業(yè)內(nèi)消息，近日韓國(guó)存儲(chǔ)巨頭三星旗下存儲(chǔ)業(yè)務(wù)為提振 NAND Flash 芯片市場(chǎng)行情，計(jì)劃將于年底之前將 NAND 芯片價(jià)格上調(diào)至少 10%，最快將于本月開(kāi)始陸續(xù)漲價(jià)。

業(yè)內(nèi)分析人士認(rèn)為，年底前 DRAM、NAND 的合約價(jià)將會(huì)迎來(lái)一波大漲，因?yàn)槿亲羁毂驹聦⑿潞灱s的訂單開(kāi)始提升價(jià)格。之前包含三星存儲(chǔ)在內(nèi)的存儲(chǔ)大廠相繼表示 NAND 芯片減產(chǎn)以提振 NAND 芯片價(jià)格，目前來(lái)看將迎來(lái)上行周期。

據(jù)悉，去年下半年開(kāi)始的高通脹和全球經(jīng)濟(jì)前景惡化持續(xù)刺激導(dǎo)致芯片市場(chǎng)需求萎靡，尤其存儲(chǔ)芯片，使芯片產(chǎn)業(yè)陷入前所未有的低迷期。2023 年第一季度三星的 DRAM 芯片銷(xiāo)售 40.1 億美金，同比爆降 61.2%，其中 NAND 芯片銷(xiāo)售降至 29.9 億美金，同比直接腰斬。

全球存儲(chǔ)芯片迎來(lái)低谷潮，價(jià)格一路下跌，去年開(kāi)始同為韓國(guó)存儲(chǔ)巨頭的 SK 海力士帶頭宣布減產(chǎn)，三星存儲(chǔ)也在今年年初跟進(jìn)，并在 4 月宣布擴(kuò)大減產(chǎn)幅度，目前來(lái)看 DRAM 芯片的價(jià)格終于回升，但 NAND 芯片價(jià)格還未見(jiàn)起色。

由于 NAND 芯片利潤(rùn)比 DRAM 芯片低，因此三星近來(lái)積極推動(dòng)價(jià)格正?；?。三星之前表示要在明年第二季度達(dá)成 NAND 芯片事業(yè)收支打平，因此決定在減產(chǎn)之余還要調(diào)漲芯片價(jià)格。

SK 證券公司分析師 Han Dong-hee 表示：三星電子的第二波減產(chǎn)行動(dòng)及獲利至上政策，可望激勵(lì)存儲(chǔ)芯片價(jià)格反彈。另一方面，對(duì)于三星、SK 海力士及美光持續(xù)減少供給，意圖帶動(dòng) DRAM/NAND合約價(jià)及現(xiàn)貨價(jià)止跌回升。

此外業(yè)內(nèi)分析人士認(rèn)為目前 DRAM 現(xiàn)貨報(bào)價(jià)以 DDR5 漲勢(shì)最為明顯，主要是庫(kù)存較少，DDR4 庫(kù)存水位雖偏高，三大存儲(chǔ)廠的 DRAM 減產(chǎn)重點(diǎn)鎖定于 DDR4，而 DDR5 則是擴(kuò)大生產(chǎn)，預(yù)計(jì)今年年底到明年 DDR5 銷(xiāo)售比重將提升至 30%～40%。