中國功率器件市場一直保持增長，中國已經成為全球最大的功率器件市場，隨著中國工業(yè)化的深入以及經濟持續(xù)發(fā)展，功率器件在未來幾年仍將保持增長。而處在增長期的IGBT作為第三代功率器件，由于其開關快、損耗低、通態(tài)電流較大等諸多優(yōu)點，將在未來幾年保持高速的增長。

電力電子器件的發(fā)展經歷了晶閘管（SCR）、可關斷晶閘管（GTO）、晶體管（BJT）、絕緣柵晶體管（IGBT）等階段。目前正向著大容量、高頻率、易驅動、低損耗、模塊化、復合化方向發(fā)展，與其他電力電子器件相比，IGBT 具有高可靠性、驅動簡單、保護容易、不用緩沖電路和開關頻率高等特點。

目前，應用在中壓大功率領域的電力電子器件，已形成GTO、IGCT、OGBT、IEGT相互競爭不斷創(chuàng)新的技術市場，在大功率（1MW），低頻率（1kHz）的傳動領域，如電力牽引機車領域 GTO、IGCT、IGBT 各有優(yōu)勢，而在高載波頻率、高斬波頻率下，IGBT、IEGT有著廣闊的發(fā)展前景，在現(xiàn)階段中壓大功率變頻領域將由這4種電力電子器件構成其主流器件。另外，IGBT在所能應用的范圍正在大范圍的替代了傳統(tǒng)的晶閘管（SCR）、可關斷晶閘管（GTO）、晶體管（BJT）等器件。

處在增長期的 MOSFET 和 IGBT 則市場上長期由外資廠商占據(jù)，由于MOSFET的前端生產工藝同IGBT類似，在國內許多廠商做成功生產出MOSFET系列產品之后將可以轉而試生產IGBT，目前，中環(huán)股份、華微電子、士蘭微等都將量產出貨，而東光微電也有可能盡快做出IGBT樣品。

由于未來幾年工業(yè)化持續(xù)深入，IGBT 最大的應用領域工業(yè)控制領域將保持持續(xù)的較高速度增長；同時，由于電磁爐、微波爐、變頻家電以及數(shù)碼相機等產品的快速發(fā)展，消費電子已經成為IGBT的第二大應用領域，在產品數(shù)量上甚至已經超過了工控領域IGBT數(shù)量，但是價格相對較低，所以市場規(guī)模低于工控領域；值得注意的是，由于變頻家電在整個國內市場的滲透率還比較低，所以還有巨大的發(fā)展空間；在汽車電子方面，IGBT 已經全面替代達林頓管成為點火裝臵的首選器件，而IGBT也將隨著汽車在國內的發(fā)展保持較高速度的增長；此外，作為關鍵的功率半導體器件，IGBT 在電力傳送、列車牽引、太陽能及風能發(fā)電以及新能源汽車方面的應用將明顯受益于國家的智能電網(wǎng)、高鐵建設及新能源建設等宏觀政策。此外，由于 IGBT 本身的技術不斷進步以及各國對能源問題的重視，IGBT 將在中高壓大電流領域替代部分的SCR和GTO產品。