一、名詞定義：

旁路(bypass)電容：pass是通過的意思，bypass指從靠近的地方，從旁邊通過。大路不走走小路，主路不走走輔路。所以，旁路電容可以理解成把信號高頻成分旁路掉的電容。

去耦(decoupling)電容：Coupling，是耦合的意思。如果系統A中出現的“事物”引起了系統B中一“事物”的出現，或者反之。這里“事物”指一些不希望出現的干擾信號，那么我們就說系統A與系統B出現了耦合。Decoupling，即是減弱耦合的意思。因此，去耦電容是在電路中發(fā)揮去耦作用的電容。

我們經常提到像去耦、耦合、濾波等說法，是從電容器在電路中所發(fā)揮的具體功能的角度去稱呼的，這些稱呼屬于同一個概念層次，而旁路則只是一種途徑，一種手段，一種方法。

二、如何判斷電路中的電容是去耦還是旁路?

比如以下電路圖中的電容C1、C2、C3，你分得出誰是去耦電容，誰是旁路電容嗎?

我們可以分別從電源模塊、IC1、IC2角度來進行分析判斷，在實際電路中進一步理解去耦電容和旁路電容。

1、電源模塊角度

站在電源模塊的角度，我們不希望電源模塊自身的干擾傳到下一級IC1中。下圖顯示了電源模塊輸出會含有高頻噪聲和低頻紋波干擾。

為此在電源模塊和IC1之間加入電容C1和C2，以濾除干擾信號。其中，C1采用大容值10uF，利用電容的充放電功能起到電池蓄能作用，滿足IC1對驅動電流的需求，從而消除頻率較低的紋波干擾。而C2則往往采用小容值0.1uF，以濾除較高頻段的噪聲干擾。

所以對于電源模塊而言，C1發(fā)揮了濾除低頻干擾和蓄能的功能，C2發(fā)揮了濾除高頻干擾的功能，兩者都是去耦電容。

2、IC1角度

站在IC1的角度，前級輸入中除了需要的直流供電外還包含了高頻和低頻的干擾，IC1自然不希望干擾信號進入內部，所以C1和C2就提供了對地路徑，將直流成分以外的信號通過C1和C2流向系統地。

所以對于IC1來說，C1和C2幫助它旁路掉干擾信號，屬于旁路電容。

3、IC2角度

站在IC2角度，當IC1的輸出信號傳輸到IC2系統中時，為防止IC1在工作中產生的高頻干擾輸入到IC2中，所以放置了電容C3來濾除干擾，因此對于IC2來說C3是旁路電容。

但此時如果再次站在IC1的角度，它不希望干擾耦合到IC2，C3此時又可以稱為去耦電容。

總結C1、C2、C3如下：

是不是感覺兩者沒有區(qū)別了?分析的角度不同，電容的叫法就會不同。所以具體叫什么不重要，能夠解決問題才是關鍵。

回歸主題，去耦電容和旁路電容的區(qū)別是什么?編者勉強地從兩個方面做了區(qū)分以便大家理解，但僅供參考，因為兩者并沒有明確的區(qū)別界限。

三、去耦電容和旁路電容的2個主要區(qū)別

1、使用位置的區(qū)別：

去耦電容，強調使用在系統輸出pin腳，用來濾除系統自身產生的干擾防止耦合到下一級系統;

旁路電容，強調使用在系統輸入pin腳，用來濾除系統不需要的高頻干擾信號。

2、使用的容值大小的區(qū)別：

去耦電容，一般是容值較大，基本在0.1uF以上，相對于直流分量來說，其他帶有一定周期性波動的信號都可以認為是交流成分，在電源供電系統中，通常使用容值較大的電容，來濾除頻率較低的紋波干擾，即去耦電容;

旁路電容，一般應用選值是比較小，基本都在0.1uF以下，電容容值越小，對高頻信號的阻抗就越小，越容易給高頻信號提供低阻抗路徑流向GND。

結語：

對于電路中的旁路電容和去耦電容，倒不用太過于糾結與死磕。在自己的認知體系中靈活運用，能夠解決問題才是根本。

小編在查閱資料時看到以下兩段話都出現在各個大V的文章中，您覺得哪句話是正確的?歡迎大家留言討論。

A、去耦就是旁路，旁路不一定是去耦

B、旁路就是去耦，去耦不一定是旁路

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從電路來說，總是存在驅動的源和被驅動的負載。如果負載電容比較大，驅動電路要把電容充電、放電，才能完成信號的跳變，在上升沿比較陡峭的時候，電 流比較大，這樣驅動的電流就會吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻(特別是芯片管腳上的電感，會產生反彈)，這種電流相對于正常情況來說實際上就 是一種噪聲，會影響前級的正常工作。這就是耦合。

去藕電容就是起到一個電池的作用，滿足驅動電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。旁路 電容實際也是去藕合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關噪聲提供一條低阻抗泄放途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據諧振頻率一般是 0.1u，0.01u 等，而去耦合電容一般比較大，是 10u 或者更大，依據電路中分布參數，以及驅動電流的變化大小來確定。

旁路是把輸入信號中的干擾作為濾除對象，而去耦是把輸出信號的干擾作為濾除對象，防止干擾信號返回電源。這應該是他們的本質區(qū)別。

去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個作用：

一方面是本集成電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。

數字電路中典型的去耦電容值是 0.1μF。這個電容的分布電感的典型值是 5μH。

0.1μF 的去耦電容有 5μH 的分布電感，它的并行共振頻率大約在 7MHz 左右，也就是說，對于 10MHz 以下的噪聲有較好的去耦效果，對 40MHz 以上的噪聲幾乎不起作用。

1μF、10μF 的電容，并行共振頻率在 20MHz 以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。

每 10 片左右集成電路要加一片充放電電容，或 1 個蓄能電容，可選 10μF 左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來的，這種卷起來的結構在高頻時表現為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。

去耦電容的選用并不嚴格，可按 C = 1 / F，即 10MHz 取 0.1μF，100MHz 取 0.01μF。

分布電容是指由非形態(tài)電容形成的一種分布參數。一般是指在印制板或其他形態(tài)的電路形式，在線與線之間、印制板的上下層之間形成的電容。這種電容的容量很小，但可能對電路形成一定的影響。

在對印制板進行設計時一定要充分考慮這種影響，尤其是在工作頻率很高的時候。也成為寄生電容，制造時一定會產生，只是大小的問題。

布高速 PCB 時，過孔可以減少板層電容，但會增加電感。分布電感是指在頻率提高時，因導體自感而造成的阻抗增加。