3月25日消息，據(jù)媒體報(bào)道，英偉達(dá)最快將從9月開始大量購(gòu)買12層HBM3E內(nèi)存，這些內(nèi)存將由三星電子獨(dú)家供貨。

在GTC 2024上，黃仁勛曾在三星電子的12層HBM3E實(shí)物產(chǎn)品上留下了"黃仁勛認(rèn)證(JENSEN APPROVED)"的簽名。

而SK海力士因部分工程問(wèn)題，未能推出12層HBM3E產(chǎn)品，但計(jì)劃從本月末開始批量生產(chǎn)8層HBM3E產(chǎn)品。

今年2月27日，三星電子官宣成功開發(fā)出業(yè)界首款36GB 12H(12層堆疊)HBM3E DRAM內(nèi)存。

據(jù)介紹，HBM3E 12H能夠提供高達(dá)1280GB/s的帶寬和迄今為止最大的36GB容量，相比于8層堆疊的HBM3 8H，在帶寬和容量上提升超過(guò)50%。

同時(shí)相比于8層堆疊，其AI訓(xùn)練速度平均提高34%，同時(shí)推理服務(wù)用戶數(shù)量也可增加超過(guò)11.5倍。

在此前的GTC2024大會(huì)上，英偉達(dá)正式發(fā)布了B200和GB200系列芯片。

據(jù)黃仁勛介紹，B200擁有2080億個(gè)晶體管，采用臺(tái)積電4NP工藝制程，可以支持多達(dá)10萬(wàn)億個(gè)參數(shù)的AI大模型，還通過(guò)單個(gè)GPU提供20 petaflops的AI性能。