9月7日消息，ASML宣布，將在今年底發(fā)貨第一臺(tái)支持高NA(數(shù)值孔徑)的EUV極紫外光刻機(jī)，型號(hào)“Twinscan EXE:5000”。

NA數(shù)值孔徑是光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)的重要指標(biāo)，直接決定了光刻的實(shí)際分辨率，以及最高能達(dá)到的工藝節(jié)點(diǎn)。

ASML現(xiàn)有最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)是NEX:3400C、NEX:3400D，NA只有0.33，對(duì)應(yīng)的分辨率為13nm，可以生產(chǎn)金屬間距在38-33nm之間的芯片。

但是，金屬間距縮小到30nm以下之后，也就是對(duì)應(yīng)的工藝節(jié)點(diǎn)超越5nm，這樣的分辨率就不夠了，只能使用EUV雙重曝光和/或曝光成形(pattern shaping)技術(shù)來(lái)輔助，不但會(huì)大大增加成本，還會(huì)降低良品率。

因此，更高的NA成為必需，新一代EXE:5000就能做到0.55 NA，光刻分辨率也將縮小到8nm。

EXE:5000有點(diǎn)像是實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，供芯片制造廠學(xué)習(xí)如何使用高NA EUV技術(shù)，而預(yù)計(jì)2025年發(fā)貨的下一代EXE:5200，才能支持大規(guī)模量產(chǎn)。

Intel最初計(jì)劃在其18A(1.8nm)工藝節(jié)點(diǎn)使用ASML的高NA EUV光刻機(jī)，2025年量產(chǎn)，但后來(lái)提前到了2024年下半年，等不及ASML的新機(jī)器。

于是，Intel就改用0.33 NA NXE:3600D/3800E，疊加雙重曝光來(lái)實(shí)現(xiàn)18A工藝，同時(shí)使用應(yīng)用材料的Endura Sculpta的曝光成形系統(tǒng)來(lái)盡可能減少雙重曝光的使用。

盡管如此，Intel依然會(huì)是高NA EUV光刻機(jī)的第一家客戶，可能會(huì)在18A節(jié)點(diǎn)的后期引入它。

臺(tái)積電、三星都計(jì)劃在2025年晚些時(shí)候投產(chǎn)2nm工藝，或許也會(huì)用上高NA EUV光刻機(jī)。

至于這種先進(jìn)光刻機(jī)的價(jià)格，沒(méi)有官方數(shù)據(jù)，不同報(bào)告估計(jì)在單臺(tái)成本就要3-4億美元，相當(dāng)于人民幣22-29億元。