本文中，小編將對(duì)可控硅予以介紹，如果你想對(duì)它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識(shí)，或者想要增進(jìn)對(duì)它的了解程度，不妨請(qǐng)看以下內(nèi)容哦。

一、可控硅

硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有第一陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變（交流過零）時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān)。

雙向可控硅第一陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和第一陽極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài)。此時(shí)A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。

只有當(dāng)?shù)谝魂枠OA1、第二陽極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時(shí)，雙向可控硅才截?cái)?，此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。

二、可控硅（SCR）觸發(fā)方法總結(jié)

常見的可控硅觸發(fā)方法如下：

門觸發(fā)：可以檢測(cè)門的開關(guān)狀態(tài)，并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，以控制其他電路的工作。

dv/dt 觸發(fā)：當(dāng)電壓的變化率達(dá)到一定的閾值時(shí)，可控硅就會(huì)導(dǎo)通，從而控制電流的方向和大小。dv/dt觸發(fā)可以更快地控制電流的方向和大小，因此可以更有效地控制電路的輸出功率和頻率。

溫度觸發(fā)（熱觸發(fā)）：這種類型的觸發(fā)也稱為熱觸發(fā)，因?yàn)榭煽毓瑁⊿CR）通過加熱來轉(zhuǎn)動(dòng)。而反向漏電流取決于溫度。如果溫度升高到一定值，空穴對(duì)的數(shù)量也會(huì)增加，這會(huì)導(dǎo)致泄漏電流增加，并進(jìn)一步增加可控硅（SCR）的電流增益。

光觸發(fā)：使用這種方法觸發(fā)光激活可控硅（SCR）的形式常用于高壓系統(tǒng)。在該方法中，允許具有適當(dāng)波長(zhǎng)和強(qiáng)度的光線照射結(jié)J 2。隨著電荷載流子數(shù)量的增加，電流瞬時(shí)增加，導(dǎo)致 SCR 開啟。

正向電壓觸發(fā)：這種形式的 可控硅（SCR）觸發(fā)發(fā)生在陽極和陰極之間的電壓導(dǎo)致發(fā)生雪崩傳導(dǎo)時(shí)。結(jié)合可控硅（SCR）結(jié)構(gòu)可以看到發(fā)生這種情況的方式。

直流柵極觸發(fā)：在此觸發(fā)中，在柵極和陰極端子之間施加足夠的直流電壓，以使柵極相對(duì)于陰極為正。柵極電流驅(qū)動(dòng)可控硅（SCR）進(jìn)入導(dǎo)通模式。

交流柵極觸發(fā)：通過電源和控制電路之間的適當(dāng)隔離（使用變壓器），可控硅（SCR）由來自主電源的相移交流電壓觸發(fā)，通過改變門信號(hào)的相位角來控制觸發(fā)角。

以上便是小編此次想要和大家共同分享的有關(guān)可控硅的內(nèi)容，如果你對(duì)本文內(nèi)容感到滿意，不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站喲。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day！