提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu),該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層,采用源漏淺結(jié)擴散,形成體接觸的側(cè)面引出,適當(dāng)加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明,該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且,該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價的前提下,通過適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻,從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。
本文是專為功率系統(tǒng)設(shè)計工程師及工程經(jīng)理而設(shè)的連載文章的第一章。我們在未來數(shù)個月將介紹應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換的氮化鎵技術(shù),并討論其基本設(shè)計及輔以應(yīng)用范例。硅器件已稱王多時
摘要: LED 照明具有發(fā)光效率高、節(jié)能等一系列優(yōu)點, 目前得到了廣泛的應(yīng)用。由于LED可控硅調(diào)光具有使用方便、便于實現(xiàn)和使用范圍廣等一系列優(yōu)點, 世界上一些半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)制造公司紛紛推出有關(guān)LED可控硅調(diào)光控
摘要:介紹了一個基于自激式半橋驅(qū)動器IR2135的熒光燈電子鎮(zhèn)流器電路,著重介紹了燈絲預(yù)熱和啟動保護等單元電路的構(gòu)成和的特點,并給出了詳細電原理圖。 關(guān)鍵詞:電子鎮(zhèn)流器;功率因數(shù)校正;燈絲預(yù)熱;重啟動引言熒
現(xiàn)如今家用電器、視聽產(chǎn)品越來越普及,加之辦公自動化的廣泛應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)化的不斷發(fā)展,越來越多的產(chǎn)品具有了待機功能。這些新產(chǎn)品、新技術(shù)在極大方便我們生活的同時,也造成
電壓控制型開關(guān)電源會對開關(guān)電流失控,不便于過流保護,并且響應(yīng)慢、穩(wěn)定性差。與之相比,電流控制型開關(guān)電源是一個電壓、電流雙閉環(huán)控制系統(tǒng),能克服電流失控的缺點,并且性能可靠、電路簡單。據(jù)此,我們用UC3842芯
此時,運放輸出端電壓基本控制在0.6—0.9V之間,即使TL061也可達到0.016%,OP07更可達到0.0001%。如果將運放電源VCC與連接負載的電源VP分開,連接負載的電源VP為24V,
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