內(nèi)存是絕大多數(shù)電子設(shè)備中不可或缺的部件，比如在我們常用的手機(jī)、筆記本中都有內(nèi)存的概念。為增進(jìn)大家對(duì)內(nèi)存的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)實(shí)現(xiàn)內(nèi)存超頻的方法予以介紹，并討論內(nèi)存超頻是否會(huì)對(duì)內(nèi)存造成損壞。如果你對(duì)內(nèi)存具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、如何實(shí)現(xiàn)內(nèi)存超頻

當(dāng)我們的電腦反應(yīng)慢或是出現(xiàn)藍(lán)屏等等一系列現(xiàn)象時(shí)，我們可以選擇將內(nèi)存超頻電壓，這會(huì)緩解電腦出現(xiàn)的問題?？赡苡行┯脩粝胫纼?nèi)存超頻電壓會(huì)不會(huì)損壞我們的內(nèi)存，CPU會(huì)不會(huì)因?yàn)槌l而燒掉，以及什么型號(hào)的顯卡適合超頻電壓等等一系列問題。來為您解決這一系列問題，教您如何實(shí)現(xiàn)內(nèi)存超頻電壓。

內(nèi)存超頻的實(shí)現(xiàn)方法有兩種：一是內(nèi)存同步，即調(diào)整CPU外頻并使內(nèi)存與之同頻工作;二是內(nèi)存異步，即內(nèi)存工作頻率高出CPU外頻。

1.首先我們說說內(nèi)存同步超頻，我們知道，在一般情況下，CPU外頻與內(nèi)存外頻是一致的，所以在提升CPU外頻進(jìn)行超頻時(shí)，也必須相應(yīng)提升內(nèi)存外頻使之與CPU同頻工作，比如我們擁有一個(gè)平臺(tái)，CPU為Athlon XP 1800+、KT600主板、DDR266內(nèi)存。Athlon XP 1800+默認(rèn)外頻為133MHz、默認(rèn)倍頻為11.5，主頻為1.53G，由于Athlon XP 1800+倍頻被鎖定了，只能通過提升外頻的方法超頻，假如將Athlon XP 1800+外頻提升到166MHz，此時(shí)CPU主頻為166MHz×11.5≈1.9GHz。

由于我們將CPU外頻提高到了166MHz，假如你使用的是DDR333以上規(guī)格內(nèi)存，那么將內(nèi)存頻率設(shè)置為166MHz屬于標(biāo)準(zhǔn)頻率下工作，但這里使用的是DDR266內(nèi)存，為了滿足CPU超頻需求，內(nèi)存也必須由原來的DDR266(133MHz)超頻到DDR333(166MHz)使用。具體方法是進(jìn)入BIOS設(shè)置，找到“Advanced Chipset Features” 選項(xiàng)，然后會(huì)看到一個(gè)“DRAM Clock”選項(xiàng)，將鼠標(biāo) 光標(biāo) 定位到這里并回車，然后會(huì)出現(xiàn)內(nèi)存頻率設(shè)置選項(xiàng)，在這里我們選擇“166MHz”并回車，保存設(shè)置并退出即實(shí)現(xiàn)了內(nèi)存同步超頻。

2.內(nèi)存異步超頻 在內(nèi)存同步工作模式下，內(nèi)存的運(yùn)行速度與CPU外頻相同。而內(nèi)存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術(shù)可令內(nèi)存工作在高出或低于系統(tǒng)總線速度33MHz或3:4、4:5(內(nèi)存：外頻)的頻率上，這樣可以緩解超頻時(shí)經(jīng)常受限于內(nèi)存的“瓶頸”。

3.增加電壓幫助超頻 內(nèi)存頻率提升了，所以內(nèi)存功耗也隨之增加，但在默認(rèn)情況下，主板BIOS中內(nèi)存電壓參數(shù)是被設(shè)置為內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)頻率的數(shù)值，通常來說，為了確保內(nèi)存超頻的穩(wěn)定性，我們需要增加內(nèi)存電壓，很多主板BIOS設(shè)置中都提供了內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)功能，同時(shí)內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)級(jí)別一般以0.05V或0.1V為檔次逐漸調(diào)節(jié)，內(nèi)存電壓參數(shù)調(diào)節(jié)越細(xì)微，對(duì)超頻越有幫助。

調(diào)節(jié)內(nèi)存電壓的方式是進(jìn)入“Advanced Chipset Features”選項(xiàng)，然后將鼠標(biāo)光標(biāo)定位到“Current Voltage”上，在這里我們看到，該主板內(nèi)存電壓分了好幾段，電壓調(diào)節(jié)范圍從1.60V～2.70V，每相鄰的兩項(xiàng)之間的差值為0.1V，我們使用鍵盤上的向上鍵增加電壓，每按一次增加0.1V電壓。需要注意的是，超頻時(shí)不要一次將內(nèi)存電壓提升太高，首先提升0.1V電壓，然后保存退出，進(jìn)入WINDOWS系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存進(jìn)行性能測試，如果很穩(wěn)定，可以重新進(jìn)入BIOS中再次將內(nèi)存電壓提升0.1V，依次類推，直到自己滿意為止。

二、內(nèi)存超頻會(huì)損壞內(nèi)存嗎

內(nèi)存超頻有一定幾率損壞內(nèi)存。內(nèi)存超頻涉及到修改內(nèi)存的電壓、主頻、時(shí)序等內(nèi)容，如果內(nèi)存體質(zhì)不佳且修改的范圍超過了內(nèi)存能夠承受的上限，內(nèi)存很容易因此而燒壞。即便超頻的內(nèi)存能夠點(diǎn)亮并且通過壓力測試，但也容易加速內(nèi)存壽命老化。以下是對(duì)內(nèi)存超頻的詳細(xì)說明：

1、內(nèi)存超頻需要CPU、主板、內(nèi)存三大硬件協(xié)同，需要根據(jù)主板標(biāo)稱頻率、極限頻率，內(nèi)存標(biāo)稱頻率、極限頻率來選擇合適的內(nèi)存超頻范圍;在超頻時(shí)需要對(duì)頻率、電壓、時(shí)序進(jìn)行一些列的測試調(diào)整，優(yōu)先保證內(nèi)存頻率可用，再在這個(gè)基礎(chǔ)上不斷地?cái)D壓內(nèi)存頻率上限。

2、由于不同品牌、不同顆粒的內(nèi)存存在體質(zhì)區(qū)別，部分內(nèi)存能夠超頻到比較高的主頻，部分則容易在超頻的過程中發(fā)生故障，因此所有的操作應(yīng)該循序漸進(jìn)而不是一蹴而就。如果內(nèi)存超頻后無法點(diǎn)亮主機(jī)，說明內(nèi)存超頻超過的內(nèi)存、主板的上限，需要向下調(diào)整。內(nèi)存長期處于極限頻率狀態(tài)會(huì)加速內(nèi)存老化，造成不可逆的影響。

以上便是此次帶來的內(nèi)存相關(guān)內(nèi)容，通過本文，希望大家對(duì)內(nèi)存已經(jīng)具備一定的了解。如果你喜歡本文，不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站哦，將于后期帶來更多精彩內(nèi)容。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day!