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[導(dǎo)讀]摘要:采用Lange耦合器的寬頻帶特性設(shè)計L/S波段平衡式低噪聲放大器電路,并通過仿真設(shè)計軟件對放大器的工作頻帶、噪聲系數(shù)、增益及輸入、輸出駐波比等幾個重要指標進行優(yōu)化。最后設(shè)計的放大器在1.2~2.5 GHz頻率范

摘要:采用Lange耦合器的寬頻帶特性設(shè)計L/S波段平衡式低噪聲放大器電路,并通過仿真設(shè)計軟件對放大器的工作頻帶、噪聲系數(shù)、增益及輸入、輸出駐波比等幾個重要指標進行優(yōu)化。最后設(shè)計的放大器在1.2~2.5 GHz頻率范圍內(nèi)增益為33~35 dB,噪聲系數(shù)不大于1 dB,輸入輸出駐波比小于1.5,達到了預(yù)定的技術(shù)指標要求,性能良好。
關(guān)鍵詞:寬頻帶;低噪聲放大器;Lange耦合器;平衡式放大器

0 引言
    寬頻帶低噪聲放大器(Broadband Low Noise Amplitier,BBLNA)是通信、測控等接收系統(tǒng)的關(guān)鍵部件,它的噪聲系數(shù)、增益及頻響特性等指標直接影響著接收系統(tǒng)的主要性能。因此在寬頻帶接收系統(tǒng)領(lǐng)域,寬頻帶低噪聲放大器的設(shè)計將具有非常廣闊的市場前景。各種低噪聲器件的功率增益都是隨著頻率的升高而降低,以每倍頻程大約3~5 dB規(guī)律下降。為獲得較寬又較平坦的頻響特性,就必須對增益滾降進行補償??墒怯幸饨档偷皖l段的增益必然使輸入、輸出駐波比變壞,同時噪聲系數(shù)也將變大。但是對于寬頻帶低噪聲放大器來說,一般不可能使用隔離器來改善駐波比。另外,低噪聲器件的輸入、輸出阻抗也隨頻率有較大變化,更增加了匹配電路的復(fù)雜性。盡管寬頻帶低噪聲放大器的電路結(jié)構(gòu)有多種形式,但采用Lange耦合器設(shè)計的平衡式放大器有噪聲方面的優(yōu)點,其噪聲系數(shù)與單端低噪聲放大器差不多,而在設(shè)計匹配電路時,可以完全按照最佳噪聲匹配設(shè)計,不必兼顧輸入、輸出駐波比。因此選擇平衡式電路結(jié)構(gòu)來進行寬頻帶低噪聲放大器的設(shè)計。

1 設(shè)計原理
    平衡式寬頻帶低噪聲放大器由兩只低噪聲器件和兩個Lange耦合器組成,其中兩支低噪聲器件及其匹配電路網(wǎng)絡(luò)完全一致,減小了匹配電路計算的復(fù)雜性,輸入、輸出駐波比好,噪聲小,工作頻帶可達1~2倍頻程。

2 Lange耦合器
    Lange耦合器又稱90°三分貝電橋,其結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示,在寬頻帶和緊耦合特性上比其他耦合器有非常突出的優(yōu)勢。設(shè)計思路是利用幾條耦合線彼此平行,使得線的兩邊都產(chǎn)生耦合從而實現(xiàn)緊耦合,并通過補償相速達到改善帶寬。常用的微波電路仿真軟件幾乎都建有典型模型,以便于輔助設(shè)計。



3 設(shè)計原理
    平衡式寬頻帶低噪聲放大器原理圖見圖2,若輸入射頻信號fin的功率和相位分別為P和0°,經(jīng)Lange耦合器等分為P1,P2兩部分。P1相位為-90°,P2相位為-180°,分別由兩只經(jīng)過配對的低噪聲器件放大。由于匹配電路一致,增益G相同,傳輸相移皆改變180°,放大后的兩路信號分別為GP1,GP2,GP1相位為-270°,GP2相位為0°。兩路信號再經(jīng)耦合器合成后,在B4端口GP1,GP2大小相等,相位相差180°,沒有功率輸出;在B1端口GP1,GP2相位相同,兩部分功率疊加輸出fout,其大小為GP1+GP2=G(P1+P2)=GP。即在理想狀態(tài)下,平衡式寬頻帶低噪聲放大器的增益等于單只低噪聲器件的增益。


