東方晶源智能良率優(yōu)化系統(tǒng)PME（Process Margin Explorer）已在客戶現(xiàn)場完成部署，正式步入產(chǎn)品驗證與評估階段。作為繼ODAS（CD-SEM智能離線數(shù)據(jù)系統(tǒng)）、YieldBook（綜合良率管理系統(tǒng)）之后踐行HPO（Holistic Process  Optimization）理念落地的又一力作，PME深度融入東方晶源"設備-數(shù)據(jù)-算法"三位一體、軟硬協(xié)同的良率提升解決方案，成為撬動半導體先進制程良率瓶頸的戰(zhàn)略工具之一。

PME產(chǎn)品聚焦以下三大核心功能：

基于設計版圖的檢測區(qū)域選擇與優(yōu)化；

整合設計版圖信息的檢測結果智能采樣與缺陷自動分類；

PWQ Wafer檢測數(shù)據(jù)快速解析與報告一鍵生成。

與此同時，PME產(chǎn)品還配套強大的底層Pattern Match和Pattern Grouping引擎，能夠高效地進行版圖分析與處理任務。

基于設計版圖的檢測區(qū)域選擇與優(yōu)化

PME是連接芯片設計數(shù)據(jù)與芯片制造過程缺陷數(shù)據(jù)的關鍵工具。它使得Fab用戶可以依據(jù)設計版圖信息配置晶圓檢測程式，突破傳統(tǒng)檢測程式對經(jīng)驗參數(shù)的依賴，PME將設計版圖轉化為"數(shù)字衛(wèi)星導航地圖"，用戶可以依據(jù)設計版圖指定、選擇、優(yōu)化自己的檢測程式，使檢測區(qū)域配置效率實現(xiàn)質的飛躍，顯著提升檢測效率和檢測精度。

整合設計版圖信息的檢測結果智能采樣與缺陷自動分類

芯片制造缺陷檢測中，由于關鍵缺陷在整體缺陷中的占比低于3%，在海量誤檢數(shù)據(jù)中精準定位關鍵缺陷的難度極高，這也直接導致了復檢成本長期居高不下。在以往的復檢取樣環(huán)節(jié)，主要依賴工程師個人經(jīng)驗與機臺推薦算法，這種方式較難復制與統(tǒng)一。而在導入設計版圖信息后，基于設計版圖的過濾與取樣算法，容易實現(xiàn)固定且規(guī)范的取樣規(guī)則，獲取統(tǒng)一的取樣結果，并且可根據(jù)實際需求靈活增設新的取樣規(guī)則，真正實現(xiàn)智能化取樣操作。此外，設計版圖信息還能夠深度應用于復檢缺陷的分類工作，極大地拓展了復檢缺陷分類的維度與信息容量，為工藝調(diào)優(yōu)提供高維決策支持。

PWQ Wafer檢測數(shù)據(jù)快速解析與報告一鍵生成

目前，在芯片生產(chǎn)流程中，PWQ Wafer被廣泛應用于工藝窗口確認和系統(tǒng)性缺陷分析等關鍵環(huán)節(jié)。然而，PWQ Wafer的檢測結果分析卻主要依賴工程師人工操作，不僅速度慢、效率低，而且結果還有較大的個人經(jīng)驗依存性。東方晶源PME產(chǎn)品的PWQ分析模塊創(chuàng)新采用D2DB（Die-to-Database）技術，通過設計版圖與SEM圖像的亞像素級匹配，實現(xiàn)缺陷精準定位和自動檢出?，F(xiàn)階段PME產(chǎn)品的PWQ分析處理能力，相較于傳統(tǒng)的PWQ分析方式，其分析速度提升超過10倍以上。這一卓越性能使得PWQ分析結果能夠盡可能提前并快速地向上游反饋，有力地加速了光罩、設計版圖以及OPC等關鍵環(huán)節(jié)的迭代優(yōu)化進程，幫助用戶盡快實現(xiàn)良率爬升。

后續(xù)，PME將與東方晶源的電子束檢測設備、量測設備，計算光刻工具等進行深度集成，構建起一套完整的HPO一體化良率解決方案，為國內(nèi)晶圓廠客戶提供更為全面、高效的技術支持，有效應對因先進工藝節(jié)點持續(xù)推進而帶來的制造良率難題，為推動國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈實現(xiàn)彎道超車注入強勁動力，助力產(chǎn)業(yè)在全球競爭格局中占據(jù)更為有利的地位。