雖然工藝狂魔臺積電口口聲聲7nm/5nm/3nm，但是一個現(xiàn)實問題是，用于10nm以下芯片生產(chǎn)的關鍵技術或者說設備EUV(極紫外光刻)光刻機仍面臨不少商用難題。

昨日在加州舉辦的國際光電工程學會(SPIE)年度會議上，三星和Intel的專家紛紛坦言，EUV推進的困難。

三星表示去年底他們生產(chǎn)出了首款EUV光罩，瑕疵已經(jīng)很少。而Intel則是從1992年就著手開發(fā)，去年底為晶圓廠出貨其首款達到商用品質(zhì)的EUV光罩，目前已經(jīng)參與到14、10和7nm無缺陷網(wǎng)線生產(chǎn)。

在現(xiàn)有的8個核心EUV計劃中，有6項計劃已經(jīng)準備好或即將就緒。英特爾EUV計劃負責人Britt Turkot指出，用于覆蓋EUV晶圓的防塵薄膜仍在開發(fā)中，而用于檢測EUV光罩的新工具也還驗證中。

不過，三星表示，他們?nèi)匀徽J為EUV可用于其7nm制程節(jié)點，而Intel雖然持同樣看法，但表示需等待完全成熟后導入。

目前在最高端的沉浸式光刻機中，荷蘭ASML(阿斯麥)占有80%的份額，其中NXE 3350B是全部14套EUV系統(tǒng)中的絕對主力(累計6套)，而其單價高達6億元人民幣，等同于一臺F35戰(zhàn)斗機的價格。

Intel是3350B最資深的使用者，但是EUV小組專家Britt Turkot稱，雖然其可作業(yè)時間超過了75%，但一旦運行，光罩問題就會層出不窮。