    采用平衡式電路結(jié)構(gòu)具有以下優(yōu)點:
    (1)由于每只低噪聲器件只承擔(dān)一半功率放大,則放大器輸出功率1 dB壓縮點將增大3 dB,相應(yīng)動態(tài)范圍也增大3 dB,三階交調(diào)約改善6 dB。
    (2)端口駐波比得到很大改善,現(xiàn)假設(shè)V1,V2的反射系數(shù)相等,射頻信號fin由耦合器A1端口輸入,等分成兩部分由A2,A3端口輸出,A2端口的反射功率再回到A1端口,總路徑相移為-180°;A3端口的反射功率再回到A1端口,總路徑相移為-360°,顯然兩部分反射功率大小相等,相位相反而抵消,因此在A1端口沒有反射功率。另外,V1,V2的反射功率在A4端口相疊加,需要加50 Ω匹配負載RL進行吸收。通過耦合器的移相作用,理想情況下端口駐波比恒為1。
    (3)提高了放大器工作的穩(wěn)定性,放大器穩(wěn)定性的判定條件如下:
   
    式中:△=S11S22-S12S21,K為穩(wěn)定因子。當(dāng)同時滿足上面三個條件時,放大器絕對穩(wěn)定。可以證明平衡式放大器的穩(wěn)定性判別系數(shù)K恒大于1。在圖2中,A1端口和B1端口理論上是無反射的,不存在由于信號源或者負載的反射可能造成的自激振蕩。盡管單只低噪聲器件本身在低頻段存在潛在不穩(wěn)定性,然而只要匹配電路設(shè)計良好,A1端口和B1端口之間就是絕對穩(wěn)定的。這個特性在寬頻帶接收系統(tǒng)中很重要,特別在天線與放大器匹配時,效果將更加明顯。
    (4)平衡放大器最低噪聲系數(shù)和單端放大器基本相同,但在設(shè)計匹配電路時,可以完全按照最佳噪聲匹配設(shè)計,以獲得理想最小噪聲匹配,不必兼顧駐波比。
    在窄頻帶低噪聲放大器中,直流偏壓供電引入線的常用結(jié)構(gòu)是λg/4高阻抗微帶線,其終端采用扇形線或電容對高頻短路,這種結(jié)構(gòu)可用的工作頻帶最高不過40%~50%帶寬。因此在寬頻帶低噪聲放大器電路中,不可能再用這種形式的偏壓引入線,可采用微帶線中心跳線型式的偏壓引入線,即把跳線焊接在微帶中心軸線上,在理想狀態(tài)下微帶線中心正上方空間處沒有電場分布。跳線外端焊點對微帶邊沿的距離至少要大于基片厚度,以保證焊接點在電場之外。由于跳線直徑對電感量影響較弱,長度對電感量影響較大,需準確控制。跳線可適當(dāng)離開基片表面,以減小地板對電感量的影響。另外還需考慮電源的低頻濾波和級間低頻去耦電容,去耦和旁路電路要足夠大,以免出現(xiàn)低頻振蕩。微帶電路中的隔直電容盡量采用高Q值、高穩(wěn)定溫度系數(shù)、無諧振及低損耗的寬頻帶表貼電容,如美國DLI公司C06系列產(chǎn)品。屏蔽盒體橫向?qū)挾葢?yīng)小于最高工作頻率的半波長,以避免盒體內(nèi)部空間產(chǎn)生波導(dǎo)傳輸效應(yīng)。微帶基片應(yīng)保持良好接地,固定螺釘?shù)臄?shù)量要相對多一點,最好螺釘孔的孔壁金屬化接地。調(diào)試時在盒體的上蓋板內(nèi)表面貼敷相應(yīng)頻段吸波材料,以減小空間耦合所引起的帶內(nèi)增益起伏。
    寬頻帶低噪聲放大器還需要進行電磁兼容設(shè)計,首先對進入屏蔽盒的電源線使用帶饋通濾波器的穿芯電容進行濾波,減小通過電源線所帶來的串?dāng)_問題;其次需要解決好放大器的端口匹配,確保集成到接收系統(tǒng)時能兼容工作;最后還需對盒體采取電磁屏蔽措施,減小因電磁輻射所帶來的干擾問題。在研發(fā)階段加強電磁兼容工作,有利于產(chǎn)品通過相應(yīng)標準電磁兼容測試。

4 設(shè)計實例仿真
    根據(jù)某任務(wù)研制要求,需要設(shè)計一個工作于L/S頻段的低噪聲放大器,主要技術(shù)指標包括:工作頻率為1.2~2.5 GHz;P-1dB≥10 dBmW;增益G≥32 dB;噪聲系數(shù)Nf≤1.1 dB;輸入、輸出駐波比不大于1.5。依據(jù)以往工程經(jīng)驗,選用兩只NEC公司生產(chǎn)的NE42484A低噪聲器件進行平衡式電路設(shè)計,此電路增益明顯滿足不了指標要求,需要增加一級高增益且噪聲較低的帶內(nèi)匹配電路的放大器,如Stanford公司生產(chǎn)的SAN-386內(nèi)匹配晶體管。根據(jù)多級放大器噪聲計算公式:
   
