本文中，小編將對可控硅予以介紹，如果你想對它的詳細情況有所認識，或者想要增進對它的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。

一、可控硅

硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有第一陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變（交流過零）時，單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態(tài)相當于開關的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點開關。

雙向可控硅第一陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和第一陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導通呈低阻狀態(tài)。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導通狀態(tài)。

只有當?shù)谝魂枠OA1、第二陽極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發(fā)電壓方可導通。

二、可控硅（SCR）觸發(fā)方法總結

常見的可控硅觸發(fā)方法如下：

門觸發(fā)：可以檢測門的開關狀態(tài)，并將其轉換為電信號，以控制其他電路的工作。

dv/dt 觸發(fā)：當電壓的變化率達到一定的閾值時，可控硅就會導通，從而控制電流的方向和大小。dv/dt觸發(fā)可以更快地控制電流的方向和大小，因此可以更有效地控制電路的輸出功率和頻率。

溫度觸發(fā)（熱觸發(fā)）：這種類型的觸發(fā)也稱為熱觸發(fā)，因為可控硅（SCR）通過加熱來轉動。而反向漏電流取決于溫度。如果溫度升高到一定值，空穴對的數(shù)量也會增加，這會導致泄漏電流增加，并進一步增加可控硅（SCR）的電流增益。

光觸發(fā)：使用這種方法觸發(fā)光激活可控硅（SCR）的形式常用于高壓系統(tǒng)。在該方法中，允許具有適當波長和強度的光線照射結J 2。隨著電荷載流子數(shù)量的增加，電流瞬時增加，導致 SCR 開啟。

正向電壓觸發(fā)：這種形式的 可控硅（SCR）觸發(fā)發(fā)生在陽極和陰極之間的電壓導致發(fā)生雪崩傳導時。結合可控硅（SCR）結構可以看到發(fā)生這種情況的方式。

直流柵極觸發(fā)：在此觸發(fā)中，在柵極和陰極端子之間施加足夠的直流電壓，以使柵極相對于陰極為正。柵極電流驅動可控硅（SCR）進入導通模式。

交流柵極觸發(fā)：通過電源和控制電路之間的適當隔離（使用變壓器），可控硅（SCR）由來自主電源的相移交流電壓觸發(fā)，通過改變門信號的相位角來控制觸發(fā)角。

以上便是小編此次想要和大家共同分享的有關可控硅的內(nèi)容，如果你對本文內(nèi)容感到滿意，不妨持續(xù)關注我們網(wǎng)站喲。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day！