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[導(dǎo)讀]關(guān)于Ivy Bridge在超頻時(shí)溫度大大高于Sandy Bridge這一點(diǎn)早已被證實(shí)。至于具體原因此前分析大概有兩種說(shuō)法,一種是Ivy Bridge制程升級(jí)導(dǎo)致核心面積變小后和頂蓋接觸面積變小,能量/面積的密度提高;另外一種說(shuō)法直接把

關(guān)于Ivy Bridge超頻時(shí)溫度大大高于Sandy Bridge這一點(diǎn)早已被證實(shí)。至于具體原因此前分析大概有兩種說(shuō)法,一種是Ivy Bridge制程升級(jí)導(dǎo)致核心面積變小后和頂蓋接觸面積變小,能量/面積的密度提高;另外一種說(shuō)法直接把矛頭指向Intel 22nm FinFET/tri-gate技術(shù)。Overclockers網(wǎng)站分析認(rèn)為,后一種說(shuō)法缺乏有說(shuō)服力的依據(jù),前一種說(shuō)法看似合理,但不至于導(dǎo)致超頻時(shí)Ivy Bridge溫度比Sandy Bridge高出20度之多。那么具體原因究竟為何?自己動(dòng)手才有真相,根據(jù)拆解結(jié)果Overclockers分析出了相對(duì)合理的原因。

從上圖得知,Intel在核心與頂蓋之間使用了傳統(tǒng)的硅脂,而不是Sandy Bridge上的無(wú)釬焊工藝。查閱工程資料可得,使用無(wú)釬焊時(shí)的導(dǎo)熱率大約是普通硅脂的15-16倍以上。而Intel在Ivy Bridge上的這一改變使得頂蓋直接成為了熱量集中地并且無(wú)法發(fā)揮原本散熱的功效,甚至不如CPU核心直接通過硅脂接觸散熱器:前者為CPU核心—硅脂—頂蓋—硅脂—散熱器,后者為CPU核心—硅脂—散熱器,除硅脂外均為金屬導(dǎo)熱速率很快,頂蓋上下均覆蓋硅脂反而使其成為了累贅。這也解釋了為何Ivy Bridge在液氮等極限超頻情況下并不弱的現(xiàn)象。

那么Intel為何又改為在核心使用硅脂,采用的又是那種硅脂呢?Overclockers就此詢問了Intel,發(fā)言人回復(fù)很有禮貌又簡(jiǎn)潔還不出所料——“秘密配方”。雖然Intel不肯透露硅脂成分,不過從顏色上看起來(lái)它和一般散熱器中搭配的普通產(chǎn)品并無(wú)差別,顏色也不如很多含銀產(chǎn)品深。

實(shí)際上Intel已經(jīng)不是第一次這樣改動(dòng),Overclockers稱E6XXX和E4XXX系列處理器也同樣如此,前者采用的是無(wú)釬焊工藝連接核心與頂蓋,后者同樣為硅脂??傊茈y解釋為何Intel做出這種決定,普通產(chǎn)品倒無(wú)所謂,帶K的超頻專用型號(hào)起碼不應(yīng)該出現(xiàn)這種問題吧?而且“秘密配方”這說(shuō)法還是挺能戳中不少人的笑點(diǎn)的。

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