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[導(dǎo)讀]隨著全球?qū)Νh(huán)保議題和可持續(xù)發(fā)展的重視,低碳產(chǎn)品的需求持續(xù)攀升。而科技進(jìn)步和應(yīng)用場(chǎng)景的多樣性,也間接增加各行各業(yè)對(duì)高效能、低功耗解決方案的需求。這些需求應(yīng)用主要來(lái)自于以下幾個(gè)領(lǐng)域:

隨著全球?qū)Νh(huán)保議題和可持續(xù)發(fā)展的重視,低碳產(chǎn)品的需求持續(xù)攀升。而科技進(jìn)步和應(yīng)用場(chǎng)景的多樣性,也間接增加各行各業(yè)對(duì)高效能、低功耗解決方案的需求。這些需求應(yīng)用主要來(lái)自于以下幾個(gè)領(lǐng)域:

· 智能手機(jī)和便攜設(shè)備:隨著智能手機(jī)的功能日益強(qiáng)大,這些設(shè)備需要更高效能、更低功耗的內(nèi)存以支持多任務(wù)處理及延長(zhǎng)使用時(shí)間。低功耗的內(nèi)存有助于延續(xù)電池壽命,提升用戶(hù)體驗(yàn)。

· 物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備:物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備在智慧城市、智能家居、工業(yè) 4.0等領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,這些設(shè)備通常需要較長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)作且在電池供電的情況下執(zhí)行,因此,對(duì)低功耗的需求極為迫切。

· 汽車(chē)電子:自動(dòng)駕駛和電動(dòng)汽車(chē)的發(fā)展對(duì)內(nèi)存的需求極為強(qiáng)勁,需要高效能、低功耗的內(nèi)存來(lái)支持實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理和分析,以延長(zhǎng)電池續(xù)航里程。

· 工業(yè)自動(dòng)化:在工業(yè)自動(dòng)化中,低功耗內(nèi)存能幫助提升設(shè)備的可靠性和效能,同時(shí)減少營(yíng)運(yùn)成本和能源消耗。

· 智能家居設(shè)備:智能家居系統(tǒng)需要低功耗的內(nèi)存來(lái)維持長(zhǎng)時(shí)間的待機(jī)和實(shí)時(shí)反應(yīng)能力,進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)的能源效率。

低碳產(chǎn)品其實(shí)不一定是破壞式創(chuàng)新,從客戶(hù)端的需求及 SOC/MCU 的發(fā)展便可知端倪;除此之外,持續(xù)收集市場(chǎng)信息并將其運(yùn)用在產(chǎn)品規(guī)格制訂上才是關(guān)鍵所在,千萬(wàn)不能僅以當(dāng)下能力來(lái)做判斷,這才是華邦保有持續(xù)競(jìng)爭(zhēng)力的基石。

生產(chǎn)低碳產(chǎn)品是個(gè)持續(xù)性的工作,其層面涵蓋產(chǎn)品電路設(shè)計(jì)、制程研發(fā)、封裝形式及材料精進(jìn)等,都能在節(jié)能減碳上有所貢獻(xiàn)。

華邦也洞見(jiàn)新時(shí)代產(chǎn)品的市場(chǎng)趨勢(shì),持續(xù)投入資源,追求半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、生產(chǎn)技術(shù)與產(chǎn)品的可持續(xù)創(chuàng)新,提供客戶(hù)低碳與低功耗之綠色產(chǎn)品,提升綠色商機(jī)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)與市占率,并持續(xù)優(yōu)化以提升華邦整體可持續(xù)的競(jìng)爭(zhēng)力。

HYPERRAM? 的節(jié)能減碳成果

· HYPERRAM 應(yīng)用于可穿戴設(shè)備等低功耗物聯(lián)網(wǎng)終端產(chǎn)品,支持語(yǔ)音控制、tinyML 推理等功能,同時(shí)也適用于汽車(chē)儀表板、娛樂(lè)系統(tǒng)、工業(yè)機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)、HMI 顯示器和通信模塊等。

· 因應(yīng)新興消費(fèi)趨勢(shì)如可穿戴及智能設(shè)備等低耗電的市場(chǎng)需求,HYPERRAM 設(shè)計(jì)之理念在于取代傳統(tǒng)過(guò)去使用的 SDRAM,與 SDRAM 相比,其在工作方面能降低70%碳排量,待機(jī)能耗更降低至5%。

