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[導(dǎo)讀]輸入部分損耗1、脈沖電流造成的共模電感T的內(nèi)阻損耗加大適當(dāng)設(shè)計(jì)共模電感,包括線徑和匝數(shù)2、放電電阻上的損耗在符合安規(guī)的前提下加大放電電阻的組織3、熱敏電阻上的損耗在符合其他指標(biāo)的前提下減小熱敏電阻的阻值啟動損耗普通的啟動方法,開關(guān)電源啟動后啟動電阻回路未切斷,此損耗持續(xù)存在。改善方法:恒流啟動方式啟動,啟動完成后關(guān)閉啟動電路降低損耗。與開關(guān)電源工作相關(guān)的損耗鉗位電路損耗有放電電阻存在,mos開關(guān)管每次開關(guān)都會產(chǎn)生放電損耗改善方法:用TVS鉗位如下圖,可免除電阻放電損耗(注意:此處只能降低電阻放電損耗,漏感能量引起的尖峰損耗是不能避免的)當(dāng)然最根本的改善辦法是,降低變壓器漏感。供電繞組的損耗電源...





輸入部分損耗


1、脈沖電流造成的共模電感T的內(nèi)阻損耗加大適當(dāng)設(shè)計(jì)共模電感,包括線徑和匝數(shù)2、放電電阻上的損耗在符合安規(guī)的前提下加大放電電阻的組織3、熱敏電阻上的損耗在符合其他指標(biāo)的前提下減小熱敏電阻的阻值




啟動損耗


普通的啟動方法,開關(guān)電源啟動后啟動電阻回路未切斷,此損耗持續(xù)存在。
改善方法:恒流啟動方式啟動,啟動完成后關(guān)閉啟動電路降低損耗。




與開關(guān)電源工作相關(guān)的損耗







鉗位電路損耗



有放電電阻存在,mos開關(guān)管每次開關(guān)都會產(chǎn)生放電損耗改善方法:用TVS鉗位如下圖,可免除電阻放電損耗(注意:此處只能降低電阻放電損耗,漏感能量引起的尖峰損耗是不能避免的)
當(dāng)然最根本的改善辦法是,降低變壓器漏感。



供電繞組的損耗


電源芯片是需要一定的電流和電壓進(jìn)行工作的,如果Vcc供電電壓越高損耗越大。改善方法:由于IC內(nèi)部消耗的電流是不變的,在保證芯片能在安全工作電壓區(qū)間的前提下盡量降低Vcc供電電壓!





變壓器的損耗


由于待機(jī)時有效工作頻率很低,并且一般限流點(diǎn)很小,磁通變化小,磁芯損耗很小,對待機(jī)影響不大,但繞組損耗是不可忽略的。



變壓器繞組引起的損耗


繞組的層與層之間的分布電容的充放電損耗(分布電容在開關(guān)MOS管關(guān)斷時充電,在開關(guān)MOS管開通時放電引起的損耗。)

當(dāng)測試mos管電流波形時,剛開啟的時候有個電流尖峰主要由變壓器分布電容引起。

改善方法:在繞組層與層之間加絕緣膠帶,來減少層間分布電容。


開關(guān)管MOSFET上的損耗


mos損耗包括:導(dǎo)通損耗,開關(guān)損耗,驅(qū)動損耗。其中在待機(jī)狀態(tài)下最大的損耗就是開關(guān)損耗。改善辦法:降低開關(guān)頻率、使用變頻芯片甚至跳頻芯片(在空載或很輕負(fù)載的情況下芯片進(jìn)入間歇式振蕩)




整流管上的吸收損耗


輸出整流管上的結(jié)電容與整流管的吸收電容在開關(guān)狀態(tài)下引起的尖峰電流反射到原邊回路上,引起的開關(guān)損耗。另外還有吸收電路上的電阻充放電引起的損耗。
改善方法:在其他指標(biāo)允許的前提下盡量降低吸收電容的容值,降低吸收電阻的阻值。
當(dāng)然還有整流管上的開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗,這應(yīng)該在允許的情況下盡量選擇導(dǎo)通壓降低和反向恢復(fù)時間短的二極管。




輸出反饋電路的損耗



END
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電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

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