在電子設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)過程中，開關(guān)電源的調(diào)試是至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。然而，在這個過程中，常常會遇到一些問題。今天，我們就來盤點一下開關(guān)電源調(diào)試時最常見的 10 個問題，希望能對您有所幫助。

問題一：輸出電壓不穩(wěn)定

輸出電壓不穩(wěn)定是開關(guān)電源調(diào)試中最常見的問題之一。這可能是由于反饋回路故障、輸入電壓波動、負(fù)載變化過大或者電源內(nèi)部元件參數(shù)漂移等原因引起。解決這個問題需要檢查反饋回路的元件是否正常，優(yōu)化輸入濾波電路，以及合理設(shè)計負(fù)載匹配。

問題二：輸出紋波過大

輸出紋波過大可能會影響到電子設(shè)備的正常工作。造成這一問題的原因可能是濾波電容容量不足、電感參數(shù)不合適、開關(guān)頻率設(shè)置不當(dāng)或者 PCB 布線不合理?？梢酝ㄟ^增加濾波電容容量、優(yōu)化電感參數(shù)、調(diào)整開關(guān)頻率以及改善 PCB 布線來解決。

問題三：電源效率低下

電源效率低下會導(dǎo)致能源浪費和發(fā)熱問題。這可能是由于開關(guān)管導(dǎo)通損耗過大、磁性元件損耗過高、驅(qū)動電路損耗大或者控制策略不合理等原因造成。解決方法包括選用低導(dǎo)通電阻的開關(guān)管、優(yōu)化磁性元件設(shè)計、提高驅(qū)動電路效率以及改進(jìn)控制算法。

問題四：電磁干擾(EMI)超標(biāo)

EMI 超標(biāo)會對周圍的電子設(shè)備產(chǎn)生干擾，影響其正常運行。開關(guān)電源中的高頻開關(guān)動作是 EMI 的主要來源?？梢酝ㄟ^合理布局 PCB、添加 EMI 濾波器、優(yōu)化變壓器設(shè)計以及采用軟開關(guān)技術(shù)來降低 EMI。

問題五：過流保護(hù)失效

過流保護(hù)失效可能會導(dǎo)致電源和負(fù)載損壞。這可能是由于過流檢測電路故障、保護(hù)閾值設(shè)置不當(dāng)或者保護(hù)電路響應(yīng)速度慢等原因引起。需要檢查過流檢測電路的元件，合理設(shè)置保護(hù)閾值，并提高保護(hù)電路的響應(yīng)速度。

問題六：過熱問題

過熱會影響電源的可靠性和壽命。造成過熱的原因可能是功率器件散熱不良、工作電流過大、環(huán)境溫度過高等?？梢酝ㄟ^增加散熱片面積、改善散熱風(fēng)道、降低工作電流或者加強通風(fēng)散熱來解決。

問題七：啟動困難

電源啟動困難可能是由于啟動電路故障、輸入電容充電時間過長、軟啟動電路失效或者控制芯片工作異常等原因?qū)е?。需要檢查啟動電路的元件，優(yōu)化輸入電容參數(shù)，檢查軟啟動電路以及更換有問題的控制芯片。

問題八：空載輸出電壓異常

在空載狀態(tài)下，輸出電壓異常可能是由于反饋回路在空載時工作異常、變壓器次級繞組漏電或者輸出端存在寄生電容等原因造成?？梢詸z查反饋回路在空載時的工作狀態(tài)，修復(fù)變壓器漏電問題，以及減小輸出端的寄生電容。

問題九：負(fù)載調(diào)整率差

負(fù)載調(diào)整率差會導(dǎo)致輸出電壓隨負(fù)載變化而大幅波動。這可能是由于反饋回路的增益不足、輸出濾波電容容量不夠或者電源的內(nèi)阻過大等原因引起。可以通過增加反饋回路的增益、增大輸出濾波電容容量以及降低電源內(nèi)阻來解決。

問題十：短路保護(hù)問題

短路保護(hù)功能失效可能無法在電源輸出短路時及時保護(hù)電源和負(fù)載。這可能是由于短路檢測電路故障、保護(hù)動作閾值設(shè)置不合理或者保護(hù)電路響應(yīng)不及時等原因造成。需要檢查短路檢測電路，合理設(shè)置保護(hù)動作閾值，并提高保護(hù)電路的響應(yīng)速度。

