數(shù)月前臺(tái)積電和三星的芯片代工廠相繼投產(chǎn)5 nm EUV工藝制程的芯片，三星宣布其最新的X-Cube 3D IC封裝技術(shù)已經(jīng)可以投入使用，該技術(shù)能提供更快的速度和更好的能源效率。

三星旗下的圓晶廠已經(jīng)使用該技術(shù)進(jìn)行了測試芯片的生產(chǎn)，該技術(shù)可用于7 nm和5 nm工藝制程的芯片生產(chǎn)線。

通過多個(gè)芯片的超薄堆疊，可以制造更緊湊的邏輯半導(dǎo)體，該工藝采用了通硅通(TSV)技術(shù)進(jìn)行垂直電連接，而不是使用導(dǎo)線。由于采用了TSV技術(shù)，芯片中不同堆棧之間的信號(hào)路徑大大減少，提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和能源效率。各種邏輯塊、存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)芯片可以相互堆疊，以創(chuàng)造更緊湊的硅封裝。

這種堆疊封裝的方式就像搭積木一樣將芯片堆起來，由原本的平面堆疊變?yōu)榱Ⅲw堆疊，減少了芯片占用面積，提高了芯片集成度。

臺(tái)積電和英特爾都公布過自家的芯片3D封裝技術(shù)，技術(shù)原理上相似，但是各家的方法并不相同。

三星也表示將繼續(xù)與全球的無晶圓半導(dǎo)體公司合作，將該技術(shù)部署在新一代高性能芯片之中。