2018年，中國進口了超過900億美元的存儲芯片，這其中三星電子、SK海力士和美光電子三分天下，而國內廠商的份額為——0%。

同年7月18日，國產(chǎn)存儲三大勢力之一的合肥長鑫正式投片，產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4，對于中國DRAM產(chǎn)業(yè)來說，這是艱難的第一步。

投片，代表在芯片設計上已達到一定水平，且產(chǎn)品上市指日可待，然而日后產(chǎn)品生產(chǎn)良率和穩(wěn)定度仍有待觀察。

更何況，明年底合肥長鑫的產(chǎn)能最多不過2萬片晶圓/月，即便不考慮明年國際主流是LPDDR4的技術差距問題，2萬片晶圓/月的產(chǎn)能對全球每月上百萬片晶圓的產(chǎn)能來說依然是杯水車薪。

國泰君安電子團隊對日美韓三國的DRAM研發(fā)過程進行了復盤，并對中國在這一次產(chǎn)業(yè)變遷中可以采取的策略進行細致展望。

芯片國產(chǎn)化中不可或缺的DRAM之戰(zhàn)，中國該如何主動出擊，又會帶來哪些投資機會？

1969年，在諾伊斯和摩爾等初代集成電路元勛們的努力下，英特爾成功開發(fā)出第一塊存儲芯片——容量為64個字節(jié)的3101芯片。

次年，英特爾的12號員工特德.霍夫提出了一種新的設計，將DRAM存儲器單元的晶體管從四個減少到三個，成功將存儲空間提升到1024個字節(jié)。

這也就是我們如今所用DRAM的技術原型。

無疑，此時的美國，是第一個吃螃蟹的人。當時個人計算機尚未普及，需求小、價格低使得技術是行業(yè)核心驅動力，商戰(zhàn)也遠遠未及。因此，從1970年的2K可擦除可編程只讀存儲器(Eprom)到1972年世界第一塊靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的推出，再到4K 16K，64KDRAM芯片的先后問世，在技術驅動下，存儲器容量不斷呈指數(shù)級增長。

技術的壁壘也毫無意外地帶來了壟斷，英特爾和MOSTEK等美國公司壟斷了當時的整個市場。

然而不久之后，日本存儲產(chǎn)業(yè)的崛起就打破了原本的競爭格局。

1971年，日本NEC公司推出了DRAM芯片，緊追英特爾的量產(chǎn)DRAM。盡管如此，日本半導體的技術實力和產(chǎn)品性能與美國依然有巨大差距。同期的美國存儲器已經(jīng)用上了超大規(guī)模集成電路（VLSI），而日本還停留在上一代技術大規(guī)模集成電路（LSI）。

為攻破技術壁壘，1970年代的日本政府一手抓“產(chǎn)官學”一體推進本土半導體實力發(fā)展，一手抓進口壁壘搞產(chǎn)業(yè)保護。1976年，由日本政府的通產(chǎn)省牽頭，以日立、三菱、富士通、東芝、NEC五大公司作為骨干，聯(lián)合了日本通產(chǎn)省的電氣技術實驗室（EIL）、日本工業(yè)技術研究院電子綜合研究所和計算機綜合研究所，投資720 億日元，攻堅超大規(guī)模集成電路DRAM的技術難關。