    式中:F為兩級放大器總的噪聲系數(shù),F(xiàn)1,F(xiàn)2分別為第一、二級的噪聲系數(shù),G1,G2分別為第一、二級的增益。通過該公式可以明顯看出,級聯(lián)后的噪聲系數(shù)主要取決于第一級放大器的噪聲系數(shù),且第一級增益越大,后級對總噪聲系數(shù)的貢獻就越小。
    兩只NE42484A場效應(yīng)管的S參數(shù)盡量選擇一致,微帶基片選用介電常數(shù)為9.2、厚度為1 mm的復(fù)合介質(zhì)基板,利用ADS軟件建立仿真電路拓撲結(jié)構(gòu),匹配電路的形式選擇微帶阻抗變換型匹配法,該匹配法在形式上相當(dāng)于若干條微帶線相互串聯(lián)而成。根據(jù)NE42484A場效應(yīng)管和SAN-386晶體管的S參數(shù)進行仿真優(yōu)化設(shè)計,常用的優(yōu)化方式分為隨機優(yōu)化和梯度優(yōu)化,隨機法通常用于大范圍搜索,梯度法則用于局域收斂。優(yōu)化時可設(shè)定少量的可變參數(shù),對放大器的各個指標分步驟進行優(yōu)化,先用100~200步的隨機法進行優(yōu)化,后用20~30步的梯度法進行優(yōu)化,一般可達最優(yōu)結(jié)果。
    仿真結(jié)果見圖3。在1.2~2.5 GHz的工作頻帶內(nèi),輸出功率1 dB壓縮點在器件的選擇時已經(jīng)保證;帶內(nèi)增益在35~37 dB之間;噪聲系數(shù)不大于0.8 dB;輸入、輸出駐波比均小于1.5。仿真分析結(jié)果表明,采取這種設(shè)計方案可以滿足研制要求。通過仿真優(yōu)化后的電路拓撲結(jié)構(gòu)繪制微帶電路板,注意要在匹配微帶線加入隔離小島,以方便調(diào)試時更改微帶線的尺寸,獲得更好的性能;在電路的四周大面積附銅,并留下較密集的金屬化接地過孔,增強電路的接地性能,如圖4所示。圖中標有V1,V2處是待焊接的兩只NE42484A場效應(yīng)管,V3處是待焊接的SAN-386晶體管。


    在放大器的生產(chǎn)調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn)有兩個重要環(huán)節(jié)需要注意,一個是的加工工藝保證;另一個是供電偏置電感的調(diào)試。Lange耦合器的耦合線間需要粘結(jié)跳線,如圖1所示,試驗證明微帶電路板鍍金后采用金絲壓焊工藝可以保證可靠性和精度,且耦合線問采用單根跳線或多根跳線性能指標基本不變,因此建議在實際使用時采用兩根以上并行跳線以提高可靠性。如果工藝條件上無金絲焊接技術(shù),還可以采用同樣拓撲結(jié)構(gòu),選擇專業(yè)廠家生產(chǎn)的Lange耦合器,例如Anaren公司的小型化表貼器件。供電偏置電感需要手工成形,調(diào)試時通過微調(diào)線圈間距來改變電感大小,實現(xiàn)電路的最佳匹配,調(diào)試完成后采取硅橡膠加固,從而提高可靠性。


    在完成放大器的調(diào)試后對所要求的各項指標進行了實際測試,在1.2~2.5 GHz的工作頻帶內(nèi),增益在33~35 dB之間,比仿真結(jié)果小2 dB左右;噪聲系數(shù)不大于1dB,比仿真結(jié)果偏大0.2dB左右;輸入、輸出駐波比跟仿真結(jié)果基本一致。因此該寬頻帶低噪聲放大器各項指標均滿足研制任務(wù)要求。

5 結(jié)語
    采用Lange耦合器的寬頻帶特性設(shè)計平衡式寬頻帶低噪聲放大器,可以獲得理想的噪聲匹配,不必兼顧駐波比,且放大器的可靠性和穩(wěn)定性也比較好,并通過設(shè)計實例的仿真和測試結(jié)果對相應(yīng)指標進行了驗證。Lange耦合器的加工工藝難度較大,造成實際插入損耗比仿真結(jié)果偏大,因此建議在通用頻帶采用專業(yè)廠家的小型化表貼器件進行設(shè)計;另外供電偏置電路的設(shè)計對于寬頻帶低噪聲放大器也是一個不容忽略的問題。這種電路結(jié)構(gòu)形式也可以利用到大功率合成設(shè)計,從而為高功率寬帶放大器的順利研制提供一套行之有效的設(shè)計手段。在工程任務(wù)研制中驗證了它在寬帶電路設(shè)計中的有效性和使用價值,具有進一步推廣應(yīng)用的基礎(chǔ)。

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