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[導(dǎo)讀]學(xué)過電路的人都知道柵極,源極,漏極,那么真的能分清柵極,源極,漏極嗎?柵極,源極,漏極,三個(gè)名字是從英文而來的。

學(xué)過電路的人都知道柵極,源極,漏極,那么真的能分清柵極,源極,漏極嗎?柵極,源極,漏極,三個(gè)名字是從英文而來的。

柵極(gate electrode)gate,門的意思,中文翻譯做柵,柵欄。electrode,電極。

源極(source)source資源,電源,中文翻譯為源極。起集電作用的電極。

漏極(drain)drain排出,泄漏,中文翻譯為漏極。起發(fā)射作用的電極。

柵極

由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個(gè)或多個(gè)具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極,起控制陰極表面電場強(qiáng)度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。

源極

源極簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。

漏極

漏極在兩個(gè)高摻雜的P區(qū)中間,夾著一層低摻雜的N區(qū)(N區(qū)一般做得很薄),形成了兩個(gè)PN結(jié)。在N區(qū)的兩端各做一個(gè)歐姆接觸電極,在兩個(gè)P區(qū)上也做上歐姆電極,并把這兩P區(qū)連起來,就構(gòu)成了一個(gè)場效應(yīng)管。

柵極源極漏極怎么區(qū)分

一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者

在兩個(gè)高摻雜的P區(qū)中間,夾著一層低摻雜的N區(qū)(N區(qū)一般做得很薄),形成了兩個(gè)PN結(jié)。在N區(qū)的兩端各做一個(gè)歐姆接觸電極,在兩個(gè)P區(qū)上也做上歐姆電極,并把這兩P區(qū)連起來,就構(gòu)成了一個(gè)場效應(yīng)管。

N型導(dǎo)電溝道結(jié)型場效應(yīng)管的電路符號。

將兩個(gè)P區(qū)的引出線連在一起作為一個(gè)電極,稱為柵極,在N型硅片兩端各引出一個(gè)電極,分別稱為源極和漏極,很薄的N區(qū)稱為導(dǎo)電溝道。共漏極放大電路——源極輸出器

柵極簡稱為G ,源極簡稱為S,漏極簡稱為D。

3DJ6場效應(yīng)管怎樣區(qū)分源極和漏極

3DJ6是國產(chǎn)的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管,該管常見的是金屬圓殼封裝的(外形與3DG6三極管一樣),亦有少數(shù)采用TO-92封裝的。其外形及引腳排列如下圖所示。

3DJ6場效應(yīng)管的外形。

3DJ6場效應(yīng)管的引腳排列。

3DJ6的引腳排列如上圖所示,金屬圓殼封裝是最常見的封裝。3DJ6場效應(yīng)管的主要參數(shù)為:耐壓值為20V,功率PD為100mW,漏極電流IDSS的大小與后綴字母有關(guān),該管后綴字母不同,IDSS也不一樣。3DJ6D的IDSS為0.35~0.5mA,3DJ6E為0.3~1.2mA,3DJ6F為1.0~3.5mA,3DJ6G的IDSS為3.0~6.5mA,3DJ6H為6.0~10mA。

N溝道結(jié)型場效應(yīng)管3DJ6的基本應(yīng)用

3DJ6構(gòu)成的可調(diào)恒流源電路。

3DJ6結(jié)型場效應(yīng)管的輸入阻抗高,輸入噪聲小,以前常用來作為擴(kuò)音機(jī)前級電路的低噪聲放大器和阻抗變換器。在穩(wěn)壓電源電路中,還常用該管代替恒流二極管作為恒流元件,以提高穩(wěn)壓電源的穩(wěn)壓性能。

上圖中,3DJ6和電阻R組成一個(gè)可調(diào)恒流源,RL為負(fù)載電阻(其可以是穩(wěn)壓管或LED等負(fù)載)。本電路只要調(diào)整R的阻值,即可改變恒定電流(即流入負(fù)載的電流)的大小,并且這個(gè)恒定電流的大小幾乎與電源電壓無關(guān)。在電阻R的阻值為0Ω時(shí),輸出的恒定電流最大,此時(shí)該電流就是3DJ6的IDSS。

若需要較大的恒定電流,可以選用IDSS大的3DJ6H。另外,若將多個(gè)3DJ6H并聯(lián)或采用雙極型三極管擴(kuò)流可以獲得數(shù)十mA或上百mA的恒定電流。以上激素柵極,源極,漏極的解析,希望能給大家在學(xué)習(xí)過程中提供幫助。

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在下述的內(nèi)容中,小編將會對mos管的相關(guān)消息予以報(bào)道,如果mos管是您想要了解的焦點(diǎn)之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

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一直以來,MOSFET都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對大家的興趣點(diǎn)所在,小編將為大家?guī)鞰OSFET的相關(guān)介紹,詳細(xì)內(nèi)容請看下文。

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如果正輸入電壓通過柵極,發(fā)射極保持驅(qū)動(dòng)電路開啟。另一方面,如果 IGBT 的柵極端電壓為零或略為負(fù),則會關(guān)閉電路應(yīng)用。

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D是漏極,S是源極,G是柵極,中間的箭頭表示襯底,如果箭頭向里表示是N溝道的MOS管,箭頭向外表示是P溝道的MOS管。

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漏極和源極之間沒有電流流過。當(dāng)VGS超過VTH,MOS管進(jìn)入飽和狀態(tài),此時(shí)漏極電流(ID)達(dá)到最大值,并且不隨VDS的變化而變化。

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動(dòng)態(tài)閾值_芯片設(shè)計(jì)進(jìn)階之路——門級優(yōu)化和多閾值電壓

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