在嵌入式開(kāi)發(fā)中怎樣將Flash中的程序轉(zhuǎn)移到RAM中運(yùn)行？
嵌入式軟件中經(jīng)常要存儲(chǔ)一些非易失參數(shù)，例如用戶設(shè)置、校準(zhǔn)參數(shù)、設(shè)備運(yùn)行參數(shù)等，通常情況下我們都會(huì)選擇存儲(chǔ)在EEPROM或者SPI-FLASH中。在削減成本考量的情況下，我們可以把存儲(chǔ)器省下來(lái)，參數(shù)存儲(chǔ)在內(nèi)部flash中，畢竟就算每片減少一塊錢，量大后還是非?？捎^的。
一.將DSP的Flash里面的函數(shù)轉(zhuǎn)移到RAM中
對(duì)于獨(dú)立的嵌入式系統(tǒng)，需要把程序存入non-volitale存儲(chǔ)單元中，常用的也就是flash。但是程序在flash中運(yùn)行相對(duì)在RAM中行，速度會(huì)變慢很多，具體有多慢，拿28335來(lái)說(shuō)吧，假設(shè)系統(tǒng)時(shí)鐘為150MHz，在RAM中運(yùn)行時(shí)頻率還是150MHz，而放在flash中，頻率會(huì)降到90-95MHz，參照Ti手冊(cè)SPRA958L，這對(duì)于有些對(duì)實(shí)時(shí)性要求較高的函數(shù)功能，是不可接受的。所以在系統(tǒng)上電時(shí)，把對(duì)實(shí)時(shí)性要求高的函數(shù)轉(zhuǎn)移到RAM中去。
下面以initflash函數(shù)為例，具體步驟如下：
(1)、將函數(shù)定位到section：
#pragma CODE_SECTION(InitFlash, "secureRamFuncs")
當(dāng)遇到InitFlash()，就到段secureRamFuncs去運(yùn)行。
當(dāng)有多個(gè)函數(shù)需要轉(zhuǎn)移時(shí)，重復(fù)使用#pragma CODE_SECTION(“函數(shù)名", "secureRamFuncs")即可。
即使有多個(gè)#pragma CODE_SECTION，后面的步驟只需要一次。
(2)、section分配到memory(紅色為memory)。
意思是到FLASH去下載InitFlash()，下載到SECURE_RAM，然后要到SECURE_RAM去運(yùn)行程序，這個(gè)過(guò)程給出了下載地址和目標(biāo)地址。注意此時(shí)SECURE_RAM中還沒(méi)有代碼。
1. SECTIONS
2. {
3. /*** User Defined Sections ***/
4. secureRamFuncs: LOAD = FLASH,PAGE = 0
5. RUN =SECURE_RAM, PAGE = 0
6. //定義FLASH和SECURE_RAM的首地址secureRamFuncs_loadstart和secureRamFuncs_loadstart以代替絕對(duì)地址
7. LOAD_START(_secureRamFuncs_loadstart),
8. LOAD_SIZE(_secureRamFuncs_loadsize),
9. RUN_START(_secureRamFuncs_runstart),
10. }
(3)、用memcpy()將經(jīng)過(guò)#pragmaCODE_SECTION設(shè)定的函數(shù)從FLASH弄到SECURE_RAM中去。注意不是將FLASH的東西全部弄到SECURE_RAM中。
1. #include
2. //實(shí)際應(yīng)用中這一部分聲明可有可無(wú)
3. extern unsigned intsecureRamFuncs_loadstart;
4. extern unsigned intsecureRamFuncs_loadsize;
5. extern unsigned intsecureRamFuncs_runstart;
6. void main(void)
7. {
8. /* Copy the secureRamFuncs section */
9. memcpy(&secureRamFuncs_runstart,&secureRamFuncs_loadstart,(Uint32)&secureRamFuncs_loadsize);
10. /* Initialize the on-chip flash registers*/
11. InitFlash();
12. }
二.將MCU的內(nèi)嵌Flash里的部分代碼運(yùn)行在 RAM 中
MCU 異于資源豐富的linux 平臺(tái)。 MCU(如： 基于Cortex V6M 的Cortex M0+ 等) Code通常運(yùn)行在內(nèi)嵌Flash中。 在某些特定應(yīng)用場(chǎng)合，需要將部分函數(shù)運(yùn)行于RAM 中。為解決次問(wèn)題，筆者實(shí)現(xiàn)了一種解法，具體做法如下：
1. 實(shí)現(xiàn)要運(yùn)行在RAM的 routine， 本routine 使用純匯編實(shí)現(xiàn), 如：
__asm void program_word2addr(uint32_t addr, uint32_t data)
{
push {r3, r4, r5, lr} ;save some regsiters
/*your code for this routine*/
pop {r3, r4, r5, pc}
}
2.編譯時(shí)，采用code 與運(yùn)行位置無(wú)關(guān)的編譯選項(xiàng) 如 (Keil --apcs /ropi/rwpi), 生成 *.axf;
3.通過(guò)fromelf -c 將生成 *.axf 反匯編，找到對(duì)應(yīng)program_word2addr 實(shí)現(xiàn)部分， 并將routine 對(duì)應(yīng)的binary code Copy 到所要應(yīng)用的 Code 中，以只讀數(shù)組的形式出現(xiàn)：
如：
const staic uint16_t s_flashProg2AddressCode[16] = {...., ....}
4.定義 一個(gè)全局?jǐn)?shù)組, 如 static uint16_t g_code[16], size正好等于 s_flashProg2AddressCode的長(zhǎng)度;
5. 定義一個(gè)函數(shù)指針, 如 static void (*callFlashPrg2Address)(uint32_t addr, uint32_t data)
6.定義一個(gè)函數(shù)實(shí)現(xiàn)將Code 運(yùn)行與 RAM如：
void run_prgcode_onram(uint32_t addr, uint32_t data)
{
memcpy(g_code,s_flashProg2AddressCode,32 );
callFlashPrg2Address = (void (*)(uint32_t addr, uint32_t data))((uin32_t)g_code + 1);
callFlashPrg2Address (address, data);
}
run_prgcode_onram, 便可以將program_word2addr 運(yùn)行于RAM中。
callFlashPrg2Address = (void (*)(uint32_t addr, uint32_t data))((uin32_t)g_code + 1); +1 的目的，時(shí)由于運(yùn)行平臺(tái)為 Cortex V6M , 采用的thumb指令集，根據(jù)ARM Spec 要求完成。
callFlashPrg2Address (address, data); 則是實(shí)現(xiàn)RAM運(yùn)行program_word2addr 的關(guān)鍵所在。
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