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[導(dǎo)讀]在全球汽車(chē)產(chǎn)業(yè)向電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化加速轉(zhuǎn)型的浪潮中,車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體作為核心 “心臟”,正發(fā)揮著愈發(fā)關(guān)鍵的作用。國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體近年來(lái)發(fā)展迅猛,不斷在技術(shù)突破、產(chǎn)能擴(kuò)充、市場(chǎng)份額提升等方面實(shí)現(xiàn)新跨越,開(kāi)啟再提速的發(fā)展新篇章。

在全球汽車(chē)產(chǎn)業(yè)向電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化加速轉(zhuǎn)型的浪潮中,車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體作為核心 “心臟”,正發(fā)揮著愈發(fā)關(guān)鍵的作用。國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體近年來(lái)發(fā)展迅猛,不斷在技術(shù)突破、產(chǎn)能擴(kuò)充、市場(chǎng)份額提升等方面實(shí)現(xiàn)新跨越,開(kāi)啟再提速的發(fā)展新篇章。

需求激增,產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展

新能源汽車(chē)市場(chǎng)的爆發(fā)式增長(zhǎng),成為國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體發(fā)展的強(qiáng)大引擎。相較于傳統(tǒng)燃油車(chē),新能源汽車(chē)需要大量的功率半導(dǎo)體來(lái)實(shí)現(xiàn)電能的高效轉(zhuǎn)換與精確控制。例如,在電動(dòng)汽車(chē)的電池管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、車(chē)載充電機(jī)等關(guān)鍵部件中,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)以及新興的碳化硅(SiC)基功率器件等不可或缺。據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,純電動(dòng)汽車(chē)所使用的 IGBT 數(shù)量高達(dá)上百顆,是傳統(tǒng)燃油車(chē)的 7 - 10 倍,其成本占整車(chē)成本的 7% - 10%。隨著新能源汽車(chē)銷(xiāo)量的持續(xù)攀升,對(duì)車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體的需求呈現(xiàn)井噴之勢(shì)。中國(guó)作為全球最大的新能源汽車(chē)市場(chǎng),亦成為全球最大的 IGBT 消費(fèi)市場(chǎng),份額約占全球總消費(fèi)市場(chǎng)的 40%。預(yù)測(cè)指出,到 2025 年,我國(guó) IGBT 的市場(chǎng)規(guī)模有望超過(guò) 500 億元,其中新能源汽車(chē) IGBT 已在 2020 年成為國(guó)內(nèi) IGBT 第一大應(yīng)用領(lǐng)域,占比約三分之一。

除了新能源汽車(chē)領(lǐng)域,智能汽車(chē)的發(fā)展也為車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體帶來(lái)了新的機(jī)遇。智能駕駛輔助系統(tǒng)、車(chē)聯(lián)網(wǎng)等功能的實(shí)現(xiàn),需要高性能的功率半導(dǎo)體來(lái)支撐。例如,在自動(dòng)駕駛過(guò)程中,車(chē)輛需要實(shí)時(shí)處理大量的傳感器數(shù)據(jù),這就要求功率半導(dǎo)體具備更高的運(yùn)算速度和更低的能耗,以確保系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運(yùn)行。

技術(shù)突破,打破國(guó)外壟斷

長(zhǎng)期以來(lái),車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體技術(shù)被歐美日等國(guó)際巨頭壟斷,國(guó)內(nèi)企業(yè)在技術(shù)研發(fā)上面臨巨大挑戰(zhàn)。然而,近年來(lái)國(guó)內(nèi)企業(yè)加大研發(fā)投入,積極開(kāi)展技術(shù)攻關(guān),在多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域取得了突破性進(jìn)展。以 IGBT 為例,國(guó)內(nèi)企業(yè)在芯片設(shè)計(jì)、制造工藝以及模塊封裝等方面不斷創(chuàng)新。武漢經(jīng)開(kāi)區(qū)東風(fēng)新能源產(chǎn)業(yè)園智新科技股份有限公司成功下線華中地區(qū)首只量產(chǎn)的車(chē)規(guī)級(jí) IGBT 模塊產(chǎn)品,標(biāo)志著湖北成功突破功率半導(dǎo)體器件 “卡脖子” 問(wèn)題。智新半導(dǎo)體項(xiàng)目具備 IGBT 設(shè)計(jì)、制造、封裝與測(cè)試等全套能力,項(xiàng)目一期 IGBT 年產(chǎn)能達(dá) 30 萬(wàn)只,總規(guī)劃年產(chǎn)能為 120 萬(wàn)只,可滿足東風(fēng)公司 “東方風(fēng)起” 計(jì)劃新能源汽車(chē)到 2025 年一百萬(wàn)銷(xiāo)量的 IGBT 需求。此外,芯華睿半導(dǎo)體通過(guò)對(duì)標(biāo)國(guó)際頭部功率半導(dǎo)體企業(yè)最新技術(shù)和工藝,推出了基于第七代 1.6um pitch 的微溝槽工藝 IGBT 芯片,在模塊方面也取得了顯著成果。

