FSMC特性

FSMC管理1GB空間，擁有4個Bank連接外部存儲器
每個Bank有獨立的片選信號
每個Bank有獨立的時序配置

同步批量傳輸訪問最高頻率可達(dá)60MHz
fCLK= HCLK /2

靜態(tài)地址映射存儲器支持的存儲器類型
SRAM
PSRAM
NOR/ONENAND
ROM

LCD接口-支持8080和6800模式

NANDFlash和16位PCCard,NAND Flash具有硬件ECC

FSMC分為四塊BANK，每塊各占256M字節(jié)空間，每塊分為四個區(qū)，每個區(qū)占64M。

NOR/PSRAM 256M字節(jié)的空間需要28根地址線尋址

HADDR是內(nèi)部AHB地址總線

HADDR[25:0]來自外部存儲器地址FSMC[25:0]

HADDR[26:27]對4個region分別尋址

無論外接8位/16位寬度設(shè)備，F(xiàn)SMC_A[0]永遠(yuǎn)連接外部設(shè)備的地址A[0]

外接16位寬度存儲器：HADDR[25:1] →FSMC_A[24:0]

外接8位寬度存儲器：HADDR[25:0] →FSMC_A[25:0]

Bank1的四個區(qū)的地址范圍：

控制LCD源碼講解：

//LCD地址結(jié)構(gòu)體typedefstruct{vu16LCD_REG;vu16LCD_RAM;}LCD_TypeDef;//使用NOR/SRAM的Bank1.sector4,地址位HADDR[27,26]=11A10作為數(shù)據(jù)命令區(qū)分線//注意設(shè)置時STM32內(nèi)部會右移一位對其!#defineLCD_BASE((u32)(0x6C000000|0x000007FE))#defineLCD((LCD_TypeDef*)LCD_BASE)12345678910

LCD_BASE，須根據(jù)外部電路的連接來確定，如Bank1.sector4就是從地址0X6C000000開始，而0X000007FE，則是A10的偏移量。以A10為例，7FE換成二進(jìn)制為：111 1111 1110，而16位數(shù)據(jù)時，地址右移一位對齊，對應(yīng)到地址引腳，就是：A10:A0=011 1111 1111，此時A10是0，但是如果16位地址再加1（對應(yīng)到8位地址是加2，即7FE+0X02），那么：A10:A0=100 0000 0000，此時A10就是1了，即實現(xiàn)了對RS的0和1的控制。

我們將這個地址強制轉(zhuǎn)換為LCD_TypeDef結(jié)構(gòu)體地址，那么可以得到LCD->LCD_REG的地址就是0X6C00,07FE，對應(yīng)A10的狀態(tài)為0(即RS=0)，而LCD-> LCD_RAM的地址就是0X6C00,0800（結(jié)構(gòu)體地址自增），對應(yīng)A10的狀態(tài)為1（即RS=1），從而實現(xiàn)對RS的控制。

根據(jù)8080時序和FSMC寫寄存器對比：

//8080時序?qū)懠拇嫫鱲oidLCD_WR_REG(u16data){LCD_RS_CLR;LCD_CS_CLR;DATAOUT(data);LCD_WR_CLR;LCD_WR_SET;LCD_CS_SET;}//FSMC寫寄存器voidLCD_WR_REG(u16regval){LCD->LCD_REG=regval;}//用FSMC程序要簡便很多，但是在初始化LCD時需要對FSMC進(jìn)行初始化