開(kāi)關(guān)電源在調(diào)頻廣播發(fā)射機(jī)中的應(yīng)用

隨著開(kāi)關(guān)電源技術(shù)的不斷成熟，其應(yīng)用領(lǐng)域得到進(jìn)一步拓寬。開(kāi)關(guān)電源與傳統(tǒng)串聯(lián)連續(xù)穩(wěn)壓電源相比，在效率、電磁污染、體積及可靠性等方面都得到了較大的改善。另一方面，最新的固態(tài)調(diào)頻廣播發(fā)射機(jī)

新型太陽(yáng)能充電器的研究與設(shè)計(jì)

分析、設(shè)計(jì)了一種利用簡(jiǎn)單的硬件電路實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)電池恒壓跟蹤功能的新型太陽(yáng)能充電系統(tǒng)。本系統(tǒng)以電流型脈沖寬度調(diào)制芯片TL494為控制核心，采用典型的電壓、電流雙閉環(huán)調(diào)節(jié)方式，使系統(tǒng)具有良好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度和穩(wěn)態(tài)精度。

明偉12V開(kāi)關(guān)電源電路原理分析

該開(kāi)關(guān)電源屬于小功率開(kāi)關(guān)電源，輸入220V交流市電，輸出12V直流電，最大輸出電流1.3A,主要應(yīng)用于小型設(shè)備的供電，比如樓宇監(jiān)控設(shè)備等。其電原理圖如圖1所示。其控制核心器件

基于D類音頻放大器的程控交流電源的設(shè)計(jì)

本設(shè)計(jì)采用D類音頻放大器構(gòu)成程控交流電源，只需對(duì)音頻放大器的輸入幅度控制就可以得到高純度正弦交流電壓。本文給出了所研制的程控交流電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖，并且給出了每級(jí)的波形。其主電路由D類音頻放大器+半橋和LC濾波器組成。

8 通道 LED 驅(qū)動(dòng)器 LT3760(Linear)

凌力爾特公司 (Linear ) 推出 8 通道 LED 驅(qū)動(dòng)器 LT3760，該器件采用一個(gè)升壓型 DC/DC 控制器，每個(gè)通道能驅(qū)動(dòng)高達(dá) 45V 的 100mA LED 串。其內(nèi)部 60V、1MHz DC/DC 升壓型控制器設(shè)計(jì)成面向多達(dá) 80 個(gè)白光 LED 的恒定電

鋰離子電池充電器擴(kuò)流電路設(shè)計(jì)

大功率軟開(kāi)關(guān)移相全橋變換器的研究

為了解決移相全橋變換器的占空比丟失嚴(yán)重和開(kāi)關(guān)管電壓應(yīng)力增大的問(wèn)題，提出適用于大功率移相全橋變換器的主電路拓?fù)洌M(jìn)行了原理分析，完成了1000A大功率直流穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)。

升壓IC可提升白光LED的電池電壓

白光 LED 正一路殺入白熾燈以前大行其道的許多市場(chǎng)。閃光燈進(jìn)入了更新型的應(yīng)用領(lǐng)域,其中其所展顯出的可靠性、耐久性以及 LED 功耗控制能力使這些器件極具吸引力。在采用白熾燈時(shí),對(duì)器件的電源管理只是簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)切

面向隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器的低損耗功率MOSFET (瑞薩科技)

瑞薩科技公司（以下簡(jiǎn)稱瑞薩）推出12款第10代、面向服務(wù)器、通信設(shè)備和工業(yè)設(shè)備等應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)電源中使用的隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器*1的功率MOSFET產(chǎn)品。新型功率MOSFET在降低開(kāi)關(guān)損耗*2、提高能效的同時(shí)，還具有很寬的電壓容差

基于高性能數(shù)字信號(hào)處理器的供電模塊設(shè)計(jì)

摘要：在由高性能數(shù)字信號(hào)處理器構(gòu)建的系統(tǒng)中，供電模塊的設(shè)計(jì)是很重要的一個(gè)部分。以ADSP-TSl01為例，對(duì)應(yīng)用電源芯片TPS54312和TPS54616設(shè)計(jì)出符合要求的供電模塊進(jìn)行了詳細(xì)介紹。首先對(duì)3種供電方式進(jìn)行了對(duì)比和原理

安森美半導(dǎo)體推出先進(jìn)的同步整流控制器FAN6248

在電源設(shè)計(jì)中，為提高能效，通常采用同步整流，即用MOSFET取代二極管整流器，從而降低整流器兩端壓降和導(dǎo)通損耗，提供更高的電流能力，實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)能效。然而，傳統(tǒng)的同

給電子工程師的忠告：電路設(shè)計(jì)中你要是這么做就錯(cuò)了！

我們常常會(huì)發(fā)現(xiàn)，自己想當(dāng)然的一些規(guī)則或道理往往會(huì)存在一些差錯(cuò)。電子工程師在電路設(shè)計(jì)中也會(huì)有這樣的例子。下面是一位工程師總結(jié)的八大誤區(qū)點(diǎn)?，F(xiàn)象一：這板子的PCB設(shè)計(jì)要

解析最佳DC/DC電源模塊設(shè)計(jì)方案

目前，許多電信、數(shù)據(jù)通信、電子數(shù)據(jù)處理，特別是無(wú)線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)采用分布式電源架構(gòu)供電。這些復(fù)雜的系統(tǒng)要求電源管理解決方案能夠監(jiān)控電源，直至每個(gè)精確的參數(shù)。為達(dá)到這種性能水平，大部分設(shè)計(jì)采用FPGA、微處理器、

基于ZVS平均電流型500W大功率電路設(shè)計(jì)方案

1結(jié)構(gòu)原理通常情況下，輸入電壓范圍寬的PFC升壓型轉(zhuǎn)換器由于其開(kāi)關(guān)損耗的增加，往往要損失很大的輸出功率。而使用零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)技術(shù)則可大大減少功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗，從

分析影響IGBT驅(qū)動(dòng)電路性能參數(shù)的因素

0 引言　　IGBT 即絕緣門極雙極型晶體管( IsolatedGate Bipolar Transistor)， 這是八十年代末九十年代初迅速發(fā)展起來(lái)的一種新型復(fù)合器件。由于它將MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身， 具有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性