摘要:根據(jù)新型直線電機(jī)運(yùn)輸系統(tǒng)的需求,設(shè)計(jì)出了一種具兩級(jí)降壓結(jié)構(gòu)的新型開關(guān)電源。給出了系統(tǒng)主電路結(jié)構(gòu)、器件選型過程、控制系統(tǒng)與控制策略、保護(hù)邏輯以及仿真模型。針對(duì)網(wǎng)側(cè)存在的短時(shí)脫弓現(xiàn)象,提出了相應(yīng)預(yù)防
在完成MOS管芯片在制作之后,需要給MOS管芯片加上一個(gè)外殼,這就是MOS管封裝。該封裝外殼主要起著支撐、保護(hù)和冷卻的作用,同時(shí)還可為芯片提供電氣連接和隔離,從而將MOS管
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出一系列脈寬調(diào)制(PWM)控制器,新產(chǎn)品可讓筆記本電腦電源的設(shè)計(jì)人員滿足嚴(yán)苛的國(guó)際節(jié)能規(guī)范要求,包括強(qiáng)制要求工作模式下最低平均效率達(dá)到87%的能源之星(ENERGY STAR)外部
開關(guān)電容濾波器(Switch Capitor Filter,SCF)是一種由MOS開關(guān)、電容器和運(yùn)算放大器構(gòu)成的離散時(shí)間模擬濾波器,實(shí)際應(yīng)用中,該濾波器可與其他電路集成在同一個(gè)芯片上,通過外部端子的適當(dāng)連接獲得不同的響應(yīng)特性。某些
引言 介質(zhì)阻擋放電(DBD)最早起源于對(duì)臭氧發(fā)生及其應(yīng)用技術(shù)的研究。近二十多年來,由于工業(yè)等離子體化學(xué)合成與分解、環(huán)境污染治理等方面的需求,同時(shí)又由于材料科學(xué)和電力電子技術(shù)等相關(guān)學(xué)科也取得了較大的發(fā)展,
芯朋微熱門產(chǎn)品PN8305M/H同步整流轉(zhuǎn)換器,與該公司PSR產(chǎn)品PN8386配合使用,輕松實(shí)現(xiàn)5V3A六級(jí)能效電源方案。1.封裝及腳位配置圖PN8386封裝及腳位配置圖 PN8386集成超低待
DC/DC轉(zhuǎn)換器的外圍元件選取,直接關(guān)系到電路的電氣性能(包括電壓輸出紋波、輸出帶載能力、功耗)、體積、成本等多方面因素。因此必須在設(shè)計(jì)初期就應(yīng)該對(duì)電源的要求有清晰的了解,為設(shè)計(jì)留下充足的余量
首先要進(jìn)行MOSFET的選擇,MOSFET有兩大類型:N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí),電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間
1 問題的提出 隨著通信與網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的蓬勃發(fā)展,網(wǎng)絡(luò)化、集成化趨勢(shì)正以前所未有的速度和深度影響著我們的生活。UPS電源系統(tǒng)在網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、智能大廈等項(xiàng)目的集成、各行業(yè)的實(shí)時(shí)監(jiān)控、運(yùn)算系統(tǒng)供電質(zhì)量等項(xiàng)目中要求
介紹了功率因數(shù)概念和提高功率因數(shù)的主要方法,總結(jié)和歸納了各種有源功率因數(shù)校正技術(shù).?dāng)⑹隽怂鼈兊幕竟ぷ髟恚治隽烁髯缘膬?yōu)缺點(diǎn)。最后概括了有源功率因數(shù)校正技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。
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