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[導(dǎo)讀]對(duì)于獨(dú)立的嵌入式系統(tǒng),需要把程序存入non-volitale存儲(chǔ)單元中,常用的也就是flash。但是程序在flash中運(yùn)行相對(duì)在RAM中行,速度會(huì)變慢很多,具體有多慢,拿28335來(lái)說(shuō)吧,假設(shè)系統(tǒng)時(shí)鐘為150MHz,在RAM中運(yùn)行時(shí)頻率還是150MHz,而放在flash中,頻率會(huì)降到90-95MHz,參照Ti手冊(cè)SPRA958L,這對(duì)于有些對(duì)實(shí)時(shí)性要求較高的函數(shù)功能,是不可接受的。所以在系統(tǒng)上電時(shí),把對(duì)實(shí)時(shí)性要求高的函數(shù)轉(zhuǎn)移到RAM中去。

嵌入式軟件中經(jīng)常要存儲(chǔ)一些非易失參數(shù),例如用戶設(shè)置、校準(zhǔn)參數(shù)、設(shè)備運(yùn)行參數(shù)等,通常情況下我們都會(huì)選擇存儲(chǔ)在EEPROM或者SPI-FLASH中。在削減成本考量的情況下,我們可以把存儲(chǔ)器省下來(lái),參數(shù)存儲(chǔ)在內(nèi)部flash中,畢竟就算每片減少一塊錢,量大后還是非??捎^的。

一.將DSP的Flash里面的函數(shù)轉(zhuǎn)移到RAM中

對(duì)于獨(dú)立的嵌入式系統(tǒng),需要把程序存入non-volitale存儲(chǔ)單元中,常用的也就是flash。但是程序在flash中運(yùn)行相對(duì)在RAM中行,速度會(huì)變慢很多,具體有多慢,拿28335來(lái)說(shuō)吧,假設(shè)系統(tǒng)時(shí)鐘為150MHz,在RAM中運(yùn)行時(shí)頻率還是150MHz,而放在flash中,頻率會(huì)降到90-95MHz,參照Ti手冊(cè)SPRA958L,這對(duì)于有些對(duì)實(shí)時(shí)性要求較高的函數(shù)功能,是不可接受的。所以在系統(tǒng)上電時(shí),把對(duì)實(shí)時(shí)性要求高的函數(shù)轉(zhuǎn)移到RAM中去。

下面以initflash函數(shù)為例,具體步驟如下:

(1)、將函數(shù)定位到section:

#pragma CODE_SECTION(InitFlash, "secureRamFuncs")

當(dāng)遇到InitFlash(),就到段secureRamFuncs去運(yùn)行。

當(dāng)有多個(gè)函數(shù)需要轉(zhuǎn)移時(shí),重復(fù)使用#pragma CODE_SECTION(“函數(shù)名", "secureRamFuncs")即可。

即使有多個(gè)#pragma CODE_SECTION,后面的步驟只需要一次。

(2)、section分配到memory(紅色為memory)。

意思是到FLASH去下載InitFlash(),下載到SECURE_RAM,然后要到SECURE_RAM去運(yùn)行程序,這個(gè)過(guò)程給出了下載地址和目標(biāo)地址。注意此時(shí)SECURE_RAM中還沒(méi)有代碼。

1. SECTIONS

2. {

3. /*** User Defined Sections ***/

4. secureRamFuncs: LOAD = FLASH,PAGE = 0

5. RUN =SECURE_RAM, PAGE = 0

6. //定義FLASH和SECURE_RAM的首地址secureRamFuncs_loadstart和secureRamFuncs_loadstart以代替絕對(duì)地址

7. LOAD_START(_secureRamFuncs_loadstart),

8. LOAD_SIZE(_secureRamFuncs_loadsize),

9. RUN_START(_secureRamFuncs_runstart),

10. }

(3)、用memcpy()將經(jīng)過(guò)#pragmaCODE_SECTION設(shè)定的函數(shù)從FLASH弄到SECURE_RAM中去。注意不是將FLASH的東西全部弄到SECURE_RAM中。

1. #include

2. //實(shí)際應(yīng)用中這一部分聲明可有可無(wú)

3. extern unsigned intsecureRamFuncs_loadstart;

4. extern unsigned intsecureRamFuncs_loadsize;

5. extern unsigned intsecureRamFuncs_runstart;

6. void main(void)

7. {

8. /* Copy the secureRamFuncs section */

9. memcpy(&secureRamFuncs_runstart,&secureRamFuncs_loadstart,(Uint32)&secureRamFuncs_loadsize);

10. /* Initialize the on-chip flash registers*/

11. InitFlash();

12. }

二.將MCU的內(nèi)嵌Flash里的部分代碼運(yùn)行在 RAM 中

MCU 異于資源豐富的linux 平臺(tái)。 MCU(如: 基于Cortex V6M 的Cortex M0+ 等) Code通常運(yùn)行在內(nèi)嵌Flash中。 在某些特定應(yīng)用場(chǎng)合,需要將部分函數(shù)運(yùn)行于RAM 中。為解決次問(wèn)題,筆者實(shí)現(xiàn)了一種解法,具體做法如下:

1. 實(shí)現(xiàn)要運(yùn)行在RAM的 routine, 本routine 使用純匯編實(shí)現(xiàn), 如:

__asm void program_word2addr(uint32_t addr, uint32_t data)

{

push {r3, r4, r5, lr} ;save some regsiters

/*your code for this routine*/

pop {r3, r4, r5, pc}

}

2.編譯時(shí),采用code 與運(yùn)行位置無(wú)關(guān)的編譯選項(xiàng) 如 (Keil --apcs /ropi/rwpi), 生成 *.axf;

3.通過(guò)fromelf -c 將生成 *.axf 反匯編,找到對(duì)應(yīng)program_word2addr 實(shí)現(xiàn)部分, 并將routine 對(duì)應(yīng)的binary code Copy 到所要應(yīng)用的 Code 中,以只讀數(shù)組的形式出現(xiàn):

如:

const staic uint16_t s_flashProg2AddressCode[16] = {...., ....}

4.定義 一個(gè)全局?jǐn)?shù)組, 如 static uint16_t g_code[16], size正好等于 s_flashProg2AddressCode的長(zhǎng)度;

5. 定義一個(gè)函數(shù)指針, 如 static void (*callFlashPrg2Address)(uint32_t addr, uint32_t data)

6.定義一個(gè)函數(shù)實(shí)現(xiàn)將Code 運(yùn)行與 RAM如:

void run_prgcode_onram(uint32_t addr, uint32_t data)

{

memcpy(g_code,s_flashProg2AddressCode,32 );

callFlashPrg2Address = (void (*)(uint32_t addr, uint32_t data))((uin32_t)g_code + 1);

callFlashPrg2Address (address, data);

}

run_prgcode_onram, 便可以將program_word2addr 運(yùn)行于RAM中。

callFlashPrg2Address = (void (*)(uint32_t addr, uint32_t data))((uin32_t)g_code + 1); +1 的目的,時(shí)由于運(yùn)行平臺(tái)為 Cortex V6M , 采用的thumb指令集,根據(jù)ARM Spec 要求完成。

callFlashPrg2Address (address, data); 則是實(shí)現(xiàn)RAM運(yùn)行program_word2addr 的關(guān)鍵所在。

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