美光控告中國臺灣晶圓代工巨頭聯電幫竊取 DRAM 制程案，12 日臺中地院做出判決，聯電 3 名主管最高遭判刑 6 年半，聯電也被判罰 1 億元（新臺幣）。
臺媒《科技新報》報道，臺中法院 6 月 12 日就全球前 4 大晶圓代工廠之一的臺灣聯電被控，協助福建晉華以竊取美商科技大廠美光（Micron）動態(tài)隨機存取記憶體（DRAM）生產技術一案作出判決，涉案的戎樂天、何建廷、王永銘等 3 人被處以 4 年半到 6 年半的徒刑。
曾經任職臺灣美光總經理與聯電副總的福建晉華總經理陳正坤，檢方以另案進行調查，而聯電被處以新臺幣 1 億元（新臺幣）的罰款。
案件起源于 2016 年，當時聯電與福建晉華集成電路公司簽署技術合作協定，協助福建晉華開發(fā) 32 納米 DRAM 相關制程技術。之后，臺灣美光的 3 名高階主管隨即轉任聯電，引發(fā)商業(yè)間諜案疑云，最終導致美光、聯電與福建晉華之間在美國、中國臺灣以及中國大陸 3 地的司法控訴。
目前，除了臺灣方面已起訴相關人等，美光同樣于美國提告，并在 2018 年 11 月 1 日正式起訴福建晉華、聯電以及陳正坤、何建廷、王永銘共謀竊取、傳輸，以及持有美光的營業(yè)秘密和經濟間諜罪。一旦相關罪名成立，包括陳正坤等被起訴人將面臨經濟間諜罪最重 15 年徒刑以及 500 萬美元罰款。另外，此案還涉及竊取營業(yè)秘密罪，涉案人面臨最重 10 年的徒刑。
值得注意的是，聯電和福建晉華一旦在美國被控罪名成立，可能面臨最高 200 億美元的罰款。
聯電對此表示，并未違反營業(yè)秘密法，將依法對有罪判決及高額罰金提起上訴。
《聯電將對美光案判決提起上訴》
關于臺中地院今天就美光公司控告聯電等人竊取營業(yè)秘密案作出之有罪判決，聯電表示將依法提起上訴。
本次DRAM制程技術之研發(fā)，乃臺灣投審會事先核準之專案，并為聯電以自有技術為出發(fā)點，由三百多位工程師組成的研發(fā)團隊(其中多數為聯電經驗豐富的研發(fā)人員)通力合作，耗時超過二年自主開發(fā)DRAM制程，且保留相關研發(fā)紀錄，期盼經此過程訓練的DRAM研發(fā)人才與研發(fā)結果能根留臺灣。除了工程師們的努力之外，聯電多年累積的研發(fā)經驗及傳承，更是驅動開發(fā)的中流砥柱。
聯電是臺灣第一家半導體公司，一向正派經營，尊重知識產權，對臺灣半導體產業(yè)發(fā)展與人才培養(yǎng)貢獻良多。聯電所有技術均為研發(fā)團隊自主研發(fā)或取得第三人授權。
為有效保護客戶包括營業(yè)秘密在內的知識產權，聯電在營運的每一環(huán)節(jié)皆有健全的資訊分級、存取控制及監(jiān)管機制。聯電并定期對員工施予知識產權保護相關之教育訓練，以提升員工的法遵意識；定期進行稽核，確保員工執(zhí)行業(yè)務符合公司智財權保護政策。除前所述政策及作為外，聯電也持續(xù)引進更為縝密及先進的管理措施及系統，以期能不斷加強并完善智慧財產權之管理。
聯電并未違反營業(yè)秘密法，并將依法對有罪判決及高額罰金提起上訴。在上訴審中，聯電將提出本案調查及審理過程中諸多違反刑事訴訟法規(guī)定的可議之處，譬如偵訊過程中有不當誘導訊問；對聯電有利的陳述未能詳實記載于調查筆錄中；電磁及其他證據在鑒識上不符規(guī)定等等。聯電堅信上訴法院若能依法并公正審酌本案證據，必能證明聯電并未違反營業(yè)秘密法。
《美光科技聲明》
針對此重大違反營業(yè)秘密法之刑事案件，美光欣見臺中地方法院對聯華電子股份有限公司及其涉案三名員工做出有罪判決，我們對臺中地方法院及司法機關的適切處置深表感謝。
美光于過去四十多年已投入數十億美元持續(xù)開發(fā)業(yè)界領先的先進技術，且在臺長期耕耘制程開發(fā)與技術創(chuàng)新，數千名臺灣同仁于此過程中，共同參與研發(fā)公司之智慧財產。美光營業(yè)秘密在臺被竊用，甚至違法輸出，此案對臺灣半導體產業(yè)的整體發(fā)展造成之負面影響甚巨，更危及產業(yè)未來的長期國際競爭力。美光將持續(xù)于全球范圍內強力捍衛(wèi)美光的知識產權不受侵害。
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