HBM內(nèi)存嚴重供不應求!存儲龍頭擴產(chǎn)激戰(zhàn):產(chǎn)能一搶而空
7月12日消息,隨著人工智能技術的飛速發(fā)展,作為AI芯片的關鍵技術支持,高頻寬存儲器(HBM)成為市場上的新寵,導致HBM內(nèi)存目前面臨嚴重的供不應求局面。
因此存儲器行業(yè)的領軍企業(yè),包括SK海力士、三星和美光,都在積極擴充HBM的產(chǎn)能,以應對這一挑戰(zhàn)。
HBM技術以其高速數(shù)據(jù)傳輸能力,成為AI芯片設計中不可或缺的一部分,從HBM1到HBM3E,每一代產(chǎn)品都在堆疊層數(shù)、傳輸速度和存儲容量上實現(xiàn)了顯著提升。
英偉達的AI芯片需求激增,特別是其采用HBM3E存儲器規(guī)格的H200芯片,進一步推動了HBM市場的火熱。
據(jù)悉,SK海力士、三星和美光三大廠商今年的HBM供應能力已全部耗盡,且明年的產(chǎn)能也大部分已被預訂,為了滿足市場需求,這些廠商正在展開一場激烈的產(chǎn)能擴充競賽。
SK海力士計劃大幅增加其第5代1b DRAM的產(chǎn)能,以應對HBM和DDR5 DRAM需求的增加。三星也在今年3月宣布將大幅提高HBM產(chǎn)能,而美光正在美國建設先進的HBM測試生產(chǎn)線,并考慮在馬來西亞生產(chǎn)HBM。
在這場競爭中,SK海力士因其HBM3產(chǎn)品性能領先,已成為英偉達的主要供應商,三星則專注于云端客戶訂單,而美光則跳過HBM3,專注于HBM3E產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)。