傳HBM良率僅為65%，存儲(chǔ)大廠力爭(zhēng)通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試

時(shí)間：2024-03-08 11:03:18

關(guān)鍵字： HBM 良率存儲(chǔ) 英偉達(dá) 測(cè)試

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[導(dǎo)讀]HBM高帶寬存儲(chǔ)芯片被廣泛應(yīng)用于最先進(jìn)的人工智能（AI）芯片，據(jù)業(yè)界消息，英偉達(dá)的質(zhì)量測(cè)試對(duì)存儲(chǔ)廠商提出挑戰(zhàn)，因?yàn)橄啾葌鹘y(tǒng)DRAM產(chǎn)品，HBM的良率明顯較低。

HBM高帶寬存儲(chǔ)芯片被廣泛應(yīng)用于最先進(jìn)的人工智能（AI）芯片，據(jù)業(yè)界消息，英偉達(dá)的質(zhì)量測(cè)試對(duì)存儲(chǔ)廠商提出挑戰(zhàn)，因?yàn)橄啾葌鹘y(tǒng)DRAM產(chǎn)品，HBM的良率明顯較低。

臺(tái)積電、三星代工等公司，此前在加工單一硅晶圓時(shí)一直面臨將良率維持在最佳水平的挑戰(zhàn)，但當(dāng)前這一問(wèn)題蔓延到了HBM行業(yè)。消息稱(chēng)美光、SK海力士等存儲(chǔ)廠商，在英偉達(dá)下一代AI GPU的資格測(cè)試中將進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)，似乎差距不大，而良率將是廠商們的阻礙。

據(jù)悉，HBM制造過(guò)程中，多層堆疊的復(fù)雜性導(dǎo)致良率變低，小芯片之間通過(guò)硅通孔（TSV）工藝相連，這種復(fù)雜性增加了制造過(guò)程中出現(xiàn)缺陷的機(jī)會(huì)。如果HBM中的一層被證明有缺陷，那么整個(gè)堆疊都會(huì)被丟棄，因而造成良率難以提升。

消息人市場(chǎng)稱(chēng)，目前HBM存儲(chǔ)芯片的整體良率在65%左右，其中美光、SK海力士似乎在這場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中處于領(lǐng)先地位。據(jù)悉，美光已開(kāi)始為英偉達(dá)當(dāng)前最新的H200 AI GPU生產(chǎn)HBM3e存儲(chǔ)芯片，因?yàn)槠湟淹ㄟ^(guò)Team Green設(shè)定的認(rèn)證階段。

SK海力士副社長(zhǎng)Kim Ki-tae曾在2月21日的官方消息中指出，雖然外部不穩(wěn)定因素仍然存在，但今年存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)有望逐漸回溫，PC、智能手機(jī)等應(yīng)用，不僅會(huì)提升HBM3e銷(xiāo)量，也能帶動(dòng)DDR5、LPDDR5T等產(chǎn)品需求增加。這名高管表示，旗下HBM已全部售罄，公司已開(kāi)始為2025年準(zhǔn)備。