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[導(dǎo)讀]開關(guān)電源作為現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件,其性能的穩(wěn)定性和效率直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效果。然而,在開關(guān)電源的啟動(dòng)過程中,一個(gè)不可忽視的問題便是啟動(dòng)浪涌電流。這一瞬時(shí)的高峰電流不僅可能對(duì)電源設(shè)備本身造成損害,還可能影響到與之相連的其他電路和設(shè)備。因此,深入理解啟動(dòng)浪涌電流的產(chǎn)生機(jī)理,并探索有效的抑制措施,對(duì)于提升開關(guān)電源的性能和可靠性具有重要意義。


開關(guān)電源作為現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件,其性能的穩(wěn)定性和效率直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效果。然而,在開關(guān)電源的啟動(dòng)過程中,一個(gè)不可忽視的問題便是啟動(dòng)浪涌電流。這一瞬時(shí)的高峰電流不僅可能對(duì)電源設(shè)備本身造成損害,還可能影響到與之相連的其他電路和設(shè)備。因此,深入理解啟動(dòng)浪涌電流的產(chǎn)生機(jī)理,并探索有效的抑制措施,對(duì)于提升開關(guān)電源的性能和可靠性具有重要意義。


一、啟動(dòng)浪涌電流的產(chǎn)生機(jī)理

開關(guān)電源的啟動(dòng)浪涌電流是指在電源設(shè)備接通瞬間,由于輸入濾波電容迅速充電,導(dǎo)致流入開關(guān)電源設(shè)備的峰值電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)輸入電流。這種電流波形類似于海浪的起伏,因此得名“浪涌”電流。具體來說,當(dāng)開關(guān)電源接通時(shí),輸入電壓瞬間施加在濾波電容上,由于電容的電壓不能突變,因此會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很大的充電電流,即浪涌電流。


啟動(dòng)浪涌電流的大小取決于多個(gè)因素,包括加電開始時(shí)輸入電壓的幅值、橋式整流器的特性以及電解電容與回路電阻的配置。特別是在交流輸入電壓達(dá)到峰值時(shí)啟動(dòng)電源,會(huì)產(chǎn)生峰值輸入浪涌電流,對(duì)電源設(shè)備構(gòu)成嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。


二、啟動(dòng)浪涌電流的危害

啟動(dòng)浪涌電流的危害不容小覷。一方面,它可能導(dǎo)致電源設(shè)備的保險(xiǎn)絲熔斷,甚至損壞電源內(nèi)部的整流橋、交流開關(guān)和EMI濾波器等組件。另一方面,浪涌電流還可能通過電源線傳播到與之相連的其他設(shè)備,對(duì)這些設(shè)備造成潛在的損害。此外,頻繁的浪涌電流沖擊還會(huì)加速電源設(shè)備的老化,降低其使用壽命。


三、有效的抑制措施

為了減輕啟動(dòng)浪涌電流的危害,提升開關(guān)電源的性能和可靠性,可以采取以下有效的抑制措施:


串聯(lián)負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻(NTC):

NTC熱敏電阻的阻值會(huì)隨著溫度的升高而減小。在開關(guān)電源啟動(dòng)時(shí),NTC熱敏電阻處于常溫狀態(tài),阻值較高,可以有效地限制電流。隨著電源啟動(dòng)后溫度升高,阻值逐漸降低,對(duì)電源正常工作的影響也隨之減小。這種方法簡單實(shí)用,成本低廉,但受環(huán)境溫度影響較大。

使用功率電阻限制浪涌電流:

對(duì)于小功率開關(guān)電源,可以直接使用功率電阻來限制浪涌電流。這種方法電路設(shè)計(jì)簡單,成本低廉,但對(duì)轉(zhuǎn)換效率有一定影響。特別是在額定功率較高的電源中,使用電阻限制啟動(dòng)電流效率不高。

啟動(dòng)時(shí)使用電阻,啟動(dòng)后立即移除:

對(duì)于額定功率超過幾瓦的電源,可以在啟動(dòng)階段使用電阻來限制電流,一旦啟動(dòng)完成,立即移除電阻以提高效率。這可以通過在功率電阻上并聯(lián)一個(gè)繼電器、NTC熱敏電阻或MOS管來實(shí)現(xiàn)。

與晶閘管一起使用串聯(lián)定值電阻:

這種方法利用晶閘管的開關(guān)特性,在電源啟動(dòng)時(shí)通過串聯(lián)定值電阻限制浪涌電流,一旦電源穩(wěn)定工作,晶閘管導(dǎo)通,定值電阻被旁路,從而降低了功耗。這種方法低功耗,浪涌電流的限制幾乎不受高溫和低溫的影響,但體積較大,成本相對(duì)較高。

采用MOSFET開關(guān)管和延時(shí)網(wǎng)絡(luò)電路:

在DC-DC開關(guān)電源的輸入端,可以插入MOSFET開關(guān)管,并通過延時(shí)網(wǎng)絡(luò)電路控制其導(dǎo)通狀態(tài)。在電源接通瞬間,MOSFET的漏源極不導(dǎo)通,從而阻斷浪涌電流。隨著延時(shí)電路的觸發(fā),MOSFET逐漸導(dǎo)通,浪涌電流得到有效抑制。這種方法需要復(fù)雜的控制電路和精確的參數(shù)設(shè)置,但抑制效果顯著。

使用PTC(正溫度系數(shù))熱敏電阻:

PTC熱敏電阻的阻值隨溫度升高而增大。在高溫環(huán)境下,NTC熱敏電阻的電阻值較低,對(duì)浪涌電流的限制作用減弱,而PTC熱敏電阻則能更好地限制浪涌電流。此外,在需要頻繁開啟和關(guān)閉的場合,PTC熱敏電阻也能有效應(yīng)對(duì)多個(gè)浪涌電流峰值實(shí)例。但PTC熱敏電阻的成本較高,且需要旁路機(jī)制以便在變熱時(shí)將其從電源回路中移除。

四、結(jié)論

啟動(dòng)浪涌電流是開關(guān)電源設(shè)計(jì)中不可忽視的問題。通過深入理解其產(chǎn)生機(jī)理和危害,并采取有效的抑制措施,可以顯著提升開關(guān)電源的性能和可靠性。在實(shí)際應(yīng)用中,應(yīng)根據(jù)電源設(shè)備的具體需求和場景選擇合適的抑制方法,以達(dá)到最佳的抑制效果。隨著科技的不斷進(jìn)步和工藝技術(shù)的不斷提高,新的抑制方法和技術(shù)也將不斷涌現(xiàn),為開關(guān)電源的設(shè)計(jì)和應(yīng)用提供更多選擇和可能性。

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