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日本地震將導(dǎo)致七種電子元件價(jià)格上漲

日本地震與海嘯可能導(dǎo)致包括NAND閃存、DRAM、微控制器、標(biāo)準(zhǔn)邏輯、液晶顯示器(LCD)面板、LCD元件和材料在內(nèi)的七種電子元件嚴(yán)重短缺，并進(jìn)而推動(dòng)這些元件的價(jià)格大幅上漲。日本是硅的最大供應(yīng)國(guó)，占全球供應(yīng)的6

電源
2011-03-30

電子元件 BSP LCD面板 DRAM
開(kāi)關(guān)DC-DC轉(zhuǎn)換器的EMI方案

在DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高頻大功率開(kāi)關(guān)可能產(chǎn)生干擾信號(hào)。輸入電源線上的傳導(dǎo)噪聲可以差模或共模噪聲電流形成出現(xiàn)。主要是低頻的差模噪聲，在基頻開(kāi)關(guān)頻率和諧波頻率呈現(xiàn)在輸入電感上。共模噪聲主要有高頻分量，在轉(zhuǎn)移器輸入電感器和地之間量測(cè)，同樣，在開(kāi)關(guān)DC-DC轉(zhuǎn)換器的輸出包含某種噪聲和紋波。恰當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)EMI(電磁干擾)濾波，可降低噪聲到可接受的限度內(nèi)。

電源
2008-04-20

開(kāi)關(guān) 傳導(dǎo) EMI DC-DC轉(zhuǎn)換器
一文讀懂開(kāi)關(guān)電源變壓器

開(kāi)關(guān)電源變壓器是加入了開(kāi)關(guān)管的電源變壓器，在電路中除了普通變壓器的電壓變換功能，還兼具絕緣隔離與功率傳送功能一般用在開(kāi)關(guān)電源等涉及高頻電路的場(chǎng)合。

電源
2019-06-20

電路開(kāi)關(guān)電源電源技術(shù)解析隔離開(kāi)關(guān)
安森美LED解決方案迎對(duì)高亮度LED照明驅(qū)動(dòng)挑戰(zhàn)

近年來(lái)，隨著綠色環(huán)保團(tuán)體不斷擴(kuò)大節(jié)能環(huán)保界線，各個(gè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)組織不斷發(fā)布新的能效標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)，終端產(chǎn)品不斷向更高集成度和更小尺寸的方向發(fā)展，降低能源消耗、提高能源使用效率已經(jīng)成為全球眾多國(guó)家的政府、行業(yè)組織、半導(dǎo)體公司、電子產(chǎn)品制造商及消費(fèi)者所共同關(guān)注的一項(xiàng)焦點(diǎn)。

電源
2011-03-08

安森美照明市場(chǎng) LM LED照明驅(qū)動(dòng)
如何使用負(fù)載分擔(dān)方法提升輸出電流能力

　引言　　在便攜電子設(shè)備等空限受到高度約束的應(yīng)用中，其中一個(gè)主要的集成電路(IC)選擇標(biāo)準(zhǔn)是封裝尺寸。大多數(shù)模擬IC制造商能夠提供空間效率極高的封裝，如uDFN或uCSP。然而，在模擬功率分配方面，這類超小型封裝IC

電源
2009-11-29

精度雙通道輸出電流 DC-DC轉(zhuǎn)換器
基于PM4040F設(shè)計(jì)的1000W全橋開(kāi)關(guān)電源

采用PM4040F制作的千瓦級(jí)開(kāi)關(guān)電源由主電路圖一份,輸出部分有兩個(gè)不同的電路圖，你可以根據(jù)你的需要采用單電壓部分也可以采用雙電壓部分的電路圖與主電路圖構(gòu)成一個(gè)完整的開(kāi)關(guān)電源電路圖。除已經(jīng)標(biāo)注了功率的電阻

電源
2010-06-09

電阻電流開(kāi)關(guān)電源全橋開(kāi)關(guān)
電源：無(wú)輸入整流橋的單級(jí)PFC變換器

摘要：介紹了一種新的單級(jí)功率因數(shù)校正拓?fù)?，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，效率高。采用無(wú)橋Boost實(shí)現(xiàn)PFC功能同時(shí)集成半橋DC/DC變換器。分析了其工作原理并給出了仿真電路圖和結(jié)果，另

