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[導(dǎo)讀]一般作單鍵觸發(fā)使用時(shí),如果IC本身沒(méi)有內(nèi)接電阻,為了使單鍵維持在不被觸發(fā)的狀態(tài)或是觸發(fā)后回到原狀態(tài),必須在IC外部另接一電阻。

有源器件需要電源(能量)才能實(shí)現(xiàn)其特定的功能,比如運(yùn)算放大器在有輸入信號(hào)的前提下,如果不提供電源,運(yùn)算放大器無(wú)法實(shí)現(xiàn)其放大功能。

無(wú)源器件在工作時(shí),不需要外加電源,只要輸入信號(hào)就能正常工作,比如在信號(hào)線上串聯(lián)33Ω的電阻,無(wú)論是否提供電源,只要有信號(hào)經(jīng)過(guò),電阻就能實(shí)現(xiàn)限流的作用。

通常定義流入器件的電流為正,流出器件的電流為負(fù)。 器件輸入端有電流流進(jìn)時(shí),稱為吸電流,屬于被動(dòng);器件輸出端有電流流出時(shí),稱為拉電流,屬于主動(dòng);器件輸出端有電流流入時(shí),稱為灌電流,屬于被動(dòng)。

拉電阻作用

一般作單鍵觸發(fā)使用時(shí),如果IC本身沒(méi)有內(nèi)接電阻,為了使單鍵維持在不被觸發(fā)的狀態(tài)或是觸發(fā)后回到原狀態(tài),必須在IC外部另接一電阻。

數(shù)字電路有三種狀態(tài):高電平、低電平、和高阻狀態(tài),有些應(yīng)用場(chǎng)合不希望出現(xiàn)高阻狀態(tài),可以通過(guò)上拉電阻或下拉電阻的方式使處于穩(wěn)定狀態(tài),具體視設(shè)計(jì)要求而定。

一般說(shuō)的是I/O端口,有的可以設(shè)置,有的不可以設(shè)置,有的是內(nèi)置,有的是需要外接,I/O端口的輸出類似與一個(gè)三極管的C,當(dāng)C接通過(guò)一個(gè)電阻和電源連接在一起的時(shí)候,該電阻成為上C拉電阻,也就是說(shuō),如果該端口正常時(shí)為高電平,C通過(guò)一個(gè)電阻和地連接在一起的時(shí)候,該電阻稱為下拉電阻,使該端口平時(shí)為低電平,其作用主要是確保某端口常態(tài)時(shí)有確定電平:用法示例:當(dāng)一個(gè)接有上拉電阻的端口設(shè)為輸入狀態(tài)時(shí),他的常態(tài)就為高電平,用于檢測(cè)低電平的輸入。

上拉電阻是用來(lái)解決總線驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)提供電流的。一般說(shuō)法是拉電流,下拉電阻是用來(lái)吸收電流的,也就是我們通常所說(shuō)的灌電流。

接電阻就是為了防止輸入端懸空。

減弱外部電流對(duì)芯片產(chǎn)生的干擾。

保護(hù)cmos內(nèi)的保護(hù)二極管,一般電流不大于10mA。

通過(guò)上拉或下拉來(lái)增加或減小驅(qū)動(dòng)電流。

改變電平的電位,常用在TTL-CMOS匹配。

在引腳懸空時(shí)有確定的狀態(tài)。

增加高電平輸出時(shí)的驅(qū)動(dòng)能力。

為OC門提供電流。

上拉電阻應(yīng)用原則

當(dāng)TTL電路驅(qū)動(dòng)COMS電路時(shí),若TTL電路輸出的高電平低于COMS電路的最低高電平(一般為3.5V),這時(shí)就需要在TTL的輸出端接上拉電阻,以提高輸出高電平值。注:此時(shí)上拉電阻連接的電壓值應(yīng)不低于CMOS電路的最低高電壓,同時(shí)又要考慮TTL電路方電流(如某端口最大輸入或輸出電流)的影響。

