2024年2月22日，中國上海——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代^[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），該系列適用于包括數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等應(yīng)用的開關(guān)電源。首批采用TO-247封裝的兩款650V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日開始支持批量出貨。

新產(chǎn)品采用高速二極管，旨在改善橋式電路和逆變電路應(yīng)用中至關(guān)重要的反向恢復(fù)^[2]特性。與標(biāo)準(zhǔn)型DTMOSVI相比，新產(chǎn)品將反向恢復(fù)時間（trr）縮短了65%，并將反向恢復(fù)電荷（Qrr）減少88%（測試條件：-dIDR/dt＝100 A/μs）。

新產(chǎn)品采用的DTMOSVI（HSD）工藝改善了東芝DTMOSIV系列（DTMOSIV（HSD））的反向恢復(fù)特性，并在高溫下具有更低的漏極截止電流。此外，新產(chǎn)品的品質(zhì)因數(shù)“漏極-源極導(dǎo)通電阻×柵極-漏極電荷”也更低。相較于東芝現(xiàn)有的TK62N60W5^{[4] [5]}器件，TK042N65Z5的高溫漏極截止電流降低了約90%^[3]，漏極-源極導(dǎo)通電阻×柵極-源極電荷降低了72%。這將一進(jìn)步將降低功率損耗，有助于提高產(chǎn)品效率。在1.5kW LLC電路^[6]測試中，與使用TK62N60W5相比，使用TK042N65Z5可使電源效率提高約為0.4%。

即日起，客戶可在東芝網(wǎng)站上獲取使用TK095N65Z5的參考設(shè)計“1.6”。此外，東芝還提供支持開關(guān)電源電路設(shè)計的相關(guān)工具。除能夠迅速驗(yàn)證電路功能的G0 SPICE模型外，現(xiàn)在還提供能夠準(zhǔn)確地再現(xiàn)電路瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。

東芝計劃在未來擴(kuò)展DTMOSVI（HSD）的產(chǎn)品線。新器件將采用TO-220和TO-220SIS通孔型封裝，以及TOLL和DFN88表貼型封裝。

此外，在已推出的650V和600V產(chǎn)品以及新的高速二極管型產(chǎn)品基礎(chǔ)上，東芝還將繼續(xù)擴(kuò)展DTMOSVI系列的產(chǎn)品線，以提高開關(guān)電源的效率，為設(shè)備節(jié)能做出貢獻(xiàn)。

標(biāo)準(zhǔn)型和高速二極管型650V功率MOSFET的Qrr比較

TK095N65Z5與TK35N65W5的IDSS＠150°C×trr比較

TK042N65Z5和TK62N60W5的RDS(ON)×Qgd比較

TK042N65Z5和TK62N60W5的效率比較

使用新產(chǎn)品的參考設(shè)計“1.6kW服務(wù)器電源（升級版）”：

電路板外觀

簡易方框圖

應(yīng)用：

工業(yè)設(shè)備

- 開關(guān)電源（數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、通信設(shè)備等）

- 電動汽車充電站

- 光伏發(fā)電機(jī)組的功率調(diào)節(jié)器

- 不間斷電源系統(tǒng)

特點(diǎn)：

- 新一代DTMOSVI系列高速二極管型產(chǎn)品

- 高速二極管型產(chǎn)品的反向恢復(fù)時間：

TK042N65Z5 trr＝160ns（典型值）

TK095N65Z5 trr＝115ns（典型值）

- 通過低柵漏電荷實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)時間：

TK042N65Z5 Qgd＝35nC（典型值）

TK095N65Z5 Qgd＝17nC（典型值）

主要規(guī)格：

（除非另有說明，Ta＝25 °C）

注：

[1] 截至2024年2月22日的東芝調(diào)查。

[2] MOSFET體二極管從正向偏置切換到反向偏置的開關(guān)動作

[3] 數(shù)值由東芝測量得出：

-新產(chǎn)品TK042N65Z5為0.2mA（測試條件：VDS＝650V、VGS＝0V、Ta＝150°C）

-現(xiàn)有產(chǎn)品TK62N60W5為1.9mA（測試條件：VDS＝600V、VGS＝0V、Ta＝150°C）

[4] 600V DTMOSIV（HSD）系列

[5] 數(shù)值由東芝測量得出。

測試條件：

-TK62N60W5

RDS(ON)：ID＝30.9A、VGS＝10V、Ta＝25°C

Qgd：VDD＝400V、VGS＝10V、ID＝61.8A、Ta＝25°C

-TK042N65Z5

RDS(ON)：ID＝27.5A、VGS＝10V、Ta＝25°C

Qgd：VDD＝400V、VGS＝10V、ID＝55A、Ta＝25°C

[6] 數(shù)值由東芝測量得出。

測試條件：Vin＝380V、Vout＝54V、Ta＝25°C

[7] VDSS＝600V

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TK042N65Z5：

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK042N65Z5.html

TK095N65Z5：

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MOSFET：

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