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[導(dǎo)讀]11月21日消息,據(jù)企查查顯示,近日,華為技術(shù)有限公司、哈爾濱工業(yè)大學(xué)申請的“一種基于硅和金剛石的三維集成芯片的混合鍵合方法”專利公布。

11月21日消息,據(jù)企查查顯示,近日,華為技術(shù)有限公司、哈爾濱工業(yè)大學(xué)申請的“一種基于硅和金剛石的三維集成芯片的混合鍵合方法”專利公布。

專利摘要顯示,本發(fā)明涉及芯片制造技術(shù)領(lǐng)域。

該方法包括:制備硅基Cu/SiO2混合鍵合樣品和金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品后進(jìn)行等離子體活化處理;將經(jīng)等離子體活化處理后Cu/SiO2混合鍵合樣品浸泡于有機(jī)酸溶液中,清洗后吹干;

在吹干后的硅基和/或金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品的待鍵合表面上滴加氫氟酸溶液,將硅基和金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品對準(zhǔn)貼合進(jìn)行預(yù)鍵合,得到預(yù)鍵合芯片;將預(yù)鍵合芯片進(jìn)行熱壓鍵合,退火處理,得到混合鍵合樣品對。

本發(fā)明實現(xiàn)了以Cu/SiO2混合鍵合為基礎(chǔ)的硅/金剛石三維異質(zhì)集成。

據(jù)悉,該專利于2023年10月27日申請公布。受此影響,培育鉆石概念漲幅已超16%。

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