在新興的碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,國(guó)內(nèi)企業(yè)同樣積極布局。碳化硅具有高擊穿電壓、高功率密度和耐高溫高頻等優(yōu)勢(shì),在 800V 高壓驅(qū)動(dòng)平臺(tái)等應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)優(yōu)異。雖然目前國(guó)內(nèi) SiC 技術(shù)起步較晚,產(chǎn)能不足、制程落后,高度依賴海外,但部分企業(yè)已經(jīng)取得了階段性成果。例如,芯華睿已開(kāi)發(fā)出基于第三代平面型柵極設(shè)計(jì)的 1200V 碳化硅芯片,為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

產(chǎn)能擴(kuò)充,保障市場(chǎng)供應(yīng)

為了滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求,國(guó)內(nèi)車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體企業(yè)紛紛加快產(chǎn)能擴(kuò)充步伐。一方面,企業(yè)加大對(duì)現(xiàn)有生產(chǎn)線的升級(jí)改造,提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。另一方面,積極投資建設(shè)新的生產(chǎn)基地。今年 8 月,新能源汽車(chē)主驅(qū)功率模塊企業(yè)芯華睿半導(dǎo)體江蘇工廠正式投產(chǎn),該工廠占地 14,500㎡,總投資 5 億元,建成后產(chǎn)能將達(dá)到 200 萬(wàn)套功率模塊。按照規(guī)劃,工廠將分期建設(shè),目前一期已正式投產(chǎn),全部投產(chǎn)后可以滿足超過(guò) 100 萬(wàn)輛新能源的功率模塊應(yīng)用配套。眾多國(guó)內(nèi)企業(yè)的產(chǎn)能擴(kuò)充舉措,將有效緩解車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體供應(yīng)緊張的局面,為國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力提升提供有力支撐。

協(xié)同合作,完善產(chǎn)業(yè)生態(tài)

國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體的再提速,離不開(kāi)產(chǎn)業(yè)上下游的協(xié)同合作。整車(chē)企業(yè)、半導(dǎo)體廠商、科研機(jī)構(gòu)等各方力量正積極攜手,共同構(gòu)建完善的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。整車(chē)企業(yè)如比亞迪,不僅在新能源汽車(chē)領(lǐng)域取得了顯著成績(jī),還通過(guò)自主研發(fā)和生產(chǎn)車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體,實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)鏈的垂直整合,為自身產(chǎn)品的性能提升和成本控制提供了有力保障。同時(shí),比亞迪也積極與其他半導(dǎo)體企業(yè)開(kāi)展合作,共同推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。半導(dǎo)體廠商之間也加強(qiáng)了合作交流,通過(guò)共享技術(shù)資源、聯(lián)合研發(fā)等方式,加速技術(shù)突破和產(chǎn)品迭代??蒲袡C(jī)構(gòu)則在基礎(chǔ)研究、人才培養(yǎng)等方面發(fā)揮著重要作用,為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支撐和人才保障。

然而,我們也應(yīng)清醒地認(rèn)識(shí)到,國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體在發(fā)展過(guò)程中仍面臨諸多挑戰(zhàn)。與國(guó)際先進(jìn)水平相比,在核心技術(shù)、生產(chǎn)工藝和市場(chǎng)占有率等方面仍存在一定差距。例如,在 IGBT 芯片的設(shè)計(jì)和制造上,國(guó)內(nèi)企業(yè)在提高溝道密度、電流密度、最大工作溫度,降低芯片厚度、導(dǎo)通壓降和開(kāi)關(guān)損耗等方面還有提升空間。在碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,國(guó)內(nèi)企業(yè)在襯底、外延等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的技術(shù)和產(chǎn)能仍有待提高。

國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體正處于再提速的關(guān)鍵時(shí)期。面對(duì)市場(chǎng)需求的快速增長(zhǎng)和技術(shù)創(chuàng)新的機(jī)遇與挑戰(zhàn),國(guó)內(nèi)企業(yè)應(yīng)繼續(xù)加大研發(fā)投入,加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新和人才培養(yǎng),加快產(chǎn)能擴(kuò)充步伐,深化產(chǎn)業(yè)協(xié)同合作,不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量和性能,擴(kuò)大市場(chǎng)份額,推動(dòng)國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量、可持續(xù)發(fā)展,在全球汽車(chē)產(chǎn)業(yè)變革中占據(jù)更加重要的地位。

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