OC門電路必須加上拉電阻,才能使用。

為加大輸出引腳的驅(qū)動(dòng)能力,有的單片機(jī)管腳上也常使用上拉電阻。

在COMS芯片上,為了防止靜電造成損壞,不用的管腳不能懸空,一般接上拉電阻產(chǎn)生降低輸入阻抗,提供泄荷通路。

芯片的管腳加上拉電阻來(lái)提高輸出電平,從而提高芯片輸入信號(hào)的噪聲容限增強(qiáng)抗干擾能力。

提高總線的抗電磁干擾能力,管腳懸空就比較容易接受外界的電磁干擾。

長(zhǎng)線傳輸中電阻不匹配容易引起反射波干擾,加上下拉電阻是電阻匹配,有效的抑制反射波干擾。

在數(shù)字電路中不用的輸入腳都要接固定電平,通過(guò)1k電阻接高電平或接地。

上拉電阻阻值選擇原則

從節(jié)約功耗及芯片的灌電流能力考慮應(yīng)當(dāng)足夠大,電阻大,電流小。

從確保足夠的驅(qū)動(dòng)電流考慮應(yīng)當(dāng)足夠小,電阻小,電流大。

對(duì)于高速電路,過(guò)大的上拉電阻可能邊沿變平緩。綜合考慮以上三點(diǎn),通常在1k到10k之間選取。對(duì)下拉電阻也有類似道理。

對(duì)上拉電阻和下拉電阻的選擇應(yīng)結(jié)合開關(guān)管特性和下級(jí)電路的輸入特性進(jìn)行設(shè)定,主要需要考慮以下幾個(gè)因素:

驅(qū)動(dòng)能力與功耗的平衡。以上拉電阻為例,一般地說(shuō),上拉電阻越小,驅(qū)動(dòng)能力越強(qiáng),但功耗越大,設(shè)計(jì)是應(yīng)注意兩者之間的均衡。

下級(jí)電路的驅(qū)動(dòng)需求。同樣以上拉電阻為例,當(dāng)輸出高電平時(shí),開關(guān)管斷開,上拉電阻應(yīng)適當(dāng)選擇以能夠向下級(jí)電路提供足夠的電流。

高低電平的設(shè)定。不同電路的高低電平的門檻電平會(huì)有不同,電阻應(yīng)適當(dāng)設(shè)定以確保能輸出正確的電平。以上拉電阻為例,當(dāng)輸出低電平時(shí),開關(guān)管導(dǎo)通,上拉電阻和開關(guān)管導(dǎo)通電阻分壓值應(yīng)確保在零電平門檻之下。

頻率特性。以上拉電阻為例,上拉電阻和開關(guān)管漏源級(jí)之間的電容和下級(jí)電路之間的輸入電容會(huì)形成RC延遲,電阻越大,延遲越大。上拉電阻的設(shè)定應(yīng)考慮電路在這方面的需求。

電阻的參數(shù)

關(guān)于電阻的參數(shù)不能一概而定,要看電路其他參數(shù)而定,比如通常用在輸入腳上的上拉電阻如果是為了抬高峰峰值,就要參考該引腳的內(nèi)阻來(lái)定電阻值的。

一般LED的電流有幾個(gè)mA就夠了,最大不超過(guò)20mA,根據(jù)這個(gè)你就應(yīng)該可以算出上拉電阻值來(lái)了,當(dāng)然實(shí)際還是有出入的。

1. 上、下拉電阻的定義

上拉電阻的作用是將一個(gè)信號(hào)通過(guò)電阻連接到電源(Vcc),而下拉電阻則是將信號(hào)通過(guò)電阻接地(GND)。

2. 強(qiáng)上拉與弱上拉

強(qiáng)上拉和弱上拉的主要區(qū)別在于上拉電阻的阻值大小。例如,50Ω的電阻通常被視為強(qiáng)上拉,而100kΩ的電阻則被視為弱上拉。同樣,下拉電阻也有類似的情況。值得注意的是,強(qiáng)拉電阻的極限情況是0Ω電阻,這意味著信號(hào)線將直接與電源或地相連。

3. 上、下拉電阻的作用

上下拉電阻在多個(gè)領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。它們能夠維持芯片輸入管腳的穩(wěn)定狀態(tài),避免高阻狀態(tài)可能引發(fā)的問(wèn)題。此外,在三極管實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換電路中,上下拉電阻也扮演著外圍電路的重要角色。通過(guò)合理選擇和使用上下拉電阻,可以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。

三極管電平轉(zhuǎn)換電路詳解

在三極管電平轉(zhuǎn)換電路中,當(dāng)輸入信號(hào)為3.3V電壓時(shí),三極管的BE電路可視為一個(gè)二極管。但與簡(jiǎn)單的二極管不同,實(shí)際應(yīng)用中我們會(huì)在其兩端串聯(lián)一個(gè)電阻R1,以實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的精確控制。R1作為輸入限流電阻,其作用至關(guān)重要。由于三極管是一種電流控制元件,在放大或飽和狀態(tài)下,Ube的電壓保持為0.6V?;谶@一特性,我們可以根據(jù)輸入電壓U來(lái)計(jì)算基極Ib的電流,公式為Ib=(U-0.6)/R1。若忽略限流電阻R1,一旦輸入電壓超過(guò)0.6V,基極電流將急劇上升,可能導(dǎo)致三極管的燒毀。因此,必須根據(jù)具體的輸入電壓和三極管特性來(lái)合理選擇和計(jì)算限流電阻R1的值。

