又一國產內存拿下美國授權:最快2021年量產
2020年5月12日,業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布,與領先的半導體IP供應商Rambus Inc. 就RRAM (電阻式隨機存取存儲器) 技術簽署專利授權協(xié)議。
同時,兆易創(chuàng)新還與其同Rambus 以及幾家戰(zhàn)略投資伙伴的合資企業(yè)——合肥睿科微(Reliance Memory)簽署了授權協(xié)議 。根據協(xié)議內容,兆易創(chuàng)新從Rambus和睿科微獲得180多項RRAM技術相關專利和應用,這將有助于兆易創(chuàng)新在新型存儲器RRAM 領域的前瞻性技術布局,從而為嵌入式產品提供更豐富的存儲解決方案。
RRAM作為一種非易失性隨機存儲方式,能夠在改變電壓的前提下,通過改變電介質的電阻進行存儲。RRAM擁有獨特物理與器件特性,可在工藝后端線(BEOL) 以列陣結構制造,其列陣結構的低電壓特性能夠有效降低MCU產品中嵌入式非易失性存儲解決方案的功耗,非常適合物聯網應用; 此外,根據學術界與行業(yè)發(fā)表的相關文獻,在平衡性能、可靠性及成本的方面,RRAM有可能成為在DRAM和Flash之間一種可行的存儲級內存(SCM)。
兆易創(chuàng)新是一家扎根中國,服務全球的國際化公司,兆易創(chuàng)新一直密切關注存儲領域的技術創(chuàng)新,積極進行戰(zhàn)略布局,開拓具有差異化的細分市場。早在2018年5月,兆易創(chuàng)新就攜手Rambus以及其他全球知名半導體投資機構創(chuàng)辦了以RRAM技術為核心業(yè)務的合資公司合肥??莆?。
兆易創(chuàng)新董事長朱一明先生表示:“兆易創(chuàng)新一直以創(chuàng)新為己任,多年來致力新技術革新,強化產品競爭力,重視核心專利, 此次獲得Rambus和??莆⑨槍RAM技術的授權,有助于我們?yōu)榭蛻籼峁└邉?chuàng)新特色的存儲解決方案?!?/span>
Rambus技術合作和企業(yè)發(fā)展高級副總裁Kit Rodgers表示:“兆易創(chuàng)新在全球閃存領域已取得顯著的成績,我們很高興能夠將RRAM專利方案授權給兆易創(chuàng)新,此次授權能夠幫助其在存儲器領域開發(fā)創(chuàng)新型的解決方案,并加速其商用的進程?!?/span>
4月27日,合肥長鑫公司跟Rambus簽署了內存授權協(xié)議,不過沒有公布內存授權的具體內容。今天,Rambus又跟兆易創(chuàng)新簽署了類似的協(xié)議,后者也獲得了內存專利授權,同樣沒有公布具體金額。
免責聲明:本文內容由21ic獲得授權后發(fā)布,版權歸原作者所有,本平臺僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平臺立場,如有問題,請聯系我們,謝謝!