本文主要是關于CC1000的相關介紹，并著重對基于FSK調制芯片的CC1000編程進行了詳盡的闡述。

　　CC1000

　　CC1000是根據(jù)Chipcon公司的SmartRF技術，在0.35μm CMOS 工藝下制造的一種理想的超高頻單片收發(fā)通信芯片。它的工作頻帶在315、868及915MHz，但CC1000很容易通過編程使其工作在300～1000MHz范圍內。它具有低電壓（2.3～3.6V），極低的功耗，可編程輸出功率（-20～10dBm），高靈敏度（一般-109dBm），小尺寸（TSSOP-28封裝），集成了位同步器等特點。其FSK數(shù)傳可達72.8Kbps，具有250Hz步長可編程頻率能力，適用于跳頻協(xié)議；主要工作參數(shù)能通過串行總線接口編程改變，使用非常靈活。

　　電路結構

　　在接收模式下，CC1000可看成是一個傳統(tǒng)的超外差接收器。射頻（RF）輸入信號經(jīng)低噪聲放大器（LNA）放大后翻轉進入混頻器，通過混頻器混頻產生中頻（IF）信號。在中頻處理階段，該信號在送入解調器之前被放大和濾波。可選的RSSI信號和IF信號也可通過混頻產生于引腳RSSI/IF。解調后，CC1000從引腳DIO輸出解調數(shù)字信號，解調信號的同步性由芯片上的PCLK提供的時鐘信號完成。

　　在發(fā)送模式下，壓控振蕩器（VCO）輸出的信號直接送入功率放大器（PA）。射頻輸出是通過加在DIO腳上的數(shù)據(jù)進行控制的，稱為移頻鍵控（FSK）。這種內部T/R切換電路使天線的連接和匹配設計更容易。

　　頻率合成器產生的本振信號，在接收狀態(tài)下送入功放。頻率合成器是由晶振（XOSC）、鑒相器（PD）、充電脈沖、VCO以及分頻器（/R和/N）構成，外接的晶體必須與XOSC引腳相連，只有外圍電感需要與VCO相連。

　　基于FSK調制芯片的CC1000編程

　　?CC1000的電路連接?

　　以下是CC1000芯片和單片機的連接框圖和電路圖：

　　

　　

　　具體的管腳功能介紹：?

　　微控制器通過三串行配置口PDATA、PCLK和PALE控制CC1000改變不同模式?，DIO和DCLK是CC100和MCU收發(fā)數(shù)據(jù)信號接口?，MCU通過DIO將數(shù)據(jù)發(fā)送給CC1000芯片，通過DCLK接收將CC1000芯片發(fā)送給MCU的數(shù)據(jù)。微控器能從管腳CHP_OUT（LOCK）監(jiān)視頻率鎖定狀態(tài)。CC100通過RF_IN、RF_OUT來輸出和接收信號給天線。

　　MCU讀寫CC1000寄存器的編程

　　CC1000可通過簡單的三串行接口PDATA、PCLK和PALE進行編程。

　　CC1000主要有36個8位配置寄存器，每個由7位地址尋址。讀/寫位初始化讀或寫的操作。CC1000一個完整的配置要求發(fā)送29個數(shù)據(jù)幀，每個16位（7個地址位1個讀/寫位和8個數(shù)據(jù)位）。

　　PCLK頻率決定了完全配置所需時間，在10MHzPCLK頻率工作下，完成整個配置所需時間少于60μs。在低電位模式下設置時僅需發(fā)射一個幀，所需時間少于μ2s。所有寄存器都可讀。?

　　在每次寫循環(huán)中，16位字節(jié)送入PDATA通道，每個數(shù)據(jù)幀中7個最重要的位（A6：0）是地址位。A6是MSB（最高位），首先被發(fā)送。下一個發(fā)送的位是讀/寫位（高電平寫，低電平讀）在傳輸?shù)刂泛妥x/寫位期間，PALE（編程地址鎖存使能）必須保持低電平，接著傳輸8個數(shù)據(jù)位（D7：0）見圖3。

　　

　　

　　

　　

　　

　　

　　

　　結語

　　關于基于FSK調制芯片的CC1000編程的相關介紹就到這了，如有不足之處歡迎指正。

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