在三極管電平轉(zhuǎn)換電路中,當(dāng)三極管處于放大狀態(tài)時(shí),其集電極電流Ic的大小與基極電流Ib之間存在一個(gè)固定的比例關(guān)系。這個(gè)比例關(guān)系是三極管的一個(gè)固有特性,通常用β來(lái)表示,即Ic=βIb。這個(gè)特性使得我們可以通過(guò)控制基極電流Ib來(lái)精確地調(diào)節(jié)集電極電流Ic的大小。

倍)。輸出電壓Vout的計(jì)算公式為Vout=Vcc-IcR2。由此可知,在Vcc確定的情況下,如上圖所示的12V電源,Vout在Ic為0時(shí)達(dá)到最大值12V,即等于Vcc。然而,對(duì)于數(shù)字電路而言,我們需要Vout接近0V,以實(shí)現(xiàn)低電平的效果。通過(guò)選擇合適的R2值,例如1KΩ,我們可以輕松計(jì)算出使三極管達(dá)到飽和狀態(tài)所需的Ic值。

三極管的導(dǎo)流能力是有限的,假設(shè)我們選定的三極管集電極的額定電流為500mA,那么Ic的最大值就是500mA。因此,在選擇R2時(shí),必須確保其值不會(huì)導(dǎo)致Ic過(guò)大,從而避免三極管因過(guò)流而燒毀。從公式中我們可以觀察到,集電極電阻的增大將更容易使三極管進(jìn)入飽和狀態(tài)。在飽和區(qū)內(nèi),兩個(gè)PN結(jié)都處于正偏狀態(tài),此時(shí)Ic不再受Ib的控制,因?yàn)閂out已經(jīng)接近地電平GND,無(wú)法產(chǎn)生負(fù)電壓。

若輸入電壓為3.3V,并且我們希望在設(shè)計(jì)時(shí)三極管能處于飽和狀態(tài),那么Ic的值應(yīng)達(dá)到12mA。由此,我們可以推算出Ib的最小值應(yīng)為Ic(飽和)/β,其中β為三極管的電流放大系數(shù)。

若要求三極管在輸入3.3V時(shí)達(dá)到飽和狀態(tài),并且我們需要考慮三極管的放大系數(shù),那么可以推算出基極限流電阻R1(max)的值為(3.3V-0.6V)/Ib(min)=11.25kΩ。其中,Ib(min)是基極電流的最小值,它可以通過(guò)Ic(飽和)/β來(lái)計(jì)算,其中β為三極管的電流放大系數(shù)。

在考慮三極管的飽和狀態(tài)和放大系數(shù)時(shí),我們需要注意電阻、Vcc電壓的離散性、精度以及波動(dòng)等因素,以確保選擇適當(dāng)?shù)幕鶚O限流電阻R1。同時(shí),R1的阻值也不能過(guò)小,必須考慮到基極電流的額定值。此外,為了功耗和節(jié)能的考慮,R1和R2的阻值都不宜過(guò)小。

對(duì)于OC(集電極開路)和OD(漏極開路)電路,上拉電阻起著至關(guān)重要的作用。它為這些集電極開路輸出型電路提供了必要的輸出電流通道。在某些情況下,芯片的輸出管腳可能未繼承上拉電阻到Vcc,這就需要我們?cè)谠O(shè)計(jì)中加以考慮。

此外,總線I/O接口上的上拉和下拉電阻也是不可或缺的。這些接口本質(zhì)上是OC或OD接口,如I2C總線就采用了典型的OD輸出結(jié)構(gòu)。通過(guò)增加上拉電阻,我們可以提高驅(qū)動(dòng)能力,實(shí)現(xiàn)電平標(biāo)準(zhǔn)的匹配,并增強(qiáng)電路的抗干擾能力。

在長(zhǎng)線傳輸中,電阻的不匹配可能導(dǎo)致反射波干擾。通過(guò)合理選擇上拉和下拉電阻的阻值,我們可以有效地抑制這種干擾,提高總線的抗電磁干擾能力。同時(shí),管腳懸空時(shí)容易受到外界電磁干擾的影響,因此上拉和下拉電阻的合理配置也是非常重要的。

上來(lái)下拉電阻阻值的選擇

1、功耗??紤]功耗的情況下電阻的阻值就不能特別大。

2、反應(yīng)時(shí)間。因?yàn)殡娮柙酱螅糠蛛娐分蟹答伣oMCU的時(shí)間就越久

3、驅(qū)動(dòng)能力。例如部分上拉電阻會(huì)給芯片傳感器來(lái)補(bǔ)償一定的電流,所以電阻不能太大

常見(jiàn)的阻值4.7k-10k

最后,我們還需要明確吸電流、拉電流和灌電流的定義。拉電流是指主動(dòng)輸出電流,即從輸出口輸出的電流。

灌電流:這是指被動(dòng)輸入電流,即從輸出端口流入的電流。

吸電流:則是指主動(dòng)吸入電流,也就是從輸入端口流入的電流。

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