傳HBM良率僅為65%,存儲(chǔ)大廠力爭(zhēng)通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試
HBM高帶寬存儲(chǔ)芯片被廣泛應(yīng)用于最先進(jìn)的人工智能(AI)芯片,據(jù)業(yè)界消息,英偉達(dá)的質(zhì)量測(cè)試對(duì)存儲(chǔ)廠商提出挑戰(zhàn),因?yàn)橄啾葌鹘y(tǒng)DRAM產(chǎn)品,HBM的良率明顯較低。
臺(tái)積電、三星代工等公司,此前在加工單一硅晶圓時(shí)一直面臨將良率維持在最佳水平的挑戰(zhàn),但當(dāng)前這一問(wèn)題蔓延到了HBM行業(yè)。消息稱(chēng)美光、SK海力士等存儲(chǔ)廠商,在英偉達(dá)下一代AI GPU的資格測(cè)試中將進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng),似乎差距不大,而良率將是廠商們的阻礙。
據(jù)悉,HBM制造過(guò)程中,多層堆疊的復(fù)雜性導(dǎo)致良率變低,小芯片之間通過(guò)硅通孔(TSV)工藝相連,這種復(fù)雜性增加了制造過(guò)程中出現(xiàn)缺陷的機(jī)會(huì)。如果HBM中的一層被證明有缺陷,那么整個(gè)堆疊都會(huì)被丟棄,因而造成良率難以提升。
消息人市場(chǎng)稱(chēng),目前HBM存儲(chǔ)芯片的整體良率在65%左右,其中美光、SK海力士似乎在這場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中處于領(lǐng)先地位。據(jù)悉,美光已開(kāi)始為英偉達(dá)當(dāng)前最新的H200 AI GPU生產(chǎn)HBM3e存儲(chǔ)芯片,因?yàn)槠湟淹ㄟ^(guò)Team Green設(shè)定的認(rèn)證階段。
SK海力士副社長(zhǎng)Kim Ki-tae曾在2月21日的官方消息中指出,雖然外部不穩(wěn)定因素仍然存在,但今年存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)有望逐漸回溫,PC、智能手機(jī)等應(yīng)用,不僅會(huì)提升HBM3e銷(xiāo)量,也能帶動(dòng)DDR5、LPDDR5T等產(chǎn)品需求增加。這名高管表示,旗下HBM已全部售罄,公司已開(kāi)始為2025年準(zhǔn)備。
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