隨著開關(guān)電源技術(shù)的不斷成熟,其應(yīng)用領(lǐng)域得到進(jìn)一步拓寬。開關(guān)電源與傳統(tǒng)串聯(lián)連續(xù)穩(wěn)壓電源相比,在效率、電磁污染、體積及可靠性等方面都得到了較大的改善。另一方面,最新的固態(tài)調(diào)頻廣播發(fā)射機(jī)
該開關(guān)電源屬于小功率開關(guān)電源,輸入220V交流市電,輸出12V直流電,最大輸出電流1.3A,主要應(yīng)用于小型設(shè)備的供電,比如樓宇監(jiān)控設(shè)備等。其電原理圖如圖1所示。其控制核心器件
瑞薩科技公司(以下簡稱瑞薩)推出12款第10代、面向服務(wù)器、通信設(shè)備和工業(yè)設(shè)備等應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)電源中使用的隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器*1的功率MOSFET產(chǎn)品。新型功率MOSFET在降低開關(guān)損耗*2、提高能效的同時,還具有很寬的電壓容差
摘要:在由高性能數(shù)字信號處理器構(gòu)建的系統(tǒng)中,供電模塊的設(shè)計是很重要的一個部分。以ADSP-TSl01為例,對應(yīng)用電源芯片TPS54312和TPS54616設(shè)計出符合要求的供電模塊進(jìn)行了詳細(xì)介紹。首先對3種供電方式進(jìn)行了對比和原理
在電源設(shè)計中,為提高能效,通常采用同步整流,即用MOSFET取代二極管整流器,從而降低整流器兩端壓降和導(dǎo)通損耗,提供更高的電流能力,實現(xiàn)更高的系統(tǒng)能效。然而,傳統(tǒng)的同
我們常常會發(fā)現(xiàn),自己想當(dāng)然的一些規(guī)則或道理往往會存在一些差錯。電子工程師在電路設(shè)計中也會有這樣的例子。下面是一位工程師總結(jié)的八大誤區(qū)點。現(xiàn)象一:這板子的PCB設(shè)計要
0 引言 IGBT 即絕緣門極雙極型晶體管( IsolatedGate Bipolar Transistor), 這是八十年代末九十年代初迅速發(fā)展起來的一種新型復(fù)合器件。由于它將MOSFET和GTR的優(yōu)點集于一身, 具有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性
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