· 2022 年推出 HYPERRAM 3.0 行動(dòng)內(nèi)存,在 I/O 數(shù)增大一倍的情況下,進(jìn)一步降低40% 每位轉(zhuǎn)換的能耗。2023 年推出低電壓且小尺寸系列之 HYPERRAM 1.2V WLCSP 與1.35V BGA49 封裝,其中1.2V HYPERRAM 較1.8V HYPERRAM 功耗更節(jié)省33%。 HYPERRAM 3.1 行動(dòng)內(nèi)存,是可穿戴設(shè)備的低功耗核心組件,搭配16位接口以增快傳輸速率并加速高解析圖片的加載傳輸速度,使其在低功耗、智能處理與 UI 顯示領(lǐng)域中樹(shù)立新標(biāo)竿,為客戶(hù)提供更簡(jiǎn)化、具有競(jìng)爭(zhēng)力且長(zhǎng)效電池續(xù)航力的的智能穿戴設(shè)計(jì)解決方案。

· 持續(xù)進(jìn)化小尺寸封裝,從 SDRAM 的 TSOP BG60/54到 HYPERRAM BGA24,4x4mm2 的 BGA49 到晶圓級(jí)封裝 WLCSP,可見(jiàn)在使用小包材的情況下,生產(chǎn)過(guò)程中的碳排放量得以大幅降低。

良品裸晶 KGD 對(duì)減碳的貢獻(xiàn)

華邦電子多年深耕于 KGD 領(lǐng)域,與芯片廠合作提供 SiP (System in Package) 多芯片封裝解決方案。配合邏輯芯片將內(nèi)存一起封裝的 KGD 銷(xiāo)售模式,在凈零及環(huán)境可持續(xù)議題上發(fā)揮價(jià)值,創(chuàng)造以低碳與綠色產(chǎn)品為主之節(jié)能減碳終端產(chǎn)品。許多客戶(hù)透過(guò)華邦的專(zhuān)業(yè)協(xié)助,將內(nèi)存產(chǎn)品 KGD 用于系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP) 解決方案。將內(nèi)存與控制器芯片堆棧整合,并放入單個(gè)封裝或模塊中以提供 SiP 技術(shù)配置。其他組件的 KGD 也可與內(nèi)存 KGD 堆棧,除了節(jié)省封裝材料、提升效能外,同時(shí)也可節(jié)省功耗與芯片面積。KGD 對(duì)減碳的貢獻(xiàn):

· 減少材料浪費(fèi):KGD 技術(shù)通過(guò)在晶圓層面完成測(cè)試和篩選,確保每個(gè)晶粒均為良品后再與SoC進(jìn)行整合封裝,有效降低材料浪費(fèi),同時(shí)減少電路板的占用空間。

· 簡(jiǎn)化封裝流程:KGD 技術(shù)簡(jiǎn)化了后續(xù)的組裝和封裝流程,進(jìn)一步降低制造過(guò)程中的能源使用和碳排放。

· 減少能源消耗 : 利用 SiP 多芯片封裝技術(shù),可縮短傳輸路徑,降低附載電阻和寄生電容,同時(shí)減少 I/O 驅(qū)動(dòng)能力需求,從而進(jìn)一步降低能源消耗。

華邦 CUBE 新產(chǎn)品線的減碳效果

高效能、低功耗設(shè)計(jì)與先進(jìn)封裝,進(jìn)一步延伸 KGD 的優(yōu)點(diǎn)。華邦全新 CUBE 產(chǎn)品結(jié)合先進(jìn)制程和創(chuàng)新的低功耗電路設(shè)計(jì),透過(guò)更高端的 2.5D 或 3D 封裝技術(shù),可助力客戶(hù)在主流應(yīng)用場(chǎng)景中實(shí)現(xiàn)邊緣 AI 運(yùn)算。在附載電阻和寄生電容進(jìn)一步降低的情況下,內(nèi)存產(chǎn)品將實(shí)現(xiàn)更高的運(yùn)行效率和更低的能耗,成為兼具高效能、低延遲和低功耗的內(nèi)存解決方案。