接下來，我們將對開關(guān)電源調(diào)試中的難點進(jìn)行簡要剖析，以期為相關(guān)人員提供有價值的參考。變壓器飽和現(xiàn)象在高壓或低壓輸入下開機，包括輕載、重載、容性負(fù)載等情況，以及輸出短路、動態(tài)負(fù)載、高溫等環(huán)境下，變壓器和開關(guān)管中的電流可能呈現(xiàn)非線性增長。這種現(xiàn)象下，電流峰值變得難以預(yù)知和控制，可能導(dǎo)致電流過應(yīng)力，進(jìn)而引發(fā)開關(guān)管過壓而損壞。容易產(chǎn)生變壓器飽和的情況包括：變壓器感量過大、圈數(shù)過少、變壓器的飽和電流點低于IC的最大限流點，以及缺乏軟啟動功能。針對這些問題，可以采取降低IC限流點、加強軟啟動等措施，以確保通過變壓器的電流能夠緩慢上升。

Vds過高，在最惡劣條件下，如最高輸入電壓、最大負(fù)載、最高環(huán)境溫度以及電源啟動或短路測試時，Vds的最大值不應(yīng)超過其額定規(guī)格的90%。為了降低Vds，可以嘗試減小平臺電壓，這通常涉及調(diào)整變壓器原副邊圈數(shù)比。此外，還可以通過減小尖峰電壓來降低Vds，這可以通過減小變壓器漏感、調(diào)整吸收電路(如使用TVS管、較慢速的二極管或插入阻尼電阻)來實現(xiàn)。

IC溫度過高

IC溫度過高可能由于內(nèi)部MOSFET損耗過大、散熱不良或IC周圍空氣溫度過高所致。為了解決這個問題，可以增加變壓器繞組的距離以減小層間電容，或者改善散熱條件，例如增加銅箔面積并上更多的焊錫。同時，確保IC處于空氣流動暢順的地方，遠(yuǎn)離其他高溫零件。

空載、輕載不能啟動

當(dāng)電源處于空載或輕載狀態(tài)時，可能會出現(xiàn)無法啟動的情況，表現(xiàn)為Vcc電壓在啟動電壓和關(guān)斷電壓之間反復(fù)跳動。這通常是由于空載或輕載時Vcc繞組的感應(yīng)電壓太低所致。針對這個問題，可以嘗試增加啟動電路的靈敏度或調(diào)整相關(guān)參數(shù)來解決。

啟動后無法加重載

原因及解決辦法：Vcc在重載時過高，在重載情況下，Vcc繞組感應(yīng)電壓升高，導(dǎo)致Vcc過高并觸發(fā)IC的過壓保護(hù)，從而引起無輸出。為防止電壓進(jìn)一步升高損壞IC，需采取措施。內(nèi)部限流被觸發(fā)

a. 限流點設(shè)置過低，在重載或容性負(fù)載時，若限流點設(shè)置過低，MOSFET的電流將受到限制，導(dǎo)致輸出不足。為解決此問題，應(yīng)增大限流腳電阻，提高限流點。

b. 電流上升斜率過大，電流上升斜率過大可能觸發(fā)內(nèi)部限流保護(hù)。為避免此情況，可在不飽和變壓器的前提下增加感量。

待機輸入功率大現(xiàn)象：在空載或輕載時，Vcc不足導(dǎo)致輸入功率過高和輸出紋波過大。

原因：Vcc不足會使IC頻繁啟動，高壓給Vcc電容充電，造成啟動電路損耗。若啟動腳與高壓間有電阻，其上功耗將增大，因此需選擇足夠功率等級的啟動電阻。此外，電源IC未進(jìn)入Burst Mode或Burst頻率過高也可能導(dǎo)致問題。

解決辦法：調(diào)節(jié)反饋參數(shù)以降低反饋速度。短路功率過大現(xiàn)象：輸出短路時，輸入功率過大和Vds過高。原因：輸出短路時重復(fù)脈沖多且開關(guān)管電流峰值大，導(dǎo)致輸入功率過大。過大的開關(guān)管電流在漏感上存儲過多能量，關(guān)斷時引起Vds升高。此外，短路時可能觸發(fā)OCP或內(nèi)部限流保護(hù)使開關(guān)管停止工作。解決辦法：根據(jù)具體情況采取相應(yīng)措施，如觸發(fā)OCP進(jìn)行保護(hù)或調(diào)整內(nèi)部限流設(shè)置?？蛰d、輕載時的輸出反跳現(xiàn)象現(xiàn)象描述：在輸出空載或輕載狀態(tài)下，當(dāng)輸入電壓被關(guān)閉時，輸出電壓(例如5V)會出現(xiàn)如波形的反跳現(xiàn)象。原因分析：關(guān)閉輸入電壓后，5V輸出開始下降，同時Vcc也隨之降低。一旦Vcc降至IC的關(guān)閉電壓以下，IC將停止工作。然而，在空載或輕載條件下，電源中的大電容電壓下降速度較慢，它仍然能夠為高壓啟動腳提供足夠的電流，從而觸發(fā)IC重新啟動，導(dǎo)致5V輸出再次出現(xiàn)，形成反跳。