隨著半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)的不斷進(jìn)步，ASML公司即將在2030年推出Hyper-NA EUV設(shè)備，這一設(shè)備將能夠支持1納米以下的先進(jìn)工藝技術(shù)。這一消息由韓國媒體Chosun Biz報(bào)道，標(biāo)志著ASML在EUV光刻技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。

EUV光刻技術(shù)以其高分辨率和生產(chǎn)效率而聞名，它不僅能夠制造出更復(fù)雜的電路圖案，還能簡(jiǎn)化制造流程，提升芯片性能。然而，這種技術(shù)的高昂成本一直是行業(yè)的主要顧慮。目前，一臺(tái)EUV設(shè)備的價(jià)格約為1.8億美元，而新型High-NA EUV設(shè)備的價(jià)格更是高達(dá)3.6億美元。預(yù)計(jì)Hyper-NA EUV設(shè)備的價(jià)格將超過7.2億美元。

盡管價(jià)格昂貴，但ASML已經(jīng)收到了主要行業(yè)參與者的訂單。臺(tái)積電的張凱文博士表示，盡管High-NA EUV的性能卓越，但其價(jià)格也相當(dāng)昂貴。他建議臺(tái)積電應(yīng)該繼續(xù)利用現(xiàn)有的EUV設(shè)備，以實(shí)現(xiàn)1.6納米技術(shù)的發(fā)展。

行業(yè)分析師預(yù)計(jì)，臺(tái)積電可能會(huì)繼續(xù)其現(xiàn)有的EUV設(shè)備戰(zhàn)略，專注于多重圖案技術(shù)，并在評(píng)估新設(shè)備采用的規(guī)模時(shí)，謹(jǐn)慎行事以減輕投資負(fù)擔(dān)。

與此同時(shí)，三星也在考慮High-NA設(shè)備的采用時(shí)機(jī)，可能會(huì)直接跳過High-NA EUV，轉(zhuǎn)向Hyper-NA系統(tǒng)，盡管這存在一定的風(fēng)險(xiǎn)。

英特爾作為High-NA EUV技術(shù)的早期采用者，已經(jīng)面臨了財(cái)務(wù)挑戰(zhàn)。2023年，其代工部門虧損高達(dá)70億美元，并且這種虧損在2024年第一季度仍在繼續(xù)。這在一定程度上是由于早期采用下一代EUV設(shè)備的成本負(fù)擔(dān)。

ASML表示，其向英特爾供應(yīng)的High-NA EUV系統(tǒng)能夠處理從2納米到0.7納米的工藝。展望未來，Hyper-NA EUV技術(shù)對(duì)于實(shí)現(xiàn)1納米以下工藝將變得至關(guān)重要。

隨著技術(shù)的發(fā)展和成本的降低，Hyper-NA EUV設(shè)備有望成為推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)一步發(fā)展的關(guān)鍵力量。盡管面臨諸多挑戰(zhàn)，但ASML的這一創(chuàng)新無疑將為全球芯片制造商提供新的機(jī)遇和可能性。