6月20日消息，Intel官方宣布，Intel 3工藝(相當(dāng)于3nm級(jí)別)已經(jīng)投入大規(guī)模量產(chǎn)，用于至強(qiáng)6 Sierra Forest能效核版本、Granite Ridge性能核版本，下半年陸續(xù)登場(chǎng)，但不會(huì)用于酷睿。

Intel 3作為現(xiàn)有Intel 4的升級(jí)版，帶來了更高的晶體管密度和性能，并支持1.2V電壓的超高性能應(yīng)用，不但用于自家產(chǎn)品，還首次開放對(duì)外代工，未來多年會(huì)持續(xù)迭代。

首先強(qiáng)調(diào)，Intel 3工藝的定位一直就是需要高性能的數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，重點(diǎn)升級(jí)包括改進(jìn)設(shè)計(jì)的晶體管、晶體管通孔電阻更低的供電電路、與客戶的聯(lián)合優(yōu)化等等，還支持0.6V以下的低電壓、1.3V以上的高電壓，以實(shí)現(xiàn)最大負(fù)載。

為了獲得性能、密度的最佳均衡，Intel還同時(shí)使用了240nm高性能庫、210nm高密度庫的組合——Intel 4只有前者。

客戶如果有不同需求，還可以在三種不同的金屬堆棧層數(shù)中選擇：14層的成本最低，18層的性能和成本最均衡，21層的性能最高。

此外，Intel 3工藝的EUV極紫外光刻運(yùn)用更加?jì)故?，在更多生產(chǎn)工序中使用了EUV。

最終的結(jié)果是，Intel保證新工藝可以在同等功耗、晶體管密度之下，相比Intel 4帶來最多18%的提升!

Intel之前還曾表示，Intel 3相比于Intel 4邏輯縮微縮小了約10%(可以理解為晶體管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)則提升了17%。

不過在關(guān)鍵尺寸方面，Intel 3、Intel 4是基本一致的，接觸孔多晶硅柵極間距(CPP)都是50nm，鰭片間距、M0間距都是30nm，另外庫高度 x CPP的面積除了12K，還增加了10.5K版本，也是為了優(yōu)化性能和成本平衡。

Intel 3后續(xù)還會(huì)優(yōu)化推出不同的版本，針對(duì)性加強(qiáng)某個(gè)角度：

Intel 3-T：重點(diǎn)引入采用硅通孔(TSV)技術(shù)，針對(duì)3D堆疊進(jìn)行優(yōu)化。

Intel 3-E：擴(kuò)展更多功能，比如1.2V原生電壓、深N阱、長(zhǎng)通道模擬設(shè)備、射頻等，可用于生產(chǎn)芯片組、存儲(chǔ)芯片等。

Intel 3-PT：在3-E的基礎(chǔ)上，增加9微米間距的硅通孔，以及混合鍵合，性能再提升至少5%，使用也更簡(jiǎn)單，可用于AI、HPC芯片以及通用計(jì)算芯片。