業(yè)內(nèi)消息，根據(jù)上周美國(guó)加利福尼亞北區(qū)法院公布的信息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已于11月9日起訴美光科技有限公司及全資子公司美光消費(fèi)產(chǎn)品集團(tuán)有限責(zé)任公司侵犯其8項(xiàng)美國(guó)專利。長(zhǎng)江存儲(chǔ)在專利侵權(quán)起訴書中稱，訴訟是為了終止美光廣泛且未經(jīng)授權(quán)使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利創(chuàng)新。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)是國(guó)內(nèi)最大的3D NAND Flash（閃存芯片制造）廠商。長(zhǎng)江存儲(chǔ)在起訴書中提到，美光使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù)，以抵御來自長(zhǎng)江存儲(chǔ)的競(jìng)爭(zhēng)，并獲得和保護(hù)市場(chǎng)份額。訴訟旨在解決以下問題的一個(gè)方面：美光試圖通過迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash（閃存）市場(chǎng)來阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控美光侵犯了美國(guó)專利號(hào)為“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的專利。美光被控侵權(quán)的產(chǎn)品包括96層、128層、176層和232層3D NAND產(chǎn)品。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)在以上起訴書中稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀（upstart），而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的重要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，去年11月，分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論：長(zhǎng)江存儲(chǔ)是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，超過了美光。
NAND Flash和DRAM是目前最主要的兩種存儲(chǔ)介質(zhì)，NAND Flash可制造SSD（固態(tài)硬盤）等存儲(chǔ)器，用于手機(jī)、服務(wù)器、PC等產(chǎn)品。集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，今年第二季度，全球NAND Flash品牌廠商中，三星、鎧俠、SK Group、西部數(shù)據(jù)、美光的市占率分別為31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他廠商占比僅3.8%。

2018年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)第一代32層3D NAND Flash芯片，2019年量產(chǎn)64層256Gb TLC 3D NAND閃存，2020年跳過96層研發(fā)兩款128層閃存產(chǎn)品。長(zhǎng)江存儲(chǔ)此前還推動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)。集邦咨詢分析稱，2022年第三季度，受長(zhǎng)江存儲(chǔ)擴(kuò)大筆電Client SSD出貨等影響，價(jià)格戰(zhàn)日益激烈，原廠不得不拉大議價(jià)空間，吸引客戶提高訂單數(shù)量。
2022年10月，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局發(fā)布出口管制新規(guī)，限制對(duì)中國(guó)出口芯片制造設(shè)備等，將長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND Flash芯片層數(shù)卡在已量產(chǎn)的最新工藝上。當(dāng)年12月，美國(guó)又將長(zhǎng)江存儲(chǔ)納入出口管制“實(shí)體清單”。
除NAND Flash外，美光也是主要的DRAM生產(chǎn)商之一。2016年，生產(chǎn)DRAM的另一大存儲(chǔ)芯片廠商福建晉華與聯(lián)電簽署技術(shù)合作協(xié)議，開發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)，在福建晉江投資56.5億美元建設(shè)一條12英寸晶圓廠生產(chǎn)線。2017年，美光在美國(guó)起訴晉華與聯(lián)電，稱晉華員工竊取其知識(shí)產(chǎn)權(quán)交給晉華。2018年，美國(guó)商務(wù)部又將晉華列入出口管制“實(shí)體清單”。

來源：第一財(cái)經(jīng)