電源
2012-08-20

電源整流橋 PFC變換器 BSP
影響開(kāi)關(guān)電源效率的主要因素

中心議題： * 效率估計(jì) * 開(kāi)關(guān)器件的損耗解決方案： * 合理選擇開(kāi)關(guān)電源IC有助于改善系統(tǒng)效率效率是任何開(kāi)關(guān)電源的基本指標(biāo)，任何開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)考首先需要考慮的是效率優(yōu)化，特別是便攜式產(chǎn)品，

電源
2012-03-30

電容 MOSFET 開(kāi)關(guān)電源傳導(dǎo)
關(guān)鍵電源及LED照明應(yīng)用的最新高能效規(guī)范要求、設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)及解決方案

在人們環(huán)保意識(shí)越來(lái)越強(qiáng)的今天，節(jié)能絕不僅僅是熱點(diǎn)議題，更是各國(guó)重要規(guī)范機(jī)構(gòu)和業(yè)界領(lǐng)先廠商切切實(shí)實(shí)的行動(dòng)項(xiàng)目。環(huán)顧我們的工作及生活環(huán)境，那些最常用、最常見(jiàn)或有極具節(jié)能潛力的電子電器自然首先成為節(jié)能行動(dòng)目

電源
2009-12-05

安森美半導(dǎo)體電源照明應(yīng)用 LED照明
Silicon Labs推出低功耗單片機(jī)和無(wú)線MCU解決方案

21ic訊 Silicon Laboratories （芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司）日前宣布推出業(yè)界最節(jié)能單片機(jī)（MCU）和無(wú)線MCU解決方案，該方案特別適用于功耗敏感的嵌入式應(yīng)用。新型C8051F96x MCU、Si102x和Si103x無(wú)線MCU系列產(chǎn)品基于低功耗

電源
2011-12-06

Silicon ABS LAB 無(wú)線MCU
超高頻無(wú)源電子標(biāo)簽芯片的模擬電路設(shè)計(jì)

本文基于ISO/IEC 18000-6C標(biāo)準(zhǔn)，給出了UHF無(wú)源電子標(biāo)簽芯片模擬電路的設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)結(jié)果表明電路具有很高的整流效率，滿足了設(shè)計(jì)要求。下一步的研究將進(jìn)行標(biāo)簽芯片的版圖設(shè)計(jì)和流片，用實(shí)際測(cè)試結(jié)果來(lái)進(jìn)一步驗(yàn)證設(shè)計(jì)的有效性。

電源
2010-03-31

電子標(biāo)簽芯片超高頻模擬電路設(shè)計(jì)
微型無(wú)電感DC-DC升壓式轉(zhuǎn)換器（奧地利微電子）

奧地利微電子公司推出超小型、無(wú)電感DC-DC升壓式轉(zhuǎn)換器AS1302，擴(kuò)展了旗下無(wú)電感升壓式轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品系列。AS1302的輸出電流可高達(dá)30mA，輸入電壓為2.9V至5.15V。新型AS1302從輕載到高負(fù)載的較寬負(fù)載范圍內(nèi)均采用低噪聲

電源
2009-01-09

轉(zhuǎn)換器電感 DC-DC 微型
壓電式器件簡(jiǎn)化振動(dòng)能量收集原理

壓電式器件簡(jiǎn)化振動(dòng)能量收集原理雖然“能量收集”自 2000 年初就已出現(xiàn)，但只是憑借近期的技術(shù)發(fā)展才將其推進(jìn)至商業(yè)化階段。簡(jiǎn)而言之，2010 年我們處在一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)并將迎來(lái)其“成長(zhǎng)”階段。運(yùn)用能量收集技術(shù)的樓宇自動(dòng)

電源
2010-04-19

器件振動(dòng) 能量收集壓電式
省電、高亮度LED需要高性能LED驅(qū)動(dòng)器

　在很多家庭、機(jī)構(gòu)、政府和工業(yè)應(yīng)用中，高亮度 (HB) 白光 LED 正在快速取代白熾燈照明。在很多情況下，較高效率的 LED 可將功耗降低多達(dá) 88%，從而大幅降低給 LED 供電而發(fā)電所需的碳排放量。根據(jù)計(jì)算，如果將傳統(tǒng)白

電源
2010-04-25

投影儀 RGB LED驅(qū)動(dòng)器 DLP
選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達(dá)到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗(yàn)。以手機(jī)為例，隨著智能手機(jī)的功能越來(lái)越多，低功耗設(shè)計(jì)已經(jīng)成為一個(gè)越來(lái)越迫切的問(wèn)題。

電源
2009-04-10

器件封裝 MOSFET 導(dǎo)通電阻