1、功率MOSFET常規(guī)的開關特性 功率MOSFET在開通的過程中,當VGS的驅(qū)動電壓從VTH上升到米勒平臺VGP時間段t1-t2,漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流,VGS和ID保持由跨導GFS所限制的傳輸特性曲線的關系,而VDS的電壓保持不變,這一個時間區(qū)域稱為di/dt,主要由
IDC發(fā)布2019年全年全球服務器市場數(shù)據(jù), 2019年全球服務器出貨量和銷售額分別為1174萬臺和873億美元,同比輕微下降0.9%和1.7%。 2019年全球服務器市場的銷售額前三名分別為戴爾、HPE、浪潮,戴爾銷售額同比下降6.9%,份額為17.8%,HPE銷售額下降8.4%,份額為1
功率MOSFET的輸出電容是非常重要的一個參數(shù),讀過功率MOSFET數(shù)據(jù)表的工程師應該注意到:輸出電容Coss會隨著外加電壓VDS的變化而變化,表現(xiàn)出非線性的特性,那么為什么會有這樣的特性? ? 眾所周知,當電容二端的電壓增加時,就會形成對電容的充電電流,電容二
TV、戶外LED照明等功率比較大的電源系統(tǒng)中,通常輸入端使用PFC功率因素校正電路。系統(tǒng)反復起動的過程中,如系統(tǒng)動態(tài)老化Burn In測試、輸入打火測試,由于PFC控制芯片的供電VCC電源建立過程比較慢,特別是使用PFC的電感繞組給PFC控制芯片供電的情況,會導致功
佳木秀
289117336
Tronlong創(chuàng)龍
xiaozhu601
peteryzm
SIASGUOJIe
bulusii
123456lyf
szlessing
大有可為
魁北克之眼
w541164212
xiaoguaixh
ELEVENHYX
zm218wri
江蘇勇敢的心
好的米么
kwf123
zhaochengBZ
liqinglong1023
圓手
農(nóng)創(chuàng)權
本站介紹 歡迎投稿 隱私聲明 廣告業(yè)務 網(wǎng)站地圖 聯(lián)系我們 誠聘英才
21ic電子網(wǎng) 2000- 版權所有
京ICP備11013301號 京公網(wǎng)安備 11010802024343號