隨著全球多樣化的發(fā)展，我們的生活也在不斷變化著，包括我們接觸的各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你一定不知道這些產(chǎn)品的一些組成，比如OpTIMOS?40V低電壓功率MOSFET。

當(dāng)代的電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要高功率密度等級(jí)和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系統(tǒng)級(jí)性能。英飛凌科技股份公司(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)通過專注于強(qiáng)化元器件產(chǎn)品達(dá)到系統(tǒng)創(chuàng)新，來應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。繼2月份推出25V裝置后，英飛凌又推出了OpTIMOS?40V低電壓功率MOSFET，采用源極底置(SD，Source-Down)PQFN封裝，尺寸為3.3mmx3.3mm。這款40VSDMOSFET適用于服務(wù)器的SMPS、電信和OR-ing，還適用于電池保護(hù)、電動(dòng)工具和充電器等應(yīng)用。

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)，F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管)，即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

OpTIMOSSD40V低電壓功率MOSFET提供兩種版本：標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。中央柵極版針對(duì)多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。采用源極底置(SD)PQFN封裝的裝置尺寸為3.3mmx3.3mm，可使RDS(on)大大降低25%，接面與外殼間的熱阻RDS(on)亦獲得大幅改善。

截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏，漏源極之間無電流流過。

SD封裝的內(nèi)部采用上下倒置的芯片。如此一來，讓源極電位(而非汲極電位)能通過導(dǎo)熱片連接至PCB。與現(xiàn)有技術(shù)相比，此版本最終可使RDS(on)大大降低25%。相較于傳統(tǒng)的PQFN封裝，接面與外殼間的熱阻(RthJC)亦獲得大幅改善。SDOpTIMOS可承受高達(dá)194A的高連續(xù)電流。此外，經(jīng)過優(yōu)化的配置可能性和更有效的PCB利用，可實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)靈活性和出色的性能。

導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會(huì)有柵極電流流過。但柵極的正電壓會(huì)將其下面P區(qū)中的空穴推開，而將P區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的P區(qū)表面.

在研究設(shè)計(jì)過程中，一定會(huì)有這樣或著那樣的問題，這就需要我們的科研工作者在設(shè)計(jì)過程中不斷總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，這樣才能促進(jìn)產(chǎn)品的不斷革新。