· CUBE 提供卓越的電源效率,功耗效能低于 1pJ/bit,能夠確保延長(zhǎng)運(yùn)行時(shí)間并優(yōu)化能源使用效率。

· 具備 256GB/s 至 1TB/s的帶寬,CUBE 在性能表現(xiàn)上遠(yuǎn)超過(guò)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

· CUBE 擁有更小的外形尺寸。目前基于 20nm 工藝,可以提供每顆芯片 1-8Gb 容量,并計(jì)劃于 2025 年引入 16nm 工藝。透過(guò)硅通孔(TSV)進(jìn)一步增強(qiáng)性能,改善信號(hào)完整性、電源穩(wěn)定性、同時(shí)縮小 I/O 面積至 9um pitch 并提升散熱效果(當(dāng) CUBE 在下方、SoC 置上時(shí)尤為顯著)。

· 當(dāng) SoC(位于上層且無(wú)TSV)堆棧于 CUBE(位于下層且有TSV)上時(shí),則有機(jī)會(huì)縮小 SoC 芯片的尺寸, 從而節(jié)省 TSV 所需面積,能夠?yàn)檫吘?AI 設(shè)備帶來(lái)更明顯的成本優(yōu)勢(shì)。

制程技術(shù)演進(jìn)與減碳效益

· 制程技術(shù)演進(jìn):透過(guò)制程技術(shù)持續(xù)改善與微縮工藝,增加每片晶圓的裸晶顆粒產(chǎn)出,有效降低單顆裸晶的生產(chǎn)碳排量。每個(gè)完整制程節(jié)點(diǎn)能將單顆裸晶的生產(chǎn)碳排量降低約 20%~35%。

· 改良制造工藝:華邦在 DRAM 制造過(guò)程中,持續(xù)優(yōu)化工藝流程,包括減少制程步驟、提高材料利用率和改善制程設(shè)備的能源效率,這些措施相輔相成,大幅推動(dòng)了生產(chǎn)過(guò)程中的節(jié)能減碳成效。

定制化解決方案(Customized Memory Solution, CMS)的節(jié)能減碳使命

除了利用再生能源生產(chǎn)產(chǎn)品,傾聽(tīng)客戶(hù)需求、深入了解系統(tǒng)應(yīng)用層面上的痛點(diǎn)及持續(xù)開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品以降低能耗,是定制化解決方案(CMS)極為重要且不可或缺的一環(huán),是專(zhuān)為企業(yè)需求量身打造的內(nèi)存解決方案。這些解決方案根據(jù)特定應(yīng)用場(chǎng)景或環(huán)境的要求進(jìn)行設(shè)計(jì)和優(yōu)化,以提供最佳的性能、可靠性和成本效益。

定制化解決方案(CMS)通常涵蓋以下幾個(gè)方面:

1. 內(nèi)存容量和速度:根據(jù)應(yīng)用程序的需要,定制不同容量和速度的內(nèi)存模塊。

2. 內(nèi)存類(lèi)型:提供適合特定需求的內(nèi)存類(lèi)型供選擇,如 DDR4、LPDDR4 等。

3. 電源管理:優(yōu)化內(nèi)存的功耗特性,以延長(zhǎng)電池壽命并降低能源消耗。

4. 可靠性和耐用性:針對(duì)苛刻環(huán)境(如工業(yè)、醫(yī)療或軍事應(yīng)用)設(shè)計(jì)具備有更高耐用性和可靠性的內(nèi)存。

這些定制解決方案通常由專(zhuān)業(yè)的內(nèi)存供貨商或制造商提供,并根據(jù)客戶(hù)的具體需求進(jìn)行設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā),確保最佳的整體效能和系統(tǒng)兼容性。

通過(guò)提升產(chǎn)品附加價(jià)值,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的銷(xiāo)售及獲利,是 CMS 持續(xù)努力的目標(biāo)。未來(lái),CMS 將推出更多高價(jià)值的產(chǎn)品,不僅滿足客戶(hù)在節(jié)能減碳方面的需求,還能為環(huán)保和可持續(xù)發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn),共同打造更干凈、綠色的未來(lái)環(huán)境。

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