5月8日消息，三星宣布，3nm芯片順利流片，為芯片的大規(guī)模量產(chǎn)做好了準備。

據(jù)悉，三星與Synopsys公司合作，雙方對整個芯片制造過程進行微調(diào)，從而最大限度提升芯片良率。

這是三星第一款3nm芯片，它采用Gate All Around(GAA)工藝，三星GAA設計被稱為MCBFET，即多信道橋式FET。

三星稱，與傳統(tǒng)3nm芯片相比，自家3nm GAA設計的產(chǎn)品功率損耗可降低50%，性能也將得到改善，與之前的4nm FinFET工藝相比，能效和密度有著20%至30%的提升。

按照計劃，三星接下來會大規(guī)模生產(chǎn)下一代Soc，這顆芯片應該是傳聞中的Exynos 2500，Galaxy S25系列將會首發(fā)搭載，其性能對標高通驍龍8 Gen4以及聯(lián)發(fā)科天璣9400，后兩款芯片則是采用臺積電3nm工藝。

除了旗艦手機，三星自家的Galaxy Watch 7系列智能手表也有可能會搭載3nm芯片。