ASML計劃2030年推出Hyper-NA EUV設備 單臺價格高達7.2億美元
隨著半導體行業(yè)技術的不斷進步,ASML公司即將在2030年推出Hyper-NA EUV設備,這一設備將能夠支持1納米以下的先進工藝技術。這一消息由韓國媒體Chosun Biz報道,標志著ASML在EUV光刻技術領域的又一次重大突破。
EUV光刻技術以其高分辨率和生產效率而聞名,它不僅能夠制造出更復雜的電路圖案,還能簡化制造流程,提升芯片性能。然而,這種技術的高昂成本一直是行業(yè)的主要顧慮。目前,一臺EUV設備的價格約為1.8億美元,而新型High-NA EUV設備的價格更是高達3.6億美元。預計Hyper-NA EUV設備的價格將超過7.2億美元。
盡管價格昂貴,但ASML已經收到了主要行業(yè)參與者的訂單。臺積電的張凱文博士表示,盡管High-NA EUV的性能卓越,但其價格也相當昂貴。他建議臺積電應該繼續(xù)利用現有的EUV設備,以實現1.6納米技術的發(fā)展。
行業(yè)分析師預計,臺積電可能會繼續(xù)其現有的EUV設備戰(zhàn)略,專注于多重圖案技術,并在評估新設備采用的規(guī)模時,謹慎行事以減輕投資負擔。
與此同時,三星也在考慮High-NA設備的采用時機,可能會直接跳過High-NA EUV,轉向Hyper-NA系統(tǒng),盡管這存在一定的風險。
英特爾作為High-NA EUV技術的早期采用者,已經面臨了財務挑戰(zhàn)。2023年,其代工部門虧損高達70億美元,并且這種虧損在2024年第一季度仍在繼續(xù)。這在一定程度上是由于早期采用下一代EUV設備的成本負擔。
ASML表示,其向英特爾供應的High-NA EUV系統(tǒng)能夠處理從2納米到0.7納米的工藝。展望未來,Hyper-NA EUV技術對于實現1納米以下工藝將變得至關重要。
隨著技術的發(fā)展和成本的降低,Hyper-NA EUV設備有望成為推動半導體行業(yè)進一步發(fā)展的關鍵力量。盡管面臨諸多挑戰(zhàn),但ASML的這一創(chuàng)新無疑將為全球芯片制造商提供新的